11月9日，第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2023）在北京召开。我们邀请到了北京智慧能源研究院教授级高级工程师金锐在会上作了题为“碳化硅MOSFET研究进展分析”的报告。

碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，被广泛应用在高压高频的电力电子系统中，使用碳化硅功率器件代替传统硅基功率器件是解决国家低能耗目标的有效手段之一。本报告总结了近40年碳化硅MOSFET器件的技术发展路线，归纳了不同时期和应用场景下的关键结构突破，分析了当前国内外碳化硅MOSFET研究进展及相关产品成熟度现状，最终针对碳化硅MOSFET当前存在的问题和未来发展方向展开了深入探讨，为后续碳化硅半导体产业化进程起到一定的推动。

嘉宾介绍

金锐

北京智慧能源研究院

教授级高级工程师

金锐，教授级高级工程师，2009年毕业于英国帝国理工大学物理学专业，获理学博士学位。现任北京智慧能源研究院功率半导体研究所所长，是北京市优秀青年骨干计划获得者，“IEEE PES输配电技术委员会”委员，“中国电机工程学会电力电子器件专委会”委员，“功率半导体技术创新与产业联盟”副秘书长。主持编写柔性输电用IGBT器件相关企业和行业标准4项，出版专著2部，发表论文80余篇，申请专利150余项。

长期从事大功率半导体芯片和器件研发工作，作为“先进输电技术国家重点实验室”器件方向学术带头人，研发的3300V绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片和器件实现技术突破，被收录在2020年国资委《中央企业科技创新成果推荐目录》。2021年，自研3300V/1500A IGBT在厦门柔性直流输电工程的鹭岛换流站成功挂网运行，标志着IGBT核心技术实现了完全自主可控。作为最年轻的首席科学家，主持2016年首批国家重点研发计划项目，成功研制了具有自主知识产权的超大功率4500V/3000A压接型IGBT,可以支持大规模海上风电接入和长距离大容量柔性直流输电等新能源的战略实施,并在张北柔性直流工程延庆站示范应用，在国家“十三五”科技创新成就展中得到高度认可。