中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟关于征集团体标准项目立项提案的通知

各相关单位：

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（简称“宽禁带联盟”）自2016年11月开展标准化工作以来，共发布团体标准项目7项，分别为《碳化硅单晶》《碳化硅外延片表面缺陷测试方法》《碳化硅外延层载流子浓度测定-汞探针电容-电压法》《新能源汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法》《6英寸碳化硅单晶抛光片》《4H碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法》和《碳化硅混合模块产品检测方法》。

目前在研标准9项，分别为《半绝缘SiC电阻率非接触测量方法》《SiC 晶圆的残余应力检测方法》《功率半导体器件稳态湿热高压偏置测试方法》《导电碳化硅单晶片电阻率测试方法》《碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法》《碳化硅抛光片表面质量和微管的测试方法》《碳化硅单晶抛光片位错密度测试方法》《氧化镓单晶晶片摇摆曲线的测试方法》和《氧化镓外延片载流子浓度测试方法》。

为进一步推动宽禁带联盟标准化工作进程，制定一批快速响应创新和市场需求的宽禁带半导体产业团体标准，现宽禁带联盟秘书处向各单位公开征集宽禁带联盟第四批团体标准项目立项提案，近期秘书处将根据《宽禁带联盟团体标准管理办法》进行内部审核后，统一开展立项评审等工作。

欢迎各单位积极申报。于2019年11月16日前，将附件3《中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准制修订立项申请书》反馈至邮箱：linxueru@iawbs.com，mishuchu@iawbs.com。

如有疑问请随时与联盟秘书处联系，联系电话：010-61256850-702。

IAWBS-2019-010关于征集中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准项目立项提案的通.pdf

附件2：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准管理办法.pdf

附件3：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准制修订立项申请书.docx