碳化硅前景看好，环球晶联手中美晶开发8吋长晶技术

视为第三代半导体材料的碳化硅（SiC）前景看好，其技术主要掌握在美国CREE、日本罗姆半导体等大厂手中，台系半导体产业链以产学合作的方式突围，希望可以在第三代半导体材料大饼中占有一席之地。中美晶与环球晶希望透过产学合作，加速开发出8吋的长晶技术。

中美晶董事长卢明光表示，特斯拉的Model 3电动车已开始采用SiC MOSFET，SiC芯片的特色具有耗能低、更省电、耐高压，可以达到快速充电的效果，并可以让电动车跑的里程数远高于一般的燃油车，电动车将是SiC未来最大的市场。
 
卢明光也表示，现在日本、美国政府把SiC硅晶圆、芯片等产业列为关键技术，下令禁止输出，目前产品可以输出，但是技术不能输出，在在显示，SiC材料将在未来半导体产业发展中扮演非常重要的角色。
 
回到台系厂商的发展进程，卢明光透露，目前交通阳明大学中有一个《喜玛拉雅山》计划，该计划主要研究半导体材料、非硅材料碳化硅、氮化镓、5G、AI、物联网，数位医疗等，其中半导体小组的部分由他本人负责，对于台湾来说，SiC的长晶技术已经有了，中科院有4吋长晶技术，并技转给太极，中美晶有4吋N型长晶技术，与稳懋搭配合作，主要做PA功率放大器产品。
 
卢明光表示，目前环球晶每月资助3000万元该计划，希望透过产学一起研究合作，共同开发8吋的长晶技术，快速建构出台湾SiC产业链。
 
从SiC产业链来看，卢明光说明，首先要有长晶的厂商，之后切片、研磨、抛光等都难不倒国内的厂商，不过光是长晶的困难度就很高，因为长晶炉的温度至少将2千度以上，比一般传统的1千多度要高出许多，不只是长晶，很多制造的环境都是极度高温的情况。
 
卢明光表示，目前国内厂商在SiC长晶上面的技术都还不成熟，布局较久的厂商包括汉磊与旗下嘉晶、联电集团旗下的联钧等，而生产过程难度高之外，SiC的材料费用、设备也非常昂贵，若学校要投入研究的话，根本就负担不起，所以需要企业界一起赞助合作，以美国第一大厂CREE为例，即要砸下10亿美元做8吋SiC硅晶圆，其投入成本之高可见一斑。
 
最后，卢明光表示，SiC是非常具有发展前景的半导体材料，不论是功率发电、太阳能发电、快速充电都需要SiC，中美晶与旗下的环球晶除了透过产学合作之外，也会持续布局，未来不会在SiC市场中缺席。