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碳化硅对于工业应用来说非常重要,对电气化要求也非常高,比如新能源汽车及其它新能源基础设施建设。


ST为此推出650V了碳化硅MOSFET,现在正进行1200V的碳化硅MOSFET第二代高压高性能产品的开发,即使在高温条件下,开关损耗和功率也能保持极低的损耗,有助于工业设备降低功耗,缩减体积,降低重量,帮助提升每单位上的需求,同时提升产品的性能。

具有PFC拓扑结构的涌流限制板,也采用了碳化硅MOSFET管,板上同时还包含MCU。

ST事业部总经理、离散器件专家Edoardo Merli介绍,为了扩展基材以及基材生产能力ST收购了一家瑞典公司,并从今年开始建新的晶圆厂,以便更好地整合到目前产品生产链当中,实现从基材到最终产品的真正全生产链条。

除了碳化硅解决方案,ST还提供氮化镓解决方案,它们有更高的频率和更高的功率。“它们不仅可以用在二极管上,还能帮助我们实现裸片功率效率的极大提升,从而为客户带来大量不同的封装选择,包括高压性能产品。”Edoardo Merli说,例如,在某些情况下可以实现多个裸片,获得更多的空间,还有更多的设计元素。

目前ST针对氮化镓有两个主要的技术方向:

第一个是几年前与MACOM签署了协议,共同研发和开发有关硅基氮化镓相关的技术和产品,这样的技术和产品能够帮助解决目前5G传输的网络架构问题以及未来5G通讯时代可能的资产问题。

第二个是氮化镓在功率开关和功率转换上的应用。在工业应用环境中,特别是在汽车行业,越来越需要低功耗产品。目前ST正与法国CEA-Leti研究机构合作,进行大量的技术开发,主要关注功率的转换以及后期产品上的控制单元集成。从生产的角度,ST正在Catania(意大利卡塔尼亚)设立一条新的生产线,主要是关注射频产品,特别是使用氮化镓制造的元件,最终实现功率的转化和功率的开关。

氮化镓产品不仅可用于现有的产品开发,涵盖晶体管,今后甚至很有可能涉及裸片。

传统的晶体管一般来说功率较高,ST可以使用驱动器,不是传统市场中的通用驱动器,而是专用驱动器,响应目前较高的开关频率需求,将专用驱动器和晶体管封装在同样的产品中,从而带来较高的性能,特别是满足晶体管高功率的要求。


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