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新型工业模块将有助于实现更高效、更小、更轻的电力电子装备

三菱电机推出采用新开发的工业用碳化硅芯片的第二代全碳化硅功率模块。

该模块中的SiC-MOSFET和SiC-SBD芯片的低功率损耗特性和高载波运行频率,有望促进各工业领域更高效、更小、更轻的电力电子装备的开发。

该产品将于2021年1月开始销售。

新模块的特点包括:采用结型场效应晶体管(JFET)掺杂技术,导通电阻比传统碳化硅产品降低约15%,内置SiC-MOSFET和SiC-SBD,与三菱电机传统Si-IGBT模块相比,有助于降低约70%的功率损耗。


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