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2020年化合物半导体行业年度十大事件出炉

第三代半导体产业或将写入“十四五规划”

2020年9月,有消息称我国计划把大力支持发展第三代半导体产业,写入正在制定中的“十四五”规划,计划在2021-2025年期间,在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面,大力支持发展第三代半导体产业,以期实现产业独立自主。

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2020年化合物半导体行业年度十大事件出炉

长沙三安160亿第三代半导体项目开工

2020年7月20日,投资160亿元,占地面积1000亩的“三安光电第三代半导体产业园”,在长沙高新区启动开工建设。该产业园主要用于建设具自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地。这里,也将诞生我国首条碳化硅全产业链产线。

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2020年化合物半导体行业年度十大事件出炉

Cree推进建造全球最大SiC器件制造工厂

2020年8月,Cree(科锐)宣布推进从硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的产业转型。科锐于19年9月宣布将在美国纽约州 Marcy 建造一座全新的采用最先进技术并满足车规级标准的 200 mm 碳化硅(SiC)功率和射频(RF)制造工厂。该工厂目前已经完成基础工程施工,并开始主体工程施工。

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2020年化合物半导体行业年度十大事件出炉

华为投资入股北京天科合达、全芯微电子、瀚天天成

2020年华为哈勃先后投资入股了国内三家化合物半导体企业,分别为:北京天科合达,持股比例4.82%;宁波润华全芯微电子,投资数额约214.29万元,投资比例占6.31%;瀚天天成,认缴出资977.2万元。

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全球最大氮化镓工厂落地苏州,一期投资60亿

2020年9月,英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式。这意味着英诺赛科苏州第三代半导体基地开始由厂房建设阶段进入量产准备阶段,标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成。该项目建成后,满产可实现月产8英寸硅基氮化镓晶圆65000片。

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2020年化合物半导体行业年度十大事件出炉

台积电将与意法半导体合作,加快GaN制程技术开发

2020年2月,台积电宣布与意法半导体合作加速市场采用氮化镓产品。意法半导体预计今年晚些时候将首批样品交给其主要客户。透过此合作,意法半导体将采用台积公司的氮化镓制程技术来生产其氮化镓产品。

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2020年化合物半导体行业年度十大事件出炉

日本研发长晶新技术,1小时可制成优质GaN基底

外媒称,日本国家材料科学研究所(NIMS)与东京工业大学(Tokyo Tech)研发了一种生长高质量GaN晶体的技术,与现有技术生长的GaN晶体相比,新技术制成的GaN晶体缺陷会少很多。该技术能有效地减少位错的形成,从而合成高质量的晶体。该技术只需要一个简单的工艺,在大约1小时内就可以制成高质量的GaN基底。

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2020年化合物半导体行业年度十大事件出炉

稳懋投850亿新台币建厂

2020年8月,稳懋进驻南科高雄园区的投资案获得科技部园区审议会核准,稳懋预计将投入 850 亿新台币(约201亿人民币)盖新厂。

此计划将自2021年起分3年进行投资,新厂完成后月产能将超过十万片,总产能为目前北部厂的两倍以上。

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比亚迪将自建SiC产线

比亚迪半导体产品总监杨钦耀表示,比亚迪车规级的IGBT已经走到5代,碳化硅MOSFET已经走到3代,第4代正在开发当中。目前在规划自建SiC产线,预计到明年有自己的产线。

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露笑科技百亿项目:第三代功率半导体产业园开工

2020年11月,露笑科技在合肥投建的的第三代功率半导体(碳化硅)产业园项目开工,项目总投资为人民币100亿元。主要建设国际领先的第三代功率半导体(碳化硅)的设备制造、长晶生产、衬底加工、外延制作等产业链的研发和生产基地。


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