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公告通知

《β相氧化镓单晶位错密度的测试方法》团体标准正式发布: 近日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《β相氧化镓单晶位错密度的测试方法》（T/IAWBS 029-2026）。该标准自2026年7月27日发布，自2026年8月3日起实施。β相氧化镓（β-Ga₂O₃）作 ...; 2026-7-29 09:27

《碳化硅晶体生长用的碳化硅粉体料》等两项团体标准正式发布: 近日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《碳化硅晶体生长用的碳化硅粉体料》、《碳化硅用包材中金属杂质含量的测定电感耦合等离子体质谱法》两项团体标准。上述标准于2026年6月3日正式发布，并 ...; 2026-7-13 09:22

《碳化硅单晶切割片》等三项团体标准正式发布: 2026年7月7日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式批准发布《碳化硅单晶切割片》、《碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试方法》、《立方碳化硅单晶晶片(111) Si面和(-1-1-1)C面的检测方法》三项团体标准。上述标准 ...; 2026-7-8 12:01

关于征求《电动汽车用功率半导体器件可靠性试验通用要求及试验方法》等两项团体标准意 ...: 各有关单位、各标委会代表：由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口管理，中国科学院电工研究所等相关单位共同起草的《电动汽车用功率半导体器件可靠性试验通用要求及试验方法》团体标准，以及西安晟光硅研半导体 ...; 2026-6-18 15:46

团体标准《碳化硅长晶用多孔石墨材料》正式发布: 2026年5月19日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《碳化硅长晶用多孔石墨材料》。该标准于2025年6月正式立项，历经近12个月的深入调研、多轮试验验证和跨单位比对研讨，以技术深度和产业适用性为 ...; 2026-5-20 10:41

关于团体标准《电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法》修订决议: 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟2026年度第二次团体标准评审会于2026年4月28日在中国科学院半导体研究所3号楼322会议室举行，会议采用线下及线上（腾讯会议）相结合的形式召开，会上对《电动汽车用功率半导体模 ...; 2026-4-29 14:29

关于《碳化钽涂层表面金属含量的测定—电感耦合等离子体发射光谱法》团体标准立项决议: 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟2026年度第二次团体标准评审会于2026年4月28日在中国科学院半导体研究所3号楼322会议室举行，会议采用线下及线上（腾讯会议）相结合的形式召开，会上，经联盟标准化委员会与会委 ...; 2026-4-29 14:28

关于征求团体标准《碳化硅长晶用多孔石墨材料》（征求意见稿）意见的通知: 各有关单位、各行业专家：由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口管理，山东红点新材料有限公司等相关单位共同起草的《碳化硅长晶用多孔石墨材料》团体标准已完成征求意见稿，现面向社会各界公开征求意见。有关意 ...; 2026-3-9 17:03

《金刚石单晶表面应力分布测定拉曼光谱法》等三项团标正式发布: 2025年9月24日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式批准发布《金刚石单晶表面应力分布测定拉曼光谱法》、《金刚石单晶中石墨相的相对含量测定拉曼光谱法》、《碳化硅器件功率循环试验方法》三项团体标准。上 ...; 2025-9-25 09:25

【APCSCRM 2025】Registration is now open!: 2025-9-9 09:31

APCSCRM 2025 注册开启！第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议: 当前，以SiC、GaN、Ga2O3、AlN和金刚石为代表的宽禁带半导体材料正迎来产业化突破的关键期。随着8英寸SiC衬底量产工艺的突破，碳化硅器件在新能源汽车800V高压平台和光伏逆变器领域实现规模化应用；GaN技术则从消费 ...; 2025-8-29 09:04

一周晶体前沿（一百九十二）——宽禁带半导体氧化镓晶体: 面向科技前沿，聚焦人工晶体，汇集研究新进展！一周晶体前沿，一周一期介绍国际权威期刊近期刊发的晶体类精选论文。为方便广大读者浏览，我们已将其摘要译成中文。本期推出由厦门大学张洪良教授精心整理的关于宽禁带 ...; 2025-7-8 10:07

四部门：加快高压碳化硅模块、主控芯片等核心器件国产化替代!: 近日，国家发展改革委办公厅联合多部门发布《关于促进大功率充电设施科学规划建设的通知》。明确提出，到2027年底，力争全国范围内大功率充电设施超过10万台，服务品质和技术应用实现迭代升级。引导大功率充电设施有 ...; 2025-7-8 10:02

解密：碳化硅长期工作在 175℃结温，会不会有问题？: 关于碳化硅器件长期工作在175°C结温下是否有问题，需要从材料特性、器件设计、可靠性机制和实际应用等多个层面进行深度解析：一、核心结论：技术上可行，但存在挑战。碳化硅本身具有在175°C甚至更高温度下工作的材 ...; 2025-7-7 10:27

重磅首发！2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛首批嘉宾阵容揭晓！: 会议背景为推动宽禁带半导体产业的可持续发展，突破产业发展的瓶颈，探寻新的发展机遇，宽禁带半导体技术创新联盟计划于7月15 日-17日在安徽省芜湖市举办“2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业 ...; 2025-6-3 10:11

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