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公告通知

【APCSCRM 2026】校企人才对接会企业招聘需求征集中！: 各会员单位及相关半导体行业单位：为深入贯彻党中央、国务院关于促进高校毕业生就业和加强青年科技人才培育的决策部署，积极落实《中国科协人力资源社会保障部关于2026年继续开展大学生科技见习计划试点工作的通知》 ...; 2026-9-16 10:37

【APCSCRM 2026】注册开启！第七届亚太碳化硅及相关材料国际会议: APCSCRM 2026第七届亚太碳化硅及相关材料国际会议2026.11.25-27随着新能源汽车800V高压平台快速普及，AI数据中心单机架功耗向百千瓦乃至兆瓦级演进，传统硅基器件在耐压、损耗、频率与热管理上的物理边界日益临近， ...; 2026-9-14 09:34

立项征集| 关于征集宽禁带联盟第十批团体标准项目立项提案的通知: 各相关单位：为了推动宽禁带半导体研发、生产及应用等领域的质量标准体系建设；完善宽禁带半导体相关设备（耗材）-衬底-外延-器件-模块-应用全产业链产业共性关键技术体系；填补宽禁带半导体产业技术创新活动中形成 ...; 2026-8-14 10:26

《β相氧化镓单晶位错密度的测试方法》团体标准正式发布: 近日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《β相氧化镓单晶位错密度的测试方法》（T/IAWBS 029-2026）。该标准自2026年7月27日发布，自2026年8月3日起实施。β相氧化镓（β-Ga₂O₃）作 ...; 2026-7-29 09:27

《碳化硅晶体生长用的碳化硅粉体料》等两项团体标准正式发布: 近日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《碳化硅晶体生长用的碳化硅粉体料》、《碳化硅用包材中金属杂质含量的测定电感耦合等离子体质谱法》两项团体标准。上述标准于2026年6月3日正式发布，并 ...; 2026-7-13 09:22

《碳化硅单晶切割片》等三项团体标准正式发布: 2026年7月7日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式批准发布《碳化硅单晶切割片》、《碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试方法》、《立方碳化硅单晶晶片(111) Si面和(-1-1-1)C面的检测方法》三项团体标准。上述标准 ...; 2026-7-8 12:01

关于征求《电动汽车用功率半导体器件可靠性试验通用要求及试验方法》等两项团体标准意 ...: 各有关单位、各标委会代表：由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口管理，中国科学院电工研究所等相关单位共同起草的《电动汽车用功率半导体器件可靠性试验通用要求及试验方法》团体标准，以及西安晟光硅研半导体 ...; 2026-6-18 15:46

团体标准《碳化硅长晶用多孔石墨材料》正式发布: 2026年5月19日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《碳化硅长晶用多孔石墨材料》。该标准于2025年6月正式立项，历经近12个月的深入调研、多轮试验验证和跨单位比对研讨，以技术深度和产业适用性为 ...; 2026-5-20 10:41

关于团体标准《电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法》修订决议: 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟2026年度第二次团体标准评审会于2026年4月28日在中国科学院半导体研究所3号楼322会议室举行，会议采用线下及线上（腾讯会议）相结合的形式召开，会上对《电动汽车用功率半导体模 ...; 2026-4-29 14:29

关于《碳化钽涂层表面金属含量的测定—电感耦合等离子体发射光谱法》团体标准立项决议: 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟2026年度第二次团体标准评审会于2026年4月28日在中国科学院半导体研究所3号楼322会议室举行，会议采用线下及线上（腾讯会议）相结合的形式召开，会上，经联盟标准化委员会与会委 ...; 2026-4-29 14:28

关于征求团体标准《碳化硅长晶用多孔石墨材料》（征求意见稿）意见的通知: 各有关单位、各行业专家：由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口管理，山东红点新材料有限公司等相关单位共同起草的《碳化硅长晶用多孔石墨材料》团体标准已完成征求意见稿，现面向社会各界公开征求意见。有关意 ...; 2026-3-9 17:03

《金刚石单晶表面应力分布测定拉曼光谱法》等三项团标正式发布: 2025年9月24日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式批准发布《金刚石单晶表面应力分布测定拉曼光谱法》、《金刚石单晶中石墨相的相对含量测定拉曼光谱法》、《碳化硅器件功率循环试验方法》三项团体标准。上 ...; 2025-9-25 09:25

【APCSCRM 2025】Registration is now open!: 2025-9-9 09:31

APCSCRM 2025 注册开启！第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议: 当前，以SiC、GaN、Ga2O3、AlN和金刚石为代表的宽禁带半导体材料正迎来产业化突破的关键期。随着8英寸SiC衬底量产工艺的突破，碳化硅器件在新能源汽车800V高压平台和光伏逆变器领域实现规模化应用；GaN技术则从消费 ...; 2025-8-29 09:04

一周晶体前沿（一百九十二）——宽禁带半导体氧化镓晶体: 面向科技前沿，聚焦人工晶体，汇集研究新进展！一周晶体前沿，一周一期介绍国际权威期刊近期刊发的晶体类精选论文。为方便广大读者浏览，我们已将其摘要译成中文。本期推出由厦门大学张洪良教授精心整理的关于宽禁带 ...; 2025-7-8 10:07

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