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联盟动态

氮化镓：带来更高效率和更大功率密度——采访TI高压电源应用产品业务部氮化镓功率器件 ...
氮化镓(GaN)具有更出色的开关性能，可实现更小、更轻、更高效的电源系统，为电力电子设备带来更稳定的性能，因此近年来受到广泛关注，正在成为新一代功率半导体的“新宠”。据Yole Dévelopement预测，到2023年全球 ...
2020-11-26 09:18
8英寸晶圆到底有多缺？
最近半导体商似乎混进了一种新的“流行”，大家见面不再问“你，吃了吗？”，而是变成了“你，有8英寸晶圆吗？”。8英寸（200mm）晶圆到底有多缺？这一切还得从8英寸晶圆的前世今生说起：关于晶圆尺寸的演变，在业内 ...
2020-11-25 10:54
关于氮化镓器件，我们必须注意这些问题
氮化镓技术在系统应用时的实际考虑因素是什么？氮化镓技术部署的可靠性与失效模式又是什么？以下文章为您一一解答，并且为管理氮化镓的热设计问题提供一些建议。氮化镓的可靠性与失效模式与采用其他半导体技术工艺的 ...
2020-11-24 08:52
用碳化硅半绝缘衬底制造HEMT
之前，我们通过分析MOSFET，知道了通过控制PN结的变化，可以实现开关。实际上，通过另外一种结构，也可以实现开关——肖特基结。从结的概念出发，结：A和B两种材料的接触区域。PN结：P型半导体和N型半导体的接触区域 ...
2020-11-23 09:30
第三代半导体器件的测试挑战
第三代半导体器件毫不夸张的讲为电源行业带来了革新，基于其高速，小体积，低功耗的特点，越来越广泛应用在消费电子及电力电子行业。下图显示了不同技术的功率器件的性能区别。可以看到，传统的Si基IGBT或者MOSFET管 ...
2020-11-19 09:07
全球最大氮化镓工厂英诺赛科，月底通线试产
近日，江苏苏州英诺赛科氮化镓项目传来新进展。据新华网报道，江苏省重大项目英诺赛科氮化镓项目已经完成了一期厂房建设及生产设备搬入，预计今年11月底实现通线试产，明年4月正式投产。效果图英诺赛科（苏州）半导 ...
2020-11-19 09:06
功率密度再翻倍！新GaN FET效率高达99%
德州仪器(TI)日前面向汽车和工业应用推出新一代650V和600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)。与现有硅基或碳化硅解决方案相比，新的GaN FET系列采用快速切换的2.2MHz集成栅极驱动器，可提供两倍的功率密度和高达99%的效 ...
2020-11-18 09:15
SiC助力功率半导体器件的应用结温升高，将大大改变电力系统的设计格局
YoleDevelopment 的市场调查报告表明，自硅功率半导体器件诞生以来，应用的需求一直推动着结温升高，目前已达到150℃。随着第三代宽禁带半导体器件（如SiC）出现以及日趋成熟和全面商业化普及，其独特的耐高温性能正 ...
2020-11-18 09:13
​对于三种碳化硅制备方法的浅析
目前碳化硅单晶的制备方法主要有：物理气相传输法（PVT）；顶部籽晶溶液生长法（TSSG）；高温化学气相沉积法（HT-CVD）。其中TSSG法生长晶体尺寸较小目前仅用于实验室生长，商业化的技术路线主要是PVT和HT-CVD，与HT ...
2020-11-17 09:28
SiC的产业化之路
第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料，应用极为普遍，包括集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用； ...
2020-11-17 09:26
英飞凌签约GT Advanced Technologies，扩大碳化硅供应
11月13日，英飞凌科技股份公司与GT Advanced Technologies签署碳化硅晶棒供货协议，合同预期五年。碳化硅是功率半导体的基础材料，可用于打造高效耐用、高性价比的系统。通过这份供货合同，英飞凌将进一步确保满足其 ...
2020-11-17 09:23
泰科天润：IDM模式加速国产第三代半导体发展
深圳特区成立40周年之际，首届慕尼黑华南电子展在深圳国际会展中心举办。期间芯师爷专访了全球电子产业链的近20家领先企业、潜力企业的领袖及高管，特别推出“慕名而来·圳好”专题报道，与众多业内人士共同探讨全球 ...
2020-11-13 15:00
长八英寸碳化硅为什么会比两英寸难
碳化硅单晶生长，尺寸要求会不断的提升，从四英寸到六英寸，再到之后的八英寸。这个增大的过程，叫做化工过程放大。化工的核心理论是“三传一反”：动量传递（流体输送、过滤、沉降、固体流态化等，遵循流体动力学基 ...
2020-11-13 14:57
【联盟动态】宽禁带联盟举办“高精尖”第三代半导体产业技能高级培训班
培训班合影2020年11月5日至11月8日，“高精尖”第三代半导体产业技能高级培训班于北京海淀区蓝海智谷召开，本次培训班由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）主办，特别邀请八位老师授课， ...
2020-11-10 14:21
SiC|美国纽约州立大学理工学院创下4H-SiC MOSFET性能新纪录
美国纽约州立大学理工学院（SUNY Poly）在4H-碳化硅（SiC）横向金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的性能创下了新的纪录。0.3μm沟道、2.5μm栅漏间距实现了7.7mΩ-cm2导通电阻和450V击穿电压。研究成果发表在I ...
2020-11-10 13:12
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