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MXene范德华接触在氮化镓高电子迁移率晶体管中的应用: 作者：王传举，徐向明，Husam N. Alshareef，李晓航单位：沙特阿卜杜拉国王科技大学摘要：栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面，金属和半导体的直接接触会导致界面缺 ...; 2023-5-4 09:32

为了SiC，博世买了一个晶圆厂: 德国巨头博世近日表示，将收购美国芯片制造商 TSI Semiconductors 的资产，以扩大其碳化硅芯片 (SiC) 的半导体业务。博世还表示，收购完成后，未来几年将投资 15 亿美元升级 TSI 半导体在加利福尼亚州罗斯维尔的制造 ...; 2023-5-4 09:29

决战碳化硅：成败在于衬底大小与厚度？: 导语碳化硅商业应用的最大问题之一是成本，而成本居高不下的一个重要原因就是单位面积衬底生产的芯片比较少，进而影响了产能的扩大。为期10天的上海车展，油车几乎销声匿迹，而新能源汽车（电动汽车）对蕴含着庞大市 ...; 2023-5-4 09:28

为SiC生产保驾护航，KLA有妙招: 正如KLA LS—SWIFT特种半导体市场及技术经理Jeff Per在日前举办的制造年会上所说，半导体芯片现在是汽车的关键组成，有3000多个芯片控制着每台汽车的各个方面，且这些芯片的数量还在不断的增加当中。回看过去几年的 ...; 2023-4-28 13:07

特拉斯将建储能超级工厂；SiC渗透率有望达50%？: 最近，特斯拉宣布在上海新建第三个工厂——储能超级工厂，初期规划1万台，但特斯拉的长远目标是30TW，约为2022年底全球已投运的新型储能的700倍。SiC功率器件是特斯拉储能的关键技术，那么特斯拉储能对SiC产业的影响 ...; 2023-4-28 13:03

6英寸4H-SiC晶体冷却过程中籽晶与籽晶托粘附收缩分离方法: 介绍碳化硅是最具吸引力和发展前景的宽带隙半导体材料之一。商用SiC功率器件最近用生长在直径6英寸的n型4H-SiC衬底上的SiC外延层制成。然而，6英寸以上的大直径SiC晶圆的质量仍然是提高器件性能和器件良率的重要因素 ...; 2023-4-28 09:23

新品发布 | 蓉矽半导体1200V 12mΩ NovuSiC® MOSFET量产: 导通电阻低至12mΩ的SiC MOSFET自1200V 75mΩ/40mΩ NovuSiC MOSFET量产后，蓉矽半导体再接再厉，1200V 12mΩ SiC MOSFET这一国内最低导通电阻产品开始量产，首批次量产平均良率高达80%，满足车规主驱芯片的高可靠性 ...; 2023-4-28 09:18

安森美和极氪签署碳化硅功率器件长期供应协议: 智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON）和豪华智能纯电品牌极氪智能科技（ZEEKR）宣布双方签署长期供应协议（LTSA）。安森美将为极氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高 ...; 2023-4-27 10:03

清纯半导体 | 公司完成数亿元A+轮融资，蔚来资本、士兰、银杏谷、华登联合领投: 日前，清纯半导体（宁波）有限公司（以下简称“清纯半导体”）宣布完成数亿元A+轮融资。本轮融资由蔚来资本、士兰微及其战略基金、华登国际联合领投，老股东高瓴创投（GL Ventures）持续加注，同时获得宏微科技及多 ...; 2023-4-27 10:00

功率半导体“攀上”了汽车: 去年全球半导体行业景气度严重分化。前不久，斯达半导体和韦尔股份相继发布2022年年报，这两家备受关注的企业交出了自上市以来最好和最差的财报。无独有偶，北京君正、汇顶科技、卓胜微等主攻消费电子的企业，其净利 ...; 2023-4-26 09:34

开启“芯”征程！基本半导体车规级碳化硅芯片产线正式通线！: 2023年4月24日，基本半导体车规级碳化硅芯片产线通线仪式在深圳市光明区隆重举行。光明区领导及市区有关部门、上下游合作伙伴等百余人出席通线仪式，共同见证这一重要时刻。该产线的顺利通线，将全面提升粤港澳大湾 ...; 2023-4-26 09:28

中国SiC，“挖坑”了吗？: SiC这几年的发展速度几乎超出了所有人的意料。最近几年，在各家SiC厂商的努力下，SiC MOSFET器件已经有了大幅的改进，制造方法和缺陷筛查也有了一定的进步。SiC的商用化和上车之路已经明显加速。在SiC MOSFET的技术 ...; 2023-4-25 09:58

SiC粉料预处理对4H-SiC单晶生长的多型控制: 摘要:采用预处理工艺对源粉进行改性，成功生长出4H-SiC单晶，提高了SiC晶体的多型稳定性。为了提高SiC源粉中的C/Si比，将SiC源粉与液态碳源混合，然后在1200℃下预热，改性源粉生长的SiC单晶呈现完整的4H多型。用改 ...; 2023-4-25 09:47

碳化硅MOSFET在电动汽车热管理系统中的研究: 0 摘要空调压缩机是热泵空调系统的核心,选择合适的功率器件可以提高其控制器的工作效率,从而提髙整个系统的效率｡这里使用了双脉冲测试电路,对1200V的碳化硅MOSFET和硅IGBT的开关损耗进行对比｡使用PLEC ...; 2023-4-24 10:24

采用MPS设计，Nexperia发布650 V碳化硅二极管: Nexperia开发了一种碳化硅 (SiC) 肖特基二极管技术，用于具有更高性能和更薄芯片的功率应用。Merged-Pin Schottky (MPS) 设计结合了一个肖特基二极管和一个并联的 P-N 二极管，更容易满足最新的能效标准。第一个使用 ...; 2023-4-24 10:14

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