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联盟动态

第三代半导体产业将写入“十四五规划”？众厂商积极卡位
据权威消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产 ...
2020-9-7 13:54
SiC将会是分立器件和模块共存的市场
随着半导体材料步入第三代半导体时代，行业巨头在SiC/GaN器件和模块上早已布局多年。事实上，从特性上来讲，SiC和GaN的优势是互补的，应用覆盖了电动汽车（EV）、新能源、光伏逆变器、智能电器、医疗、通信射频。不 ...
2020-9-4 09:22
西电与武进国家高新区共建长三角化合物半导体创新基地
9月1日，西安电子科技大学与武进国家高新区签署协议，双方将在武进高新区联合建设长三角化合物半导体创新基地。中国科学院院士、西安电子科技大学微电子学院教授郝跃，市委书记齐家滨出席活动并讲话。市、区领导方国 ...
2020-9-3 09:30
北汽新能源率先用上第三代半导体零部件
随着新能源汽车的普及应用，动力及续航各项性能备受行业及用户关心，以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料，凭卓越的性能吸引着世界零部件供应商和新能源汽车行业的注意。近日，区内企业北汽蓝谷新能源科技股份有 ...
2020-9-3 08:59
碳化硅崛起前夜（下）
四2022年，有望成为碳化硅器件作为电动汽车主驱逆变器规模应用的起点。SiC在汽车领域的应用，来源：国通证券引用罗姆线上会议这一年我们将迎来8英寸SiC的量产以及更多车规级晶圆厂的量产。这一年也是传统车企的高端 ...
2020-9-2 14:46
碳化硅崛起前夜（上）
2019年，保时捷Taycan横空出世，首次将电动汽车的电压等级提升至800V，同时计划在2021年将充电功率提升至350kW水平。2020年，美国汽车制造商Lucid更是宣称其首款车型Lucid Air的平台电压将达到900V，最高充电功率可 ...
2020-9-2 14:40
2020年Q2的GaN射频器件产品最新进展
截至到六月底，Mouser在售GaN射频器件和功率放大器由6大厂家出品，共计451款。2020年Q2各厂家在售GaN功率产品数量较Q1增加39款。其中，GaN射频器件新增15款产品，GaN功率放大器新增27款产品，共计下架了3款产品。图1 ...
2020-9-2 14:27
SiC成本问题的两服解药
碳化硅（SiC）是一种由硅（Si）和碳（C）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，具有更高频、高效、耐高压、耐高温等特点。与Si器件相比，SiC被认为是一种超越Si极限 ...
2020-9-2 14:23
「成员风采」半导体所优秀成果展：重大科研进展
为庆祝中国科学院半导体研究所建所60周年，全方位展示研究所的60年发展历程，特举办中国科学院半导体研究所优秀成果展。文章来源：中科院半导体所
2020-9-1 13:48
三安到熔城百亿项目接连落地生根福建第三代半导体发展呈破浪之势
继2016年科技部、工信部、国家发改委等多部委出台多项对第三代半导体布局的政策后，福建省“紧跟潮流“出台了多项政策支持第三代半导体产业的发展。集微网消息，继2016年科技部、工信部、国家发改委等多部委出台多项 ...
2020-9-1 13:41
第三代半导体材料及应用联合创新基地领导到访西安电子科技大学
第三代半导体材料及应用联合创新基地领导到访西安电子科技大学
未来网高校频道8月28日讯（记者 杨子健 通讯员 关凯锋 王皎）8月27日，中关村顺义园产业发展处处长王政权、北京市科委新材料和新能源科技发展中心科技项目部部长潘长波等一行领导莅临西安电子科技大学国家工程研究中 ...
2020-8-31 13:24
斯达半导上半年净利增长25.30%，车规级SiC模块预计2021年大批量装车
集微网消息，8月27日，斯达半导发布2020年半年度报告。2020年上半年，斯达半导实现营业收入41,647.84万元，较2019年上半年同期增长13.65%，实现归属于上市公司股东的净利润8,067.11万元，较2019年上半年同期增长25.3 ...
2020-8-31 13:22
罗姆：第三代半导体材料承载5G基站电源“厚望”
相较于前面世代的通讯标准，5G的网速传输速度更快，且延迟更低、连结更广，5G带来的不仅是更强大的移动通讯功能，更将促成智慧城市各项应用。5G好处很多，然而基站的电源方案需要有新作法，氮化镓(GaN)等第三代半导 ...
2020-8-31 13:19
晶盛8英寸硅外延炉和6英寸碳化硅外延炉通过客户验收
第一时间最新披露，晶盛机电外延设备研究所自主研发的8英寸单片式硅外延炉和6英寸碳化硅外延炉（4英寸工艺）通过客户验收。▲ 8英寸单片式硅外延炉外延设备研究所成立于2017年底，沈文杰所长带领团队从外延工艺到调 ...
2020-8-28 11:32
解析碳化硅外延材料产业链
与传统硅功率器件制作工艺不同的是，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加 ...
2020-8-28 11:05
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