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联盟动态

南科大化梦媛团队揭示与氮化镓晶格匹配的GaON纳米层的形成机理及应用: 近日,南方科技大学电子与电气工程系助理教授化梦媛团队通过原位两步“氧化-重构”过程将GaN表面转化为氮氧化镓(GaON)外延纳米层，克服了这一关键挑战。这项工作以“Formation and Applications in Electronic Device ...; 2023-2-24 09:26

碳化硅湿法腐蚀工艺研究: 摘要碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性，是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料。得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点，湿法腐蚀已 ...; 2023-2-23 10:00

氧化镓技术工艺进展: 近来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮 ...; 2023-2-23 09:55

碳化硅功率器件封装关键技术: 摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大， ...; 2023-2-22 09:30

Microchip重金扩产碳化硅的助力与底气: Microchip加大对碳化硅的投入扩产并持续聚焦8英寸Microchip今日宣布计划投资8.8亿美元，以扩大美国科罗拉多州科罗拉多斯普林斯（Colorado Springs）的半导体厂，以应对未来数年的碳化硅 (SiC) 和硅 (Si) 芯片产能， ...; 2023-2-22 09:20

SiC MOSFET的状态监测: 本期主题：Condition Monitoring in Power Electronics报告作者：Dr Jose Ortiz Gonzalez来源：芯TIP; 2023-2-22 09:19

罗姆技术推陈出新，第4代碳化硅优势尽显: 碳化硅（SiC）材料具有优异的特性，用它制造的MOSFET器件在开关过程中不会产生拖尾电流，可高速运行并降低开关损耗；低导通电阻和小型芯片尺寸可以实现较低的电容和栅极电荷。此外，碳化硅还具有导通电阻很小的优异 ...; 2023-2-21 09:17

碳化硅功率器件和车规级应用: 宽禁带半导体技术创新联盟2023-02-20 17:26发表于北京来源：清新资本; 2023-2-21 09:05

泰克助力VisIC Technologies公司，推动电动汽车动力系统技术进步: 随着世界各国都在努力降低碳排量，电动汽车(EV)的市场容量正不断扩大。推动这一增长的关键因素将是最大限度地减少电动汽车动力系统的开关损耗，并通过使用更小、续航时间更长的电池来实现显著的效率提升。VisIC Tech ...; 2023-2-20 10:03

政策持续推动需求爆发，SiC在充电桩市场大有可为: 电动汽车发展正步入高速增长阶段。2023年开年，行业研究机构伊维经济研究院发布数据称，2022年，全球新能源汽车销量达到1082.4万辆，同比增长61.6%。其中，全球汽车销量的主要贡献来自中国。2022年，中国新能源汽车 ...; 2023-2-20 09:52

GaN垂直结构器件结终端设计: 摘要得益于优异的材料性能，基于宽禁带半导体氮化镓（GaN）的功率电子器件得到广泛关注与横向的高电子迁移率晶体管（HEMT）结构相比，垂直结构的 GaN 功率器件更易于实现高耐压和大电流，且其不被表面陷阱态影响，性 ...; 2023-2-20 09:47

Alpha and Omega Semi宣布达成SiC许可协议: AOS将向一家功率半导体汽车供应商授权、支持和供应其aSiC技术Alpha and Omega Semi（AOS）已与一家未具名的功率半导体汽车供应商就AOS的SiC MOSFET和二极管技术签订了许可协议。在协议中，AOS将为其专有的aSiC技术以 ...; 2023-2-20 09:42

第三代半导体何时迈向大硅片？: 随着新能源汽车、电力电网和5G通信等领域迅速发展，以SiC、GaN为代表的第三代半导体凭借着其在高压、高温、高频应用中的优势，逐渐显露出对硅基半导体的替代作用，被认为是半导体行业的重要发展方向。发展至今，硅晶 ...; 2023-2-17 11:23

芯塔电子：成为碳化硅功率器件和解决方案全球领航者的初心不变: 近年来，化合物半导体市场十分火热，备受关注。回首过去一年，我们共同见证了化合物半导体产业的波澜迭起、挑战丛生，但亦看到了我国化合物半导体的坚韧不拔、欣欣向荣。2023年，化合物半导体行业的发展前景如何？我 ...; 2023-2-17 10:13

氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要: NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”）功率开关。只有合理设计能够支持这种功率开关转换的印刷电路板 (PCB) ，才能实现实现高电压、高频率、 ...; 2023-2-17 10:10

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