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SiC MOSFET结构及特性: SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构，如图1所示。这种结构的特点是工艺简单，单元的一致性较好，雪崩能量比较高。但是，这种结构的中间，N区夹在两个P区域之间 ...; 2021-11-30 10:25

使用氮化镓(GaN)提高电源效率: 如今，越来越多的设计者在各种应用中使用基于氮化镓的反激式AC/DC电源。氮化镓之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源尺寸，降低工作温度。晶体管无论是由硅还是由氮化镓制成，都不是理想 ...; 2021-11-30 10:25

日本开发SiC新技术，能将缺陷降至原来的1%: 据日经报道，日本名古屋大学的宇治原彻教授等人开发出了利用人工智慧（AI）高精度制造新一代半导体使用的碳化硅（SiC）结晶的方法。这种方法能将结晶缺陷数量降至原来百分之一，提高了半导体生产的成品率。2021年6月 ...; 2021-11-30 10:24

信息技术助力碳中和，功率半导体看过来: 编者按：在今年3月召开的中央财经委员会第九次会议强调，我国力争2030年前实现碳达峰，2060年前实现碳中和。近日，《中共中央国务院关于完整准确全面贯彻新发展理念做好碳达峰碳中和工作的意见》发布，提出构建绿色 ...; 2021-11-30 10:24

一文看懂CMP技术: CMP全称为Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光，是半导体晶片表面加工的关键技术之一。其中单晶硅片制造过程和前半制程中需要多次用到化学机械抛光技术。与此前普遍使用的机械抛光相比，化学机械抛光能使硅 ...; 2021-11-29 16:09

氮化镓(GaN)功率半导体技术和模块式设计: 氮化镓(GaN)功率半导体技术和模块式设计的进步，使得微波频率的高功率连续波(CW)和脉冲放大器成为可能。通过减少器件的寄生元件，以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压，GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽 ...; 2021-11-29 16:08

布局第三代半导体的本土上市公司: 第三代半导体是以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体材料，它们具有耐高温、耐高压、高频率、大功率等特点，在提高能效、系统小型化、提高耐压等方面具有优势，是助力节能减排并实现“碳中和”目标的重要发展方向。国内在 ...; 2021-11-29 16:05

氮化镓“上车”机会: 氮化镓并非一个新概念，其分子式GaN，是一种直接能隙的半导体材料，自1990年起常用在发光二极管中。2019年，氮化镓作为第三代半导体的主要材料之一首次进入主流消费应用，并在2020年因小米发布会发布小米GaN充电器而 ...; 2021-11-29 16:05

碳化硅器件怎么组成逆变器？: 逆变器是动力总成系统的关键部件，它能够将存储在电池中的直流电能转换电机需要的交流电，还能在制动过程中将电动机回收的交流电转换为直流电提供给电池使用。电动汽车需要的逆变器数量取决于其使用的电动机数量，一 ...; 2021-11-26 16:43

动图真形象！一文看懂晶体缺陷: 根据晶体中结构不完整区域的形状及大小, 晶体缺陷常分为如下三类:01点缺陷①脱位原子一般进入其他空位或者逐渐迁移至晶界或表面，这样的空位通常称为肖脱基空位或肖脱基缺陷。②晶体中的原子有可能挤入结点的间隙， ...; 2021-11-26 16:41

2030年全球车用碳化硅功率模组市场规模将暴增1697％: 摘要：11月25日消息，随着市场的快速发展，带动车用功率模组（Power Module，PM）市场逐年扩大，2030 年市场规模预估将暴增4.6 倍，2030 年采用碳化矽（SiC）制功率半导体的SiC-PM 市场规模预估将飙增17 倍，超越采 ...; 2021-11-26 16:40

【标准推广】标准化服务业案例巡礼：优品标准认证助力电器质量提升: 优品标准认证助力电器质量提升中国电器科学研究院开展“京东阿里巴巴苏宁新兴商品产业标准联盟”及优品标准认证服务案例简介近年来，人民群众对高端产品的需求与现实电器生产水平产生了矛盾，催生了众多电饭煲、马桶 ...; 2021-11-26 16:40

环旭电子宣布投资氮化镓系统有限公司，加码功率电子战略: 11月24日，环旭电子的全资子公司环鸿电子股份有限公司与氮化镓系统有限公司（GaN Systems Inc.，简称“氮化镓公司”）签订了一份股份认购协议，并成为氮化镓公司新一轮融资的战略投资者。氮化镓公司是一家领先的功率 ...; 2021-11-26 16:38

基本半导体参与发起的国家5G中高频器件创新中心正式获批: 近日，从国家5G中高频器件创新中心新闻媒体通气会上传来喜讯：工业和信息化部正式批复同意深圳组建国家5G中高频器件创新中心。基本半导体是国家5G中高频器件创新中心创始股东单位之一。2019年3月，该创新中心依托公 ...; 2021-11-25 16:42

功率半导体深度报告: 来源:东亚前海证券作者：王刚; 2021-11-25 16:41

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