中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 › 新闻通知›联盟动态
订阅

联盟动态

苏州彰显科技担当｜工业园区新添国家第三代半导体技术创新中心
导语：科技自立自强是国家发展的战略支撑，是苏州工业园区高质量发展的立区之本。3月，园区喜讯频传，国家新一代人工智能创新发展试验区获批，国家生物药技术创新中心、国家第三代半导体技术创新中心双双落户，苏州 ...
2021-4-1 09:56
超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展
文章导读以 SiC /GaN 为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流， 超宽禁带半导体金刚石功率电子学将有可能成为下一代固态功率电子学的代表，目前金刚石半导体及器件最新进展如何？存在哪 ...
2021-4-1 09:56
碳化硅功率器件技术可靠性之材料篇
前言碳化硅产业链包含碳化硅粉末、碳化硅晶锭、碳化硅衬底、碳化硅外延、碳化硅晶圆、碳化硅芯片和碳化硅器件封装环节。其中衬底、外延片、晶圆、器件封测是碳化硅价值链中最为关键的四个环节，衬底成本占到碳化硅器 ...
2021-3-31 13:44
GaN纳米线晶体管在高电压下保持低温
EPFL团队的设计可以承受高电场和超过1000V的电压而不损坏瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）的工程师们提出了一种基于GaN纳米线的新型高效功率晶体管，用于高电压应用。他们的研究成果发表在《自然电子》上。除掉其他因素 ...
2021-3-31 13:41
碳化硅肖特基二极管的优势及应用
肖特基二极管，又称热载流子二极管，通过金属和半导体接触(肖特基接触)形成肖特基势垒，实现整流。与普通PN结二极管相比，肖特基二极管的反向恢复惯性非常低。因此，肖特基二极管适用于高频整流或高速开关。碳化硅（ ...
2021-3-31 13:40
SiC应用最大痛点：不谈技术，只谈成本（下）
这个5kW升压转换器（25kHz对100kHz）的真实案例研究表明，在电力电子应用中，磁性元件主要得益于较高的开关频率。一旦为SiC和IGBT方法选择了频率，就很容易计算升压LC值。首选策略是降低电感，从而降低扼流圈的成本 ...
2021-3-29 18:43
碳化硅如何能够提升开关电源设计？
谈起电源转换器的设计，诸如碳化硅（SiC）等宽禁带（WBG）技术是当今进行器件选择时的现实考虑。650V SiC MOSFET的推出使它们对于某些以前从没有考虑过的应用更具吸引力，这些器件在高效硬开关拓扑结构中表现出非常 ...
2021-3-29 09:24
全球首发！中国中车正式交付首列全碳化硅永磁直驱列车
3月24日，苏州市轨道交通3号线工程车辆全碳化硅永磁直驱列车全球首发活动在苏州市轨道交通3号线浒墅关车辆段举行。此辆列车采用第三代全碳化硅半导体技术，走行风冷永磁直驱电机，完全自主知识产权永磁直驱转向架， ...
2021-3-29 09:23
同光晶体，10亿元碳化硅项目封顶，8月投产
3月22日，根据同光晶体公司消息，其涞源碳化硅项目的厂房建设完成封顶，2021年8月项目一期将会投产，计划到2022年4月实现满产运行。据“三代半风向”了解，去年（2020年）3月22日，同光晶体与涞源县人民政府举行年产 ...
2021-3-29 09:22
SiC应用最大痛点：不谈技术，只谈成本（上）
提到碳化硅（SiC），人们的第一反应是其性能优势，如电气（更低阻抗/更高频率）、机械（更小尺寸）和热性质（更高运行温度），非常适合制造很多大功率电子器件；如果说到应用，大多数人都会说它成本太高，推广起来需 ...
2021-3-29 09:21
AlPN有望带来更好的GaN HEMT和GaN VCSEL
AlPN外延层的生长有望带来更好的HEMT和VCSEL名古屋大学与日本可持续发展材料系统研究所进行合作，并在生长AlPN第一外延层上有所突破。这种与GaN晶格匹配的三元体系有望改善GaN HEMT和VCSEL的性能。晶格匹配的AlPN可 ...
2021-3-26 09:56
纬湃科技斩获800伏碳化硅技术重大订单
德国雷根斯堡/中国上海，全球汽车电气化领域的领先供应商纬湃科技，近日斩获了一笔高达数亿欧元的新型高压部件订单。纬湃科技将首次为现代汽车集团的新型电动汽车平台量产800伏碳化硅逆变器。到目前为止，大多数电动 ...
2021-3-26 09:56
SiC正走在EV / HEV的红地毯上
Yole表示，在IGBT和SiC模块技术之争的推动下，2020年至2026年功率半导体市场将增长三倍。根据YoleDéveloppement的数据，预计到2026年，主逆变器市场将达到195亿美元,占整个EV / HEV转换器市场的67％，复合年增长率 ...
2021-3-26 09:55
全球厂商争霸第三代半导体
来源：财讯网第3代半导体是目前高科技领域最热门的话题，不只中国大陆想要这个技术，从欧洲、美国到中国台湾，所有人都在快速结盟，想在这个机会里分一杯羹。过去30年，台积电、联电擅长制造的逻辑IC，基本上都是以 ...
2021-3-25 09:13
SiC上生长AlN
AlN也是不错的材料，可以制造UV-LED。虽然AlN同样是通过PVT生长大单晶，但是现在商业化的尺寸为2英寸。所以，商用的生长AlxGa1-xN的衬底一般是Al2O3或者SiC，其中Al2O3在透过和成本上有优势。AlN的生长条件与SiC接近 ...
2021-3-25 09:10
1 ...93949596979899100101... 144下一页

相关分类

返回顶部