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联盟动态

SK集团以268亿韩元收购韩国唯一SiC设计、制造商33.6％股权
1月28日，韩国唯一可以设计和制造碳化硅（SiC）功率半导体的公司Yes Power Technix表示，已从SK集团获得268亿韩元投资，新资金将用于购买离子注入机等设备，SK集团将获得其33.6％的股权。该公司开发和生产SiC功率半 ...
2021-2-2 11:12
【1月汇编】2021年1月热点资讯汇编｜聚焦第三代半导体前沿
1、「天科合达」荣获2020年度中国科学院科技促进发展奖2021年1月15日，中国科学院2021年度工作会议在京召开，会议颁发了中国科学院2020年度各类科技奖项，北京天科合达公司和中国科学院物理研究所的“碳化硅晶体生长 ...
2021-2-2 11:11
工信部：海思、中芯国际等90家单位申请筹建全国集成电路标委会
1月28日，工信部官网消息，为统筹推进集成电路标准化工作，加强标准化队伍建设，有关单位提出了全国集成电路标准化技术委员会筹建申请，秘书处拟设在中国电子技术标准化研究院，公示期一个月。对外公开的委员单位包 ...
2021-2-1 09:46
半导体材料中的法拉利：GaN冲向2021
尽管20年前GaN晶体管以前处于大学研究项目阶段，但现在这些器件已在整个行业广泛采用，尤其是在2020年。由于GaN晶体管具有极高的电子迁移率，所以替代硅基FET只是时间问题。与基于硅的晶体管相比，这也使GaN具有较小 ...
2021-2-1 09:46
P型碳化硅衬底与IGBT
P型碳化硅衬底一般用于制作功率器件，比如绝缘栅双极型晶体管（IGBT，Insulate-Gate Bipolar Transistor）。IGBT= MOSFET+BJT，是一个非通即断的开关。MOSFET=IGFET(金属氧化物半导体场效应管，或者绝缘栅型场效应晶 ...
2021-1-29 17:00
第三代半导体行业“拐点”已至，上海瀚薪独创整合型碳化硅JMOSFET结构技术 | 专访
第三代半导体主要指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，它具有宽禁带、耐高压、耐高温、大电流、导热好、高频率等独特性能和优势。第三代半导体目前主要应用于电力电子器件、光电子器件、射频电子器件领域， ...
2021-1-29 16:58
Cree将改名Wolfspeed，全面拥抱SiC
今天早上，Cree在其官方微信号表示：“我们预计将于 2021 年底正式更名为Wolfspeed。我们的团队对于创新和超越可能极限的承诺将始终不变。作为碳化硅 SiC 产业的全球引领者，我们已经做好准备，在未来赋能实现开创性 ...
2021-1-29 16:57
比华为、中芯国际被制裁更深层的威胁？SEMI致信拜登政府究竟是好事还是坏事？
近两年来，在中美贸易战的大背景下，中兴、华为、中芯国际、海康威视、大华等中国各科技行业领先企业先后被美国政府制裁，给中国相关产业的发展造成巨大影响。但今天有一则消息被一些中国媒体认为将让中国芯片产业迎 ...
2021-1-28 10:19
创新纪录！纳微半导体宣布氮化镓芯片出货量超1300万颗，迅速扩张抢占200亿美金硅功率 ...
纳微氮化镓充电器获CES创新大奖，迅速扩张，抢占200亿美金硅功率半导体市场1月26日，纳微半导体（ Navitas Semiconductor ）正式宣布，其出货量创下最新纪录，已向市场成功交付超过1300万颗氮化镓（GaN）功率IC，实 ...
2021-1-28 10:18
氮化镓（GaN）的前世今生
目前第三代半导体材料主要有三族化合物半导体材料、碳化硅和氧化物半导体材料，其中三族化合物半导体常见的有氮化镓和氮化铝；氧化物半导体材料主要有氧化锌、氧化镓和钙钛矿等。第三代半导体材料禁带宽度大，具有击 ...
2021-1-28 10:18
Yole：半导体市场将在2021年强势复苏
自COVID-19爆发以来，这个病毒已经在全造成超过200万人死亡和巨大的经济损失，半导体行业也在的在世界范围内也受到严重影响。那么半导体行业的经济活动和市场需要多长时间才能恢复？国际货币基金组织（IMF）于2020年 ...
2021-1-27 11:57
新能源汽车的续航问题靠什么来拯救
向新能源方向靠拢已经成为了汽车行业发展的重要趋势之一。但新能源汽车的续航问题一直被市场所诟病，这也成为了新能源汽车发展的阻力。电动汽车电池管理系统(BMS)对于新能源车来说是重要的一个系统，他是用来连接车 ...
2021-1-26 17:24
硅的8倍？利用蓝宝石生长氧化镓制备出超宽禁带半导体
1月8日的科学进展（ScienceAdvances）期刊发布了康奈尔大学的一项合作发现，利用蓝宝石生长氧化镓，生成α-铝镓氧化物超宽禁带半导体，其带隙扩展到几乎是硅的8倍。在蓝宝石衬底上生长的α-铝-镓氧化物的示意图这篇 ...
2021-1-26 17:23
湖南三安第三代半导体芯片厂房封顶，预计今年6月试投产
1月19日，湖南三安半导体项目最大单体M2B芯片厂房顺利完成封顶，该栋厂房占地面积2.36 万平方米、建筑面积5.23 万平方米，钢构大屋面面积为1.65 万平方米。此次封顶标志着这座湖南省境内的首个第三代半导体产业园项 ...
2021-1-25 10:46
英诺赛科与ASML签署合作协议，批量采购ASML光刻机
英诺赛科与ASML签署合作协议2021年1月21日，中国珠海-英诺赛科科技有限公司和ASML公司达成批量购买高产能i-line和KrF光刻机的协议，用于制造先进的硅基氮化镓功率器件。全球领先的硅基氮化镓集成器件制造商英诺赛科 ...
2021-1-25 10:37
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