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联盟动态

【联盟动态】APCSCRM2018会议特刊（Diamond and Related Materials/IF：2.56）在线发 ...: APCSCRM 2018会议特刊（Diamond and Related Materials）已成功在线发表！ 2018年亚太碳化硅及相关材料（GaN, Ga2O3, AlN, 金刚石等）国际会议已于2018年7月10日-11日于北京成功召开。本届会议共吸引了十余个国家和 ...; 2019-4-9 10:20

【联盟动态】中国半导体检测论坛（第二届）圆满举办成功: 中国半导体检测论坛（第二届）于2019年3月29日在石家庄科林电气召开，来自46家科研机构、高校及企业，近100名专家及企业代表参加了会议，共同探讨IGBT及SiC半导体功率器件的检测技术及产业发展大计。大会由中关村天 ...; 2019-4-9 10:13

【联盟动态】宽禁带联盟顺利参展SEMICON China 2019: 2019年3月22日，SEMICON China 国际半导体展在上海新国际博览中心圆满落幕。中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“联盟”）作为围绕宽禁带半导体产业全产业链技术创新的社会团体法人单位参加了本次展会， ...; 2019-3-28 09:14

你准备好迎接第三代半导体时代了吗: 来源：半导体行业观察因为拥有宽禁带、高击穿电场、高热导率、电子迁移率以及抗辐射特性，以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件自被提出以来，就受到了产业界的广泛关注，也有不少厂商在上面进行了深入的探索。经历了 ...; 2019-3-26 10:29

半导体材料发展: 来源：ICisC 南京集成电路产业服务中心现代世界里，没有人可以说自己跟“半导体”没有关系。半导体听起来既生硬又冷冰冰，但它不仅是科学园区里那帮工程师的事，你每天滑的手机、用的电脑、看的电视、听的音响，里面 ...; 2019-3-18 09:35

关于MOS管失效，说白了就这六大原因: 来源：可靠性技术交流MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成 ...; 2019-3-18 09:31

碳化硅SiC功率器件在电动汽车中的研究与应用: 来源：驱动世界电动汽车的电动机是有源负载，其转速范围很宽，且在行驶过程中需要频繁地加速和减速，工作条件比一般的调速系统要复杂，因此，其驱动系统是决定电动汽车性能的关键所在。随着电动汽车的发展，对电力电 ...; 2019-3-15 10:08

【APCSCRM2018期刊论文六】应力诱导曲率对4H-SiC MOS平带电压和界面态密度的影响: 点击下载原文：Influence on curvature induced stress to the flatband voltage and interface.pdf应力诱导曲率对4H-SiC MOS平带电压和界面态密度的影响碳化硅（SiC）上的栅氧化膜会严重影响SiC金属氧化物半导体场 ...; 2019-3-14 15:29

【APCSCRM2018期刊论文四】基于简单支架的多片4H-SiC化学气相沉积同质外延生长: 点击下载文章：Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple.pdf基于简单支架的多片4H-SiC化学气相沉积同质外延生长虽然在商用化学气相沉积设备中可以在一次运行中实现多片4H-SiC衬底的同 ...; 2019-3-8 12:40

摩尔定律终结？下一代芯片技术发展的出路在哪里？「碳」或许能给我们答案: （图片来源：neatoshop.com）摩尔定律摩尔定律摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将 ...; 2019-3-6 09:24

大功率器件——《从PowerMOS到IGBT》: 来源：图灵电子大功率器件——《从PowerMOS到IGBT》电的发现是人类历史的革命，由它产生的动能每天都在源源不断的释放，人对电的需求不亚于人类世界的氧气，如果没有电，人类的文明还会在黑暗中探索。然而在电力电子 ...; 2019-3-6 09:21

化合物半导体磊晶市场剖析: 来源：工商时报传统硅半导体因自身发展局限，以及摩尔定律的限制，需寻找下一世代半导体材料，而化合物半导体材料的高电子迁移率、直接能隙与宽能带等特性，恰好符合未来半导体发展所需，终端产品趋势将由5G通讯、车 ...; 2019-3-5 09:28

【APCSCRM2018期刊论文三】4H-SiC衬底表面台阶宽度对GaN晶体质量的影响: 点击下载原文：Influence of surface step width of 4H-SiC substrates on the GaN crystal.pdf4H-SiC衬底表面阶梯宽度对GaN晶体质量的影响本篇文章中，将GaN薄膜生长在具有不同表面阶梯宽度的4H-SiC衬底上，并且通 ...; 2019-3-1 16:52

浅析：5G浪潮下，射频功率放大器产业发展: 来源：材料深一度导读5G技术涵盖毫米波频率和大规模阵列天线的运用，带宽、时延、同步等性能全面提升，对高功率、高性能、高密度的射频元件需求不断增加。GaN功率放大器以其高击穿电压、高功率、大带宽、高效率等优 ...; 2019-2-27 09:26

厚4H-SiC外延层快速同质外延生长和缺陷降低技术的改进: 点击下载原文：Improvement of fast homoepitaxial growth and defect reduction techniques.pdf厚4H-SiC外延层快速同质外延生长和缺陷降低技术的改进本篇文章中，通过生长条件的优化，以85μm/ h的高生长速率中获得 ...; 2019-2-26 17:33

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