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联盟动态

红旗首款全国产塑封2in1碳化硅功率模块A样件完成试制
红旗首款全国产塑封2in1碳化硅功率模块A样件完成试制
近日从官方渠道获悉,红旗研发总院新能源开发院功率电子开发部与中国电子科技集团第55研究所联合开发的红旗首款全国产电驱用1200V塑封2in1碳化硅功率模块A样件试制完成,达成电驱用碳化硅功率半导体设计与生产全自主 ...
2023-4-10 13:20
聊了20多家SiC产业链的公司,说说我的看法!
聊了20多家SiC产业链的公司,说说我的看法!
文/编辑 |狙击手Lucas封面来源 |网络说在前面2022年下半年集中将SiC半导体产业链又看了一遍,访谈企业20余家,涉及衬底、外延、Foundry、器件设计、模组、设备等环节。一直想将所见、所闻、所思、所想系统地整理成文 ...
2023-4-10 13:13
安森美 | 碳化硅芯片的设计和制造
安森美 | 碳化硅芯片的设计和制造
众所周知,对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有 ...
2023-4-7 09:09
SiC | 英飞凌与Infinitum合作开发可持续性轻型空心电机
SiC | 英飞凌与Infinitum合作开发可持续性轻型空心电机
英飞凌将在新技术合作中提供CoolSiC MOSFET和其他半导体英飞凌科技股份公司(FSE 代码:IFX / OTCQX 代码:IFNNY)在 APEC 2023 (美国应用能源电子展)上宣布将与Infinitum 携手合作。这是一家创造了可持续、突破性空 ...
2023-4-7 09:07
Yole 中国引领氮化镓功率器件,未来应用电信/数据通信和汽车领域
Yole 中国引领氮化镓功率器件,未来应用电信/数据通信和汽车领域
Yole 观点 | 中国引领氮化镓功率半导体消费器件,推动此类产品未来应用于电信/数据通信和汽车领域随着宽禁带材料开始在功率电子领域取代硅,氮化镓在消费市场站稳脚跟,这将在今后几年里带来这类材料在功率器件市场 ...
2023-4-7 09:06
碳化硅和IGBT并行不悖,新能源汽车功率器件怎么配?
碳化硅和IGBT并行不悖,新能源汽车功率器件怎么配?
近期,特斯拉宣布将大砍碳化硅用量75%的消息冲上了热搜。这一消息,也让业内对于碳化硅究竟能否替代IGBT在新能源汽车中的地位,产生了怀疑。曾被“捧上天”的碳化硅是否真的要“跌落神坛”?碳化硅在新能源汽车领域 ...
2023-4-6 09:35
碳化硅市场的低调赢家
碳化硅市场的低调赢家
半导体制造是现代的炼金术过程,是一种复杂的舞蹈,需要数千家公司和数万个工艺步骤的和谐同步。由于其复杂性,良率是该行业超过1000亿美元的问题。因此,制造过程包含持续不断的关键状态检查流,以支持人类创造的最 ...
2023-4-6 09:34
​氧化镓打开芯片大战新篇章!
​氧化镓打开芯片大战新篇章!
氧化镓打开芯片大战新篇章!2023-04-06 09:07·宽禁带联盟氧化镓是一种很有前途的材料,可用于制造用于电动汽车和其他应用的更高效的功率器件。引人注目的是,该领域领先的美国公司的一个主要投资者是美国国防部。正 ...
2023-4-6 09:32
功率器件的新欢与旧爱:SiC MOSFET与Si IGBT
功率器件的新欢与旧爱:SiC MOSFET与Si IGBT
现代功率半导体技术飞速发展至今,硅基功率半导体器件性能已逼近其材料极限。Si IGBT作为主流的硅基功率开关器件,其具有低导通损耗及低成本的优势,但高开关损耗限制了其在高开关频率、高功率密度变换器中的应用。 ...
2023-4-4 09:29
缺陷密度对4H-SiC衬底力学特性的影响
缺陷密度对4H-SiC衬底力学特性的影响
介绍结构扩展和点状缺陷的存在不仅会从电气角度影响SiC器件的性能,还会从机械角度影响SiC器件的性能。众所周知,SiC缺陷不利于电气可靠性和性能;它们对设备机械产量的影响没有得到适当的研究。在这方面,研究4H-SiC ...
2023-4-4 09:19
采用氮化镓IC的电动助力转向
采用氮化镓IC的电动助力转向
在现代汽车中,增加的重量和更宽的前轮胎使无辅助转向变得不切实际,因为对操作员的阻力增加。因此,几年前,采用了电动助力转向。一开始,对驾驶员的辅助是通过液压系统完成的,并且始终运行的泵用于为回路中使用的 ...
2023-4-4 09:17
三星电子计划投资8英寸SiC功率半导体:已经投入5-10亿元
三星电子计划投资8英寸SiC功率半导体:已经投入5-10亿元
3月30日新闻,据韩媒THELEC报道称,三星电子正在推进设备投资,以开发8英a寸SiC/GaN工艺。据了解,迄今为止完成的投资仅在 1000 亿至 2000 亿韩元之间(折合人民币5.3亿-10.6亿元)。该行业正在寻找一个可以超越简单 ...
2023-4-3 09:28
超高速氮化镓控制芯片
超高速氮化镓控制芯片
通过将脉冲宽度减小到2ns,罗姆称其可以使用单个电源IC将高达60V的电压降到低至0.6V的低电压。罗姆开发了超高速控制 IC 技术,以最大限度地提高 GaN 和其他高速开关器件的性能。近年来,GaN器件因其优异的高速开关特 ...
2023-4-3 09:23
西电芜湖研究院宽禁带半导体器件试制线成功通线
西电芜湖研究院宽禁带半导体器件试制线成功通线
3月25日,西电芜湖研究院举办宽禁带半导体器件试制线通线仪式,中国科学院院士郝跃,芜湖市人民政府副市长朱的娥出席活动并致辞。朱的娥对西电芜湖研究院试制线成功通线表示祝贺。朱的娥表示,试制线成功通线是西芜 ...
2023-3-31 09:41
从美国总统访问Wolfspeed,看美日欧SiC扩产潮
从美国总统访问Wolfspeed,看美日欧SiC扩产潮
3月28日,Wolfspeed官网发文称,美国总统的“投资美国”之旅的第一站美视察了Wolfspeed总部,足见美国政府对碳化硅这一汽车关键材料和部件的重视。某种程度上,央视今年大年初一报道天科合达,也体现了对中国对碳化 ...
2023-3-31 09:39

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