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联盟动态

SiC MOSFET的设计挑战——如何平衡性能与可靠性: 碳化硅（SiC）的性能潜力是毋庸置疑的，但设计者必须掌握一个关键的挑战：确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。先进的器件设计都会非常关注导通电阻，将其作为特定技术的主要基准参数。然而，工程师们必 ...; 2023-4-11 10:14

氧化镓商业化，迈出重要一步: 日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）4月6日宣布，作为NEDO推动的“战略节能技术创新计划”的一部分，Novel Crystal Technology正在致力于β-Ga2O3肖特基势垒二极管的商业化开发。宣布已成功确认氧化镓 (β-Ga2O3 ...; 2023-4-11 10:08

联盟动态 | 促进产业融合创新，“微芯”硬科技项目交流会成功举办: 4月7日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟联合中国工商银行北京翠微支行、北京海淀区人民政府八里庄街道办、国家工业信息安全发展研究中心数据资源所、米格实验室、中关村产业技术联盟联合会共同组织的“微芯” ...; 2023-4-11 10:00

氮化镓应用拓展加速，从快充跨步到数据中心: 在厂商的推广和终端产品的面世后，氮化镓器件的优势大家也都有所耳闻了。更快的开关速度省去了更多的无源器件，从而实现了更小的体积和更低的成本；更小的开关损耗使得系统的能效做得更高，以及耐高温、耐辐射等特性 ...; 2023-4-10 13:23

日本电装首款SiC逆变器“上车”雷克萨斯: 3月31日，汽车零部件供应商日本电装（Denso Corp.）宣布已开发首款SiC碳化硅逆变器，该逆变器集成在BluE Nexus的电驱模块eAxle中，已应用到最近刚上市的雷克萨斯首款电动汽车RZ上。Source：电装据介绍，日本电装逆变 ...; 2023-4-10 13:21

红旗首款全国产塑封2in1碳化硅功率模块A样件完成试制: 近日从官方渠道获悉，红旗研发总院新能源开发院功率电子开发部与中国电子科技集团第55研究所联合开发的红旗首款全国产电驱用1200V塑封2in1碳化硅功率模块A样件试制完成，达成电驱用碳化硅功率半导体设计与生产全自主 ...; 2023-4-10 13:20

聊了20多家SiC产业链的公司，说说我的看法！: 文/编辑 |狙击手Lucas封面来源 |网络说在前面2022年下半年集中将SiC半导体产业链又看了一遍，访谈企业20余家，涉及衬底、外延、Foundry、器件设计、模组、设备等环节。一直想将所见、所闻、所思、所想系统地整理成文 ...; 2023-4-10 13:13

安森美 | 碳化硅芯片的设计和制造: 众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有 ...; 2023-4-7 09:09

SiC | 英飞凌与Infinitum合作开发可持续性轻型空心电机: 英飞凌将在新技术合作中提供CoolSiC MOSFET和其他半导体英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）在 APEC 2023 (美国应用能源电子展)上宣布将与Infinitum 携手合作。这是一家创造了可持续、突破性空 ...; 2023-4-7 09:07

Yole 中国引领氮化镓功率器件，未来应用电信/数据通信和汽车领域: Yole 观点 | 中国引领氮化镓功率半导体消费器件，推动此类产品未来应用于电信/数据通信和汽车领域随着宽禁带材料开始在功率电子领域取代硅，氮化镓在消费市场站稳脚跟，这将在今后几年里带来这类材料在功率器件市场 ...; 2023-4-7 09:06

碳化硅和IGBT并行不悖，新能源汽车功率器件怎么配？: 近期，特斯拉宣布将大砍碳化硅用量75%的消息冲上了热搜。这一消息，也让业内对于碳化硅究竟能否替代IGBT在新能源汽车中的地位，产生了怀疑。曾被“捧上天”的碳化硅是否真的要“跌落神坛”？碳化硅在新能源汽车领域 ...; 2023-4-6 09:35

碳化硅市场的低调赢家: 半导体制造是现代的炼金术过程，是一种复杂的舞蹈，需要数千家公司和数万个工艺步骤的和谐同步。由于其复杂性，良率是该行业超过1000亿美元的问题。因此，制造过程包含持续不断的关键状态检查流，以支持人类创造的最 ...; 2023-4-6 09:34

氧化镓打开芯片大战新篇章！: 氧化镓打开芯片大战新篇章！2023-04-06 09:07·宽禁带联盟氧化镓是一种很有前途的材料，可用于制造用于电动汽车和其他应用的更高效的功率器件。引人注目的是，该领域领先的美国公司的一个主要投资者是美国国防部。正 ...; 2023-4-6 09:32

功率器件的新欢与旧爱：SiC MOSFET与Si IGBT: 现代功率半导体技术飞速发展至今，硅基功率半导体器件性能已逼近其材料极限。Si IGBT作为主流的硅基功率开关器件，其具有低导通损耗及低成本的优势，但高开关损耗限制了其在高开关频率、高功率密度变换器中的应用。 ...; 2023-4-4 09:29

缺陷密度对4H-SiC衬底力学特性的影响: 介绍结构扩展和点状缺陷的存在不仅会从电气角度影响SiC器件的性能，还会从机械角度影响SiC器件的性能。众所周知，SiC缺陷不利于电气可靠性和性能;它们对设备机械产量的影响没有得到适当的研究。在这方面，研究4H-SiC ...; 2023-4-4 09:19

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