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国内首家！厦门大学实现8英寸碳化硅外延生长: 近日，厦门大学成功实现了8英寸（200 mm）碳化硅（SiC）同质外延生长，成为国内首家拥有并实现该项技术的机构。作为第三代半导体的主要代表之一，碳化硅与硅相比，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率 ...; 2023-3-20 09:19

中国功率半导体，开启黄金十年: 随着国内功率半导体厂商对相关产品的持续研发，以及国外巨头的产能不断扩张，功率半导体如今已成为竞争激烈的“红海市场”。功率半导体的功能主要是对电能进行转换，对电路进行控制，改变电子装置中的电压和频率，直 ...; 2023-3-17 10:02

碳化硅市占率剑指30%！英飞凌预计到2027年SiC产能将增加10倍: 3月14日，德国汽车芯片供应商英飞凌举行了“数字低碳、制胜未来”媒体交流会。乘着低碳化、数字化的东风，2022财年英飞凌全球总营收创历史新高，达到142.18亿欧元。利润也攀升至33.78亿欧元，利润率达到23.8%。其中 ...; 2023-3-17 09:55

高压碳化硅 IGBT 器件的电学特性: 摘要借助计算机辅助设计技术(TCAD)仿真并结合基础物理建模，对SiCn和p沟道IGBT器件的电学特性进行比较研究。研究表明，在小电流密度下，n-IGBT电导调制效应较强，并具有较低的通态压降。而在较大的正向偏置电压下，p ...; 2023-3-17 09:25

最新碳化硅器件产能量产情况与下游终端应用进展分析: 随着技术进步，未来碳化硅器件的价格有望持续下降，其行业应用将快速发展。汽车是碳化硅器件的第一大应用市场，当前全球新能源汽车头部厂商正在逐渐采用导电型碳化硅功率器件，新一轮产业机会即将爆发。碳化硅，化学 ...; 2023-3-17 09:16

三菱电机宣布，投资建8吋SiC工厂，产能提高五倍: 三菱电机公司日前宣布，将在截至2026 年 3 月的五年内将之前宣布的投资计划翻一番，达到约 2600 亿日元，主要用于建设新的晶圆厂，以增加碳化硅 (SiC) 功率半导体的生产。根据该计划，三菱电机预计将响应快速增长的 ...; 2023-3-16 09:36

氧化镓晶体生长方法的选择: 两种用于生产β-Ga2O3的最常用技术——提拉法和导模法的优缺点是什么？作者：Jani JESENOVEC和John McCloy，华盛顿州立大学超宽带隙材料，如Ga2O3、AlN和金刚石，具有非常高的本征击穿电场，这使它们成为处理高功率 ...; 2023-3-16 09:28

罗姆确立新技术，更好地激发GaN等高速开关器件性能: 近日，罗姆（ROHM）宣布确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。Source：罗姆近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责 ...; 2023-3-16 09:22

泰科天润 | 碳化硅动态特性测试的最后一道坎：测量点间寄生参数: 　　会议PPT来源：2023新型功率器件参数检测、可靠性及失效分析研讨会高远现任泰科天润应用测试中心总监。中国电工技术学会电力电子专业委员会高级会员及青年工程师工作组委员，第三代半导体产业技术创新战略联盟产 ...; 2023-3-16 09:20

【联盟活动】| 欢迎参加 3月16日“新一代半导体”沙龙活动: 在北京市科学技术委员会、中关村科技园区管理委员会的指导下，北京科技成果转化服务中心主办、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟等单位承办以“科技+行业”为主题的中关村“火花”活动系列沙龙，该系列沙龙旨在搭 ...; 2023-3-15 10:27

三代半“上车”！国星光电SiC-SBD通过车规级认证: 近日，国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证，并获得AEC-Q101车规级认证。这标志着国星光电第三代半导体功率器件产品从工业领域向新能源汽车领域迈出坚 ...; 2023-3-15 10:22

高温溶液法生长 SiC 单晶的研究进展: 摘要碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，不仅禁带宽度较大，还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性，在高温、高频、高功率电力电子器件和射频器件中有很好的应用潜 ...; 2023-3-15 09:46

重磅！国家自然科学基金十四五规划发布含宽禁带半导体等115项优先发展领域: 近日，从国家自然科学基金委员会获悉，《国家自然科学基金“十四五”发展规划》已正式公布，共计21个章节，完整的阐明了国家自然科学基金委十四五期间的发展方向与相关理念，其中值得注意的是，本次公布了完整的115 ...; 2023-3-15 09:41

超40亿！这家公司SiC衬底产能将扩大17倍: 据韩媒3月10日报道，有消息称，SK siltron Inc.计划斥资6.4亿美元（约合人民币44.59亿元）在2025年之前将SiC碳化硅晶圆产能扩大17倍。据化合物半导体市场了解，2020年3月，SK siltron收购了美国杜邦（DuPont）的SiC ...; 2023-3-14 10:33

氧化镓材料与功率器件的研究进展: 氧化镓（Ga2O3）以其禁带宽度大、击穿场强高、抗辐射能力强等优势，有望成为未来半导体电力电子领域的主力军。相比于目前常见的宽禁带半导体SiC和GaN，Ga2O3的Baliga品质因数更大、预期生长成本更低，在高压、大功率 ...; 2023-3-14 10:32

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