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联盟动态

等离子抛光工艺助力SiC技术变革:为高品质外延级SiC开发的经济、高效、可持续性表面处 ...
专业的SiC抛光新技术具有更低的成本,可提供外延级表面且不影响其自身性能。作者:Grant Baldwin, 牛津仪器等离子技术部伊隆·马斯克(Elon Musk)不是一个循规蹈矩的企业家。相反,他一边引领着商业太空竞赛,一边在 ...
2023-1-5 11:37
2022年度国内十大半导体新闻
2022年度国内十大半导体新闻
2023-1-5 11:33
清纯半导体·年末专访 | 2022实现数千万营收、光伏行业批量供货、预计2023车用主驱芯 ...
清纯半导体·年末专访 | 2022实现数千万营收、光伏行业批量供货、预计2023车用主驱芯  ...
本期我们邀请到碳化硅市场“新秀”--清纯半导体。一起来聊聊清纯半导体2022的碳化硅“故事”,以及公司对2023年的规划与准备。
2023-1-5 11:16
中国的碳化硅:“脱钩时代”的典型代表
中国的碳化硅:“脱钩时代”的典型代表
来源:SICC在蓬勃发展的电动汽车需求和半导体自给自足的长期目标的推动下,中国致力于发展基于碳化硅 (SiC) 的电力电子产品。中国超越西方碳化硅供应商的计划是什么?问题来了:中国的碳化硅“玩家”有哪些?中国在 ...
2022-12-14 15:13
【APCSCRM 2022】第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议在江苏徐州顺利召开
【APCSCRM 2022】第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议在江苏徐州顺利召开
2022年11月15日,第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议暨首届第三代半导体徐州金龙湖峰会在江苏徐州隆重开幕。本次会议共有来自德国、美国、日本、中国等三十余位行业顶尖专家、企业家以及学术代表通过线上和线下的形 ...
2022-11-18 20:51
【APCSCRM 2022】会议手册
【APCSCRM 2022】会议手册
2022-11-17 16:49
MOS与IGBT在新能源车、光伏等领域需求
MOS与IGBT在新能源车、光伏等领域需求
核心观点:1.下半年MOS与IGBT在新能源车、光伏等领域需求继续维持高增长趋势,其中新能源车进入年终消费旺季,欧洲在俄乌冲突影响下对光伏需求不减,均带动功率器件需求Q4持续旺盛;消费类需求目前仍疲软,但Q4下滑 ...
2022-10-20 10:16
Si沟槽IGBT & SiC MOSFET
Si沟槽IGBT & SiC MOSFET
*Vol.123报告主题:Si沟槽IGBT SiC MOSFET报告作者:Marina Antoniou报告内容包含:(具体内容详见下方全部报告内容)背景• 汽车应用的要求• 汽车应用对功率器件芯片的要求Si Trench IGBT技术• ...
2022-10-20 10:15
具有最先进的高射频功率密度的(001)金刚石上的氢端金刚石MOSFET
具有最先进的高射频功率密度的(001)金刚石上的氢端金刚石MOSFET
金刚石具有良好的电学和热学性能,被认为是高频、大功率电子器件的终极半导体材料,金刚石场效应晶体管(FET)具有广阔的应用前景。高频大功率电子器件基本上要求具有低缺陷密度的晶圆级单晶半导体材料。金刚石(0 0 ...
2022-10-20 10:14
​汽车动力总成系统如何提升驾驶体验 牵引逆变器从IGBT向碳化硅转变
​汽车动力总成系统如何提升驾驶体验 牵引逆变器从IGBT向碳化硅转变
电子发烧友网报道(文/李宁远)就像许多手机用户会有续航焦虑症一样,在电动汽车像智能手机一样普及的今天,许多电动汽车用户患上了里程焦虑症,总是希望电动汽车拥有更高的驾驶性能和更长的续航里程。想要延长车辆 ...
2022-10-20 10:11
2022中国氮化镓行业概览
2022中国氮化镓行业概览
来源:头豹研究院 刘冠卓
2022-10-20 10:10
HexaTech投资100mm AlN衬底项目
HexaTech投资100mm AlN衬底项目
该计划针对商业光电和功率/射频器件的需求HexaTech宣布加速其直径为100毫米的单晶氮化铝(AlN)衬底产品开发计划。据该公司称,该计划在过去一年中一直处于开发的早期阶段,将在人力资源和资本支出方面进行大量投资 ...
2022-10-20 10:09
国家第三代半导体技术创新中心(山西)迈入实际运行阶段
国家第三代半导体技术创新中心(山西)迈入实际运行阶段
“在国创中心建设的基础上,要将第三代半导体作为我省首批十大产业链之一,实现山西区域中心对技术链条及产业链条的带动作用。”10月11日,作为国家第三代半导体技术创新中心(山西)的牵头建设单位,中国电子科技集 ...
2022-10-14 10:05
碳化硅(Silicon Carbide,SiC)功率器件封装关键技术
碳化硅(Silicon Carbide,SiC)功率器件封装关键技术
二十多年来,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作为一种宽禁带功率器件,受到人们越来越多的关注。与硅相比,碳化硅具有很多优点,如:碳化硅的禁带宽度更大,这使碳化硅器件拥有更低的漏电流及更高的工作温度,抗辐照能 ...
2022-10-14 10:00
中山大学研究团队在宽禁带压电半导体材料领域取得重要进展
中山大学研究团队在宽禁带压电半导体材料领域取得重要进展
背景介绍随着5G技术的兴起和普及,如何合理和高效的使用不同通讯频段受到了越来越多的关注。现阶段可供使用的通讯频段已超过30个,且其数量随着无线通信技术的发展还将继续增长,因而射频滤波器在无线通信技术中扮演 ...
2022-10-14 09:59

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