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联盟动态

安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 静态特性分析: SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利 ...; 2023-6-20 09:46

金刚石宽禁带半导体带来的革命性变革：金刚石基GaN！: 材料往往因特定优势而闻名。金刚石正因为在室温下具有最高的热导率（2000W/m.K)，兼具带隙宽、击穿场强高、载流子迁移率高、耐高温、抗酸碱、抗腐蚀、抗辐照等优越性能，而在高功率、高频、高温领域有至关重要的应用 ...; 2023-6-20 09:40

恭喜！广东芯粤能碳化硅晶圆芯片生产线进入量产阶段！: 近期，广东芯粤能半导体表示其车规级SiC芯片产线已经进入量产阶段，包括1200V、16毫欧/35毫欧等一系列车规级和工控级碳化硅芯片产品，各方面测试数据良好，陆续交付多家主机厂和客户送样验证。目前已签约COT客户10余 ...; 2023-6-20 09:34

江铃汽车的全新纯电SiC车型上市，首发订单破10000辆！: 6月15日，江铃汽车在上海举行了“江铃乐行新能源品牌”发布会，正式开启新能源领域新征程。同时，江铃汽车的全新纯电SiC轻卡——江铃乐行E路达正式全球首发上市。现场，江铃汽车党委书记、第一执行副总裁金文辉，福 ...; 2023-6-19 13:55

英飞凌会去美国建SiC厂吗？: 近日，德国碳化硅大厂——英飞凌透露，他们正在考虑去美国建工厂。而此前，另一家德国碳化硅企业——博世也宣布去美国生产碳化硅。2家德国巨头的举措绝非巧合，本文将与大家一同拨茧抽丝，探讨美国是如何通过“胡萝 ...; 2023-6-19 13:44

国产SiC，一些好消息！: 近年来，随着新能源和智能化需求的增长，对SiC材料的需求呈现出井喷式增长的态势，根据Yole的最新预测，到2027年，SiC器件市场预计将从2021年的10亿美元增长到60 亿美元以上。而中国市场成为全球SiC产业发展的重要引 ...; 2023-6-16 09:28

800V电驱动系统详细解析: 前言交通运输行业的全球电气化需要开发高效且具有成本效益的电气化动力系统解决方案。牵引系统中 800 V 的应用实现了快速充电的优势，并可以减少导体的横截面积以降低重量和成本。由于电池仍然是电驱动系统的最主要 ...; 2023-6-16 09:25

1200V氮化镓挑战SiC是否真的可行？: 在全球最大的电力电子展 PCIM Europe 2023 上，旨在以类似硅的成本实现垂直 GaN（氮化镓）功率晶体管的欧洲财团 YESvGaN 介绍了其方案。近年来，SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等宽带隙（WBG）功率半导体的开发和市场 ...; 2023-6-16 09:23

长一片合格的8英寸碳化硅衬底！: 从实际情况上看，目前多数SiC都采用的4英寸、6英寸晶圆进行生产，而6英寸和8英寸的可用面积大约相差1.78倍，这也就意味着8英寸制造将会在很大程度上降低SiC的应用成本。但为什么目前市场上主流还是6英寸碳化硅衬底？ ...; 2023-6-16 09:18

240W、双端口，SiC风靡充电桩领域: 近日，碳化硅技术在充电桩领域新增了2桩应用案例：● Blink Charging：新品240kW直流快速充电器采用了SiC技术，即将上市。● MEDCOM：EBC-B-150S是波兰首款采用SiC技术的电动巴士双向充电器，符合 V2G（车辆到电网） ...; 2023-6-15 10:05

【产业新闻】正在扬帆启航的氧化镓: 绕道摩尔定律，中科院研究员探索半导体的“杂交水稻”技术当前，集成电路主要采用硅作为衬底材料。但与硅相比，磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga₂O₃）等化合物半导体具有更丰富的能带结构和更 ...; 2023-6-15 09:56

技术分享 | 碳化硅晶圆划片技术: 碳化硅是宽禁带半导体器件制造的核心材料，SiC 器件具有高频、大功率、耐高温、耐辐射、抗干扰、体积小、重量轻等诸多优势，是目前硅和砷化镓等半导体材料所无法比拟的，应用前景十分广阔，是核心器件发展需要的关键 ...; 2023-6-15 09:54

科研成果| 具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗氧化镓纵向FinFET: 近日，电子科技大学功率集成技术实验室罗小蓉团队在氧化镓器件的续流能力方提出一种具有低反向导通损耗的氧化镓纵向FinFET，并以“Low Reverse Conduction Loss β-Ga2O3 Vertical FinFET with an Integrated Fin Di ...; 2023-6-15 09:38

奠基、开建、补贴！意法/安森美/Wofspeed SiC工厂新进展: 意法半导体：重庆SiC厂正式奠基近日，意法半导体和三安光电合资建设8英寸碳化硅器件工厂的消息引发了行业震动。6月8日，双方在重庆签署了三安意法碳化硅项目合作协议。该市委书记袁家军，市委副书记、市长胡衡华会见 ...; 2023-6-14 13:38

向8英寸进击，拿下SiC的天王山！: 6月7日，平地一声惊雷，一则合资建厂的消息震动整个SiC市场，三安光电和意法半导体两位主角宣布，将斥资50亿美元在重庆建立一座8英寸SiC衬底厂，根据意法半导体的估算，到2030年该厂将帮助意法半导体实现50亿美元的S ...; 2023-6-14 13:36

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