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联盟动态

垂直GaN新进展！成本有望与硅基相当？
垂直GaN新进展！成本有望与硅基相当？
目前市面上大多数GaN器件都是横向型——在硅衬底上形成氮化镓活性层，这样就能以相对较低的成本获得GaN的高频特性，但硅基GaN器件的击穿电压通常很难达到650V或以上。与横向型相比，垂直GaN器件可同时实现更高的电压 ...
2023-5-15 09:42
基本半导体发布第二代碳化硅MOSFET系列新品
基本半导体发布第二代碳化硅MOSFET系列新品
5月9-11日，基本半导体再度亮相全球最大功率半导体展会——PCIM Europe 2023，在德国纽伦堡正式发布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代产品性能大幅提升，产品类型进一步丰富，助力新能源汽车、直流快充、光伏储能、工 ...
2023-5-15 09:40
粤升公司成功研发碳化硅外延设备
粤升公司成功研发碳化硅外延设备
广州粤升半导体设备有限公司专注于SiC外延设备、单晶设备的研发和生产，以客户需求为中心，立足于专业的技术团队，在设备研制、工艺开发、产品应用保障等方面全方位提供服务。“智”造发力，创新未来。粤升公司自主 ...
2023-5-15 09:27
晶圆测试设备的“指尖”——探针卡
晶圆测试设备的“指尖”——探针卡
在半导体产业的制造流程上，主要可分成IC设计、晶圆制程、晶圆测试及晶圆封装四大步骤。其中所谓的晶圆测试，就是对晶圆上的每颗晶粒进行电性特性检测，以检测和淘汰晶圆上的不合格晶粒。下面我们一起来了解一下半导 ...
2023-5-9 16:26
对话：氮化镓来了！如何破解服务器电源高频损耗难题
对话：氮化镓来了！如何破解服务器电源高频损耗难题
编者按：以氮化镓为代表的第三代半导体材料可使得器件适用于高频高温的应用场景。氮化镓的特性成为超高频器件的极佳选择，主要应用在服务器电源、数据中心、5G基站等领域。当前，高频驱动下的第三代半导体电源芯片目 ...
2023-5-9 15:59
碳化硅产业 · 2023年04月刊
来源：芯TIP
2023-5-9 15:54
人才短缺，全球半导体的头等大事
人才短缺，全球半导体的头等大事
韩国芯片制造商在美国政府发起推动增加国内半导体制造的努力后投入数十亿美元后，在美国建设和扩大产能方面面临着诸多挑战。他们面临着在美国经营工厂和雇用工人的高昂成本，而通货膨胀只会使这一现实变得更糟。对熟 ...
2023-5-8 10:25
采用DFN8*8封装，芯塔电子正式发布650V/60mΩ SiC MOSFET
采用DFN8*8封装，芯塔电子正式发布650V/60mΩ SiC MOSFET
近日，据芯塔电子官微消息，芯塔电子650V/60mΩ DFN8*8封装SiC MOSFET产品正式发布，产品型号代码TM2G0060065M。目前产品已通过高端工业电源客户验证，并获得多家客户的意向订单。芯片方面，技术团队结合先进的晶圆 ...
2023-5-8 10:19
又有多起SiC合作！积塔、Wolfspeed、意法等“抱团”
又有多起SiC合作！积塔、Wolfspeed、意法等“抱团”
前两天，英飞凌分别与天科合达、天岳先进2家SiC衬底厂商达成合作；近日，SiC领域还有多起合作案，涉及企业包括麦格纳、Wolfspeed、意法半导体、采埃孚等。麦格纳：获SiC逆变器合同5月4日，据外媒消息，麦格纳于近日 ...
2023-5-8 10:16
详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案
详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案
当前世界上的半导体元件，绝大多数是以第一代半导体材料硅基半导体为主，约占95%的份额，但是随着电动汽车，5G通讯等新兴技术的发展，以氮化镓，碳化硅为代表新型基材越来越受到重视。第三代半导体，以碳化硅为代表 ...
2023-5-8 10:13
功率半导体的机遇
功率半导体概况功率半导体介绍及分类功率半导体，又称电力电子器件或功率电子器件，是电子产业链中最核心的一类器件之一。能够实现电能转换和电路控制，在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆 ...
2023-5-6 10:05
富士经济预测，到2035年世界功率半导体市场规模将达到约6939亿元
富士经济预测，到2035年世界功率半导体市场规模将达到约6939亿元
富士经济在4月10日发布了一份题为“2023年版新一代功率半导体＆功率电子相关设备市场的现状与未来展望”的对功率半导体市场调研的总结报告。据此报告，在2035年功率半导体市场将会比2022年多出5倍，达到6939亿元。仅 ...
2023-5-6 10:01
基于国产单晶衬底的150 mm 4H-SiC 同质外延技术进展
基于国产单晶衬底的150 mm 4H-SiC 同质外延技术进展
摘要高阻断电压、大功率密度、高转化效率是电力电子器件技术持续追求的目标，基于 4H-SiC 优异的材 料特性，在电力电子器件应用方面具有广阔的发展前景。围绕 SiC MOSFET 器件对外延材料的需求，介绍了 国内外主流的 ...
2023-5-6 09:58
意大利LPE公司200mm碳化硅外延技术进展
意大利LPE公司200mm碳化硅外延技术进展
引言SiC在许多应用中都优于Si，因为它具有优异的电子性能，如高温稳定性、宽带隙、高击穿电场强度和高导热性。如今，由于SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）具有更高的开关速度、更高的工作温度和更低的热阻 ...
2023-5-5 10:30
硅衬底氮化镓技术如何推动Micro LED的产业化发展？
硅衬底氮化镓技术如何推动Micro LED的产业化发展？
Micro LED新型显示具有巨大市场前景，也面临着一系列技术挑战。选择合理的产业化路线对推动Micro LED应用落地非常关键。晶能光电是大尺寸硅衬底氮化镓Micro LED工艺路线的坚定实践者。在2023集邦咨询新型显示产业研 ...
2023-5-5 10:27
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