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对话:氮化镓来了!如何破解服务器电源高频损耗难题
对话:氮化镓来了!如何破解服务器电源高频损耗难题
编者按:以氮化镓为代表的第三代半导体材料可使得器件适用于高频高温的应用场景。氮化镓的特性成为超高频器件的极佳选择,主要应用在服务器电源、数据中心、5G基站等领域。当前,高频驱动下的第三代半导体电源芯片目 ...
2023-5-9 15:59
碳化硅产业 · 2023年04月刊
来源:芯TIP
2023-5-9 15:54
人才短缺,全球半导体的头等大事
人才短缺,全球半导体的头等大事
韩国芯片制造商在美国政府发起推动增加国内半导体制造的努力后投入数十亿美元后,在美国建设和扩大产能方面面临着诸多挑战。他们面临着在美国经营工厂和雇用工人的高昂成本,而通货膨胀只会使这一现实变得更糟。对熟 ...
2023-5-8 10:25
采用DFN8*8封装,芯塔电子正式发布650V/60mΩ SiC MOSFET
采用DFN8*8封装,芯塔电子正式发布650V/60mΩ SiC MOSFET
近日,据芯塔电子官微消息,芯塔电子650V/60mΩ DFN8*8封装SiC MOSFET产品正式发布,产品型号代码TM2G0060065M。目前产品已通过高端工业电源客户验证,并获得多家客户的意向订单。芯片方面,技术团队结合先进的晶圆 ...
2023-5-8 10:19
又有多起SiC合作!积塔、Wolfspeed、意法等“抱团”
又有多起SiC合作!积塔、Wolfspeed、意法等“抱团”
前两天,英飞凌分别与天科合达、天岳先进2家SiC衬底厂商达成合作;近日,SiC领域还有多起合作案,涉及企业包括麦格纳、Wolfspeed、意法半导体、采埃孚等。麦格纳:获SiC逆变器合同5月4日,据外媒消息,麦格纳于近日 ...
2023-5-8 10:16
详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案
详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案
当前世界上的半导体元件,绝大多数是以第一代半导体材料硅基半导体为主,约占95%的份额,但是随着电动汽车,5G通讯等新兴技术的发展,以氮化镓,碳化硅为代表新型基材越来越受到重视。第三代半导体,以碳化硅为代表 ...
2023-5-8 10:13
功率半导体的机遇
功率半导体概况功率半导体介绍及分类功率半导体,又称电力电子器件或功率电子器件,是电子产业链中最核心的一类器件之一。能够实现电能转换和电路控制,在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆 ...
2023-5-6 10:05
富士经济预测,到2035年世界功率半导体市场规模将达到约6939亿元
富士经济预测,到2035年世界功率半导体市场规模将达到约6939亿元
富士经济在4月10日发布了一份题为“2023年版新一代功率半导体&功率电子相关设备市场的现状与未来展望”的对功率半导体市场调研的总结报告。据此报告,在2035年功率半导体市场将会比2022年多出5倍,达到6939亿元。仅 ...
2023-5-6 10:01
基于国产单晶衬底的150 mm 4H-SiC 同质外延技术进展
基于国产单晶衬底的150 mm 4H-SiC 同质外延技术进展
摘要高阻断电压、大功率密度、高转化效率是电力电子器件技术持续追求的目标,基于 4H-SiC 优异的材 料特性,在电力电子器件应用方面具有广阔的发展前景。围绕 SiC MOSFET 器件对外延材料的需求,介绍了 国内外主流的 ...
2023-5-6 09:58
意大利LPE公司200mm碳化硅外延技术进展
意大利LPE公司200mm碳化硅外延技术进展
引言SiC在许多应用中都优于Si,因为它具有优异的电子性能,如高温稳定性、宽带隙、高击穿电场强度和高导热性。如今,由于SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有更高的开关速度、更高的工作温度和更低的热阻 ...
2023-5-5 10:30
硅衬底氮化镓技术如何推动Micro LED的产业化发展?
硅衬底氮化镓技术如何推动Micro LED的产业化发展?
Micro LED新型显示具有巨大市场前景,也面临着一系列技术挑战。选择合理的产业化路线对推动Micro LED应用落地非常关键。晶能光电是大尺寸硅衬底氮化镓Micro LED工艺路线的坚定实践者。在2023集邦咨询新型显示产业研 ...
2023-5-5 10:27
Wolfspeed 与采埃孚将在德国纽伦堡建立研发中心优化碳化硅半导体技术
Wolfspeed 与采埃孚将在德国纽伦堡建立研发中心优化碳化硅半导体技术
Wolfspeed 与采埃孚将在德国纽伦堡建立研发中心优化碳化硅半导体技术碳化硅技术全球引领者 Wolfspeed, Inc. (美国纽约证券交易所上市代码:WOLF)与致力于打造下一代出行的全球性技术公司采埃孚集团于近日宣布,计 ...
2023-5-5 10:21
MXene范德华接触在氮化镓高电子迁移率晶体管中的应用
MXene范德华接触在氮化镓高电子迁移率晶体管中的应用
作者:王传举, 徐向明,Husam N. Alshareef,李晓航单位:沙特阿卜杜拉国王科技大学摘要:栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面,金属和半导体的直接接触会导致界面缺 ...
2023-5-4 09:32
为了SiC,博世买了一个晶圆厂
为了SiC,博世买了一个晶圆厂
德国巨头博世近日表示,将收购美国芯片制造商 TSI Semiconductors 的资产,以扩大其碳化硅芯片 (SiC) 的半导体业务。博世还表示,收购完成后,未来几年将投资 15 亿美元升级 TSI 半导体在加利福尼亚州罗斯维尔的制造 ...
2023-5-4 09:29
决战碳化硅:成败在于衬底大小与厚度?
决战碳化硅:成败在于衬底大小与厚度?
导语碳化硅商业应用的最大问题之一是成本,而成本居高不下的一个重要原因就是单位面积衬底生产的芯片比较少,进而影响了产能的扩大。为期10天的上海车展,油车几乎销声匿迹,而新能源汽车(电动汽车)对蕴含着庞大市 ...
2023-5-4 09:28

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