【联盟动态】第二届集成电路产业与资本创新论坛第三代半导体专场成功举行

6月29日，第二届集成电路产业与资本创新论坛暨南京创新周百场系列活动在南京举行。中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）主办第三代半导体分会场，邀请复旦大学雷光寅研究员、国家电网公司联研院教授级高工杨霏博士、中国科学院微电子研究所、中国科学院大学研究生导师许恒宇博士、中国电子科技集团公司第五十五研究所副主任设计师李赟博士、北京天科合达半导体股份有限公司常务副总经理/江苏天科合达半导体有限公司总经理彭同华研究员五位知名专家作主题报告。专家从材料、器件、模块、应用全产业链角度与现场观众共同探讨当前第三代半导体碳化硅技术现状与发展态势，促进多方交流与合作。会场吸引约百名行业内专家及第三代半导体从业人员参加。

第三代半导体专场活动现场

主题报告：《车载碳化硅功率模块及其应用》 雷光寅

主题报告：《高压碳化硅半导体器件研发进展及其在电力系统应用场景分析》 杨霏

主题报告：《碳化硅器件技术问题及研究进展》许恒宇

主题报告：《用于IGBT的4H-SiC材料生长技术》 李赟

主题报告：《碳化硅衬底产业技术现状及发展态势》 彭同华

第三代半导体是支撑新能源汽车、能源互联网、新一代移动通信等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，被列为国家科技创新2030重大项目“重点新材料研发及应用”重要方向之一。联盟举办此次第三代半导体专场得到了业内专业人士的广泛关注。联盟将不断提升自身的业务服务能力，为实现我国宽禁带半导体产业全产业链快速、持续发展而不懈努力。

第三代半导体专场合影