年产200万只SiC！深圳这个第三代半导体项目正在加速建设

近日，据报道，青铜剑第三代半导体产业基地项目目前已完成基坑建设，施工方开始建设主体，预计2023年4月建成投产。

青铜剑第三代半导体产业基地项目，总投资3.5亿元，于今年1月宣布开工。是深圳市2020年重大项目，位于坪山区丹梓大道与光科三路交汇处西南角，占地8073.79平方米，总建筑面积近5万平方米。基地将同时建设第三代半导体研发中心、中欧创新中心孵化器等。建成投产后，SiC（碳化硅）器件年产能将达200万只。

Source：青铜剑科技

资料显示，青铜剑科技由清华大学和剑桥大学博士团队创立于2009年，是一家IGBT驱动技术和电量传感技术企业，总部位于深圳高新区，在北京、上海、南京、青岛设有子公司。

自2016年起，青铜剑科技就成为了中国中车的供应商。2018年，中国中车旗下的中车时代投资日前与青铜剑科技签署战略投资协议，加快了青铜剑科技在IGBT（绝缘栅双极型晶体管）驱动领域的研发，助力以中国高铁为代表的中国高端制造拓展海内外市场。

官网资料显示，目前青铜剑科技已经为新能源、智能电网、电动汽车、轨道交通、节能环保、国防军工等领域超过300家客户提供优质的电力电子核心元器件产品和解决方案服务。

值得注意的是，青铜剑科技控股（持股约35.76%）的深圳基本半导体有限公司（以下简称“基本半导体”）也是国内第三代半导体行业领军企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。

文稿来源：化合物半导体市场，Amber

图片来源：拍信网