国内产业发展较晚,目前产业链上下游代表性企业发展速度快,已初具规模

数据来源:方正证券研报、网络公开数据

数据来源:网络公开数据,华映资本整理,统计数据截至2021年5月


天科合达-国内碳化硅衬底代表性企业

天科合达成立于2006年, SiC晶片、SiC晶体、莫桑钻、SiC单晶生长 炉、切磨抛代加工、清洗反抛自主研发设计的SiC单晶生长设备,可用于4到6寸导电及半绝缘型碳化硅单晶的生长制备。

数据来源:网络公开数据,天科合达2020年招股说明书,华映资本整


华映资本长期关注科技及企业服务领域投资机会,深入挖掘在细分领域具备平台性价值,或有机会成为行业基础设施的赋能型企业。我们看到第三代半导体行业上游材料工艺的提升及下游应用市场的爆发双轮驱动下,第三代半导体将引领多个行业实现产业升级和变革,有望催生各产业链环节的独角兽企业。我们将持续关注该领域投资机会,以资本带动产业发展,助力加快改善我国半导体关键技术领域卡脖子的现状。


「本文作者」华映资本投资总监朱彤,长期关注新一代信息技术、先进制造、硬科技及企业服务领域的投资机会。


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名词解释

参考资料

  • 硬科技复兴联盟《第三代半导体SiC行业研究报告》
  • 知乎专栏《碳化硅SIC材料研究现状与行业应用》
  • 电子发烧友网《碳化硅(SiC)功率器件发展现状》
  • 电子发烧友网《火热的投资环境以及政策保障下,我国SIC产业已完成基本布局》
  • 电子发烧友网《三种碳化硅的主要制备方法》
  • 方正证券《第三代半导体之SiC研究框架》
  • 方正证券《第三代半导体之GaN研究框架》
  • 天科合达招股说明书、山东天岳招股说明书、海外上市公司年报、老虎证券、方正证券、粤开策略、东兴证券研报、知乎、wind等

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