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2018年7月10日-11日,首届亚太碳化硅及相关材料国际会议(2018年)(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2018))的分会场一论坛——SiC及相关材料生长与外延技术在京顺利举行。本届大会分会场一的邀请报告专家为:名古屋大学的宇治原 徹教授、东莞市天域半导体科技有限公司的孙国胜研究员、武汉大学的高冰教授、日本产业技术综合研究所的纪世阳教授、中国电子科技集团公司第五十五研究所的李赟、汉磊科技股份有限公司技术开发处的宣融处长、日本大阪电气通信大学的松浦 秀治教授。这七位邀请专家分别在报告中详细分享了各自的学术成果和科研经验,与参会的专家、学者和企业家针对SiC及相关材料生长与外延技术做了很多深入的探讨和交流。会议主办方中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟邀请了北京天科合达半导体股份有限的技术总监刘春俊研究员和名古屋大学的宇治原 徹教授作分会场一的主持人。

各位专家的报告内容丰富、生动、具体。现场参会人员踊跃提问,同时专家们都给予了认真、详细解答,为现场听众提供了一场精彩的学术盛宴。

名古屋大学的宇治原 徹教授作报告

报告题目:利用机械学习技术进行的SiC溶液生长工艺设计

报告主要内容:提出了一种生长方法,通过控制生长晶体的表面形态,极大地降低了位错密度。为了将该技术应用于大尺寸的晶体生长,有必要对溶剂的生长界面、流量和流向进行精确的控制。

东莞市天域半导体科技有限公司的孙国胜研究员作报告

报告题目:4H-SiC中三角形缺陷结构及成因研究进展

报告主要内容:4H-SiC外延层容易出现表面形态缺陷,如三角形缺陷、胡萝卜缺陷、直线缺陷等,系统研究了4H-SiC三角型缺陷的结构和起源。

武汉大学的高冰教授报告

报告题目:碳化硅PVT生长基平面位错模拟及其控制

报告主要内容:为了模拟4H-SiC晶体生长过程中基平面位错的增殖与演化,提出了一个三维位错模型。这个模型能够帮助我们理解晶体生长条件(比如生长炉结构、生长温度和压力、冷却过程)和碳化硅晶体属性(基平面位错、堆垛层错以及残余应力)的关系,从而有利于优化生长条件生长大尺寸高质量碳化硅单晶体。

日本产业技术综合研究所的纪世阳教授报告

报告题目:CVD外延——新型4H-SiC超结MOSFET的关键技术

报告主要内容:超结(SJ)结构改进了电力电子器件的击穿电压和导通电阻之间的平衡关系。CVD外延生长的方法已经证明了在离子注入过程中SiC-SJ结构的优越性能。开发了SiC沟槽填埋CVD外延的技术工艺及获得了相应关键外延优化参数。

中国电子科技集团公司第五十五研究所的李赟作报告

报告题目:降低4H-SiC外延层中的表面缺陷

报告主要内容:碳化硅(SiC)是一种极好的宽带隙半导体材料,用于高电压、大电流和恶劣的环境应用,由于其具有良好的物理性能,如高临界击穿电场、高导热性和良好的化学稳定性。然而,SiC不像硅材料那样成熟,在商用晶片中仍有许多晶体缺陷,这限制了SiC的大规模应用。在外延领域,目前的研究工作主要集中在表面缺陷的减少上。研究了表面缺陷与器件良率之间的相关性。通过优化工艺,降低了表面缺陷密度,如三角形缺陷。

汉磊科技股份有限公司技术开发处的宣融处长作报告

报告题目:Episil公司的碳化硅外延代工介绍

报告主要内容:基于芯片制造商的需求,让客户设计自己的产品,Episil提供一站式服务。Episil为进一步的产品开发提供了技术路线图。

日本大阪电气通信大学的松浦 秀治教授作报告

报告题目:利用霍尔效应测量宽禁带半导体的电学特性

报告主要内容:宽带隙半导体,如SiC、GaN和金刚石,用于高功率和高频器件中。在这些第三代半导体材料中,必须精确地确定掺杂剂的浓度和能级深度,以及杂质和缺陷,这些杂质和缺陷会影响半导体中载流子的浓度。我们提出并开发了一种称为自由载流子浓度谱(FCCS)的图形峰值分析方法,该方法可以利用主要载流子浓度的温度依赖性精确地确定它们的浓度和能级深度。

分会场一报告现场


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