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2018年7月9-12日,由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院物理研究所和北京硅酸盐学会主办,北京天科合达半导体股份有限公司承办的首届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2018)在北京顺利召开。分会场二主题围绕SiC及相关材料器件及测试分析技术展开,共分为2018年7月10日下午第一场和7月11日上午第二场两场。分别由来自中科院半导体所的张峰研究员和来自日本德岛大学的敖金平教授主持。

分会邀请了来自爱发科公司的邹弘刚博士,德岛大学的敖金平博士,中国电子科技集团公司第五十五研究所的黄润华博士,新日本无线公司的功率器件开发部部长新井学,日本埼玉大学的土方 泰斗博士作邀请报告。

这五位邀请专家分别在报告中详细分享了各自在第三代半导体器件领域的最新学术研究进展和成果,并与参会的专家、学者和企业家进行了良好的互动交流。

爱发科公司邹弘纲博士作报告

报告题目:ULVAC公司SiC功率器件制造解决方案的开发

报告内容:智能信息和通信技术(ICT),如“大数据”、“云计算”、单机自激活MEMS/传感器、智能能源(如电池、功率转换)等智能功能,共同构成智能系统,推动实现从“物联网(IoT)”时代走入“万物互联”(IoE)的时代,即智能社会。为了实现上述的智能技术,我们需要将功能器件与包括CMOS技术在内的先进半导体技术相结合,实现高密度、低功耗、宽带宽、高频工作半导体器件以及智能功能器件。碳化硅(SiC)是一种很有前途的材料,由于其在击穿电压、高频工作和高温性能方面优于现有器件,因此在下一代电力电子系统中使用。爱发科公司一直致力于SiC功率器件制造的技术开发,并提供生产工具以实现。报告主要介绍了由离子注入、碳膜溅射和高温退火激活组成的ULVAC SiC技术解决方案,重点介绍了SBD和MOSFET器件的工艺设备。

德岛大学的敖金平博士报告

报告题目:E型ALGaN/GaN HJFET的发展

报告内容:近年来,AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管(HFETs)由于其宽带隙、高电子饱和速度、高击穿电压等特点,受到了高频和大功率电子器件的广泛关注。本报告详细报道了一种具有p-GaN帽层的增强型AlGaN/GaN异质结构结场效应晶体管(HJFETs),提出了一种具有金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的AlGaN/GaN HJFET。

中国电子科技集团公司第五十五研究所的黄润华博士报告

报告题目:4H-SiC功率DMOSFETs的新进展

报告内容:因4H-SiC功率MOSFETs具有常关工作、低关断损耗、低传导损耗和低栅电荷等优点,被认为是高压电源应用中最有前途的电源开关器件。报告集中在4H-SiC功率DMOSFETs的开发上。本报告报道了1200V和6500V额定电压的SiC功率MOSFETs的最新研究进展。

日本无线公司的功率器件开发部部长新井 学作报告

报告题目:宽禁带半导体(碳化硅、氮化镓、氧化镓和金刚石)器件综述

报告内容:宽禁带半导体材料,如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga2O3)和金刚石等,由于它们的击穿场强比硅高而受到广泛关注。本报告先后从物理特性、制造成本和器件特性等多维度详细分析了几种主要宽禁带半导体材料的发展趋势。为宽禁带半导体材料的发展做了全面的综述及评述。

日本埼玉大学的土方 泰斗博士作报告

报告题目:基于Si和C的发射模型的SiC的热氧化过程的宏观模拟

报告内容:本报告提出,深入了解碳化硅(SiC)的热氧化机理,不仅对金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的低功耗性能和高可靠性的提高具有重要意义,而且对双极器件的性能也有重要意义。前者与降低氧化硅/SiC界面的界面态密度密切相关,后者是因为通过阐明SiC氧化机理,提高载流子寿命。报告介绍了一个统一的SiC热氧化模型。展示了氧化界面处的Si和C的浓度,作为该模型计算的不同氧化温度下氧化层厚度的函数。

此外,会议还邀请了优秀投稿论文作者在现场做了精彩的口头报告,参会代表认真听取了精彩报告并针对报告内容提出了很多学术问题,在主持人的带动下,会议现场进行了热烈的讨论。

分会场二论坛现场


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