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特邀报告 APCSCRM2022

宽禁带半导体行业材料、器件、应用等领域专家大咖出席本届国际会议。

APCSCRM 2022会议主题包括

半导体材料生长与外延技术

半导体器件及测试分析技术

半导体封装及应用

The Speakers

本届会议将邀请近30位专家作特邀报告,今天继续为大家介绍。

特邀报告简介3|第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议

Katsuaki Suganuma 教授

特邀报告简介3|第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议

Yokoo Hidekazu 总监

特邀报告简介3|第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议

刘国友 常务副主任

Katsuaki Suganuma-大阪大学-教授

报告题目:宽禁带半导体功率器件Ag烧结接合及故障实时监测研究进展

报告提纲:1、宽禁带半导体功率器件基本介绍;2、金属金属化、裸陶瓷和裸半导体上的Ag烧结连接;3、SiC功率模块中加入Ag烧结体;4、实时故障监控分析

Yokoo Hidekazu-爱发科股份有限公司-技术总监

报告题目:SiC离子注入技术研究进展

报告摘要:硅基IGBT器件一直在改进,以减少其功率损耗;Si - IGBT已发展成为集成二极管的RC - IGBT,并通过使用氢离子代替磷离子在更深的能级中形成场阻层,来改进场阻层,以提高其性能。对于FS注入中的高加速氢注入、收集器中的硼注入和RC-IGBT中的磷注入,仅需要ULVAC公司SOPHI系列中的一个系统即可完成。此外,该系统可以直接传输直径300mm、厚度50μm的晶圆,且该系统已在300mm IGBT量产工厂中使用。

为了进一步开发器件的特性,对Si-IGBT和SiC进行了改进。接下来介绍SiC的离子注入。ULVAC公司1992年就发布了针对SiC研发的离子注入机,于2007年大规模生产,并根据器件的发展及时改进、改造离子注入机。以下是我们应对SiC特定工艺和器件演变的方法。

刘国友-新型功率半导体器件国家重点实验室-常务副主任

报告题目:轨道交通高压SiC功率半导体器件研究进展与挑战

报告摘要:基于轨道交通独特的运行工况,对功率半导体器件功率密度、工作频率和运行可靠性提出了越来越高的要求。从硅基到碳化硅基的技术进步,为简化牵引变流器冷却系统、缩小体积、减轻重量、提高效率提供了可能,同时对高压碳化硅器件设计、工艺及其应用可靠性带来了一系列的技术挑战。本文着重介绍3300V SiC MOSFET及其全碳750A/3300V模块研究与应用技术进展。


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特邀报告简介3|第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议

口头报告征集

除了特邀报告

我们将从会议投稿论文中筛选优秀论文

推荐到专场论坛中作口头报告

欢迎积极投稿

特邀报告简介3|第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议

投稿说明链接:

https://apcscrm2022.casconf.cn/page/1499286769261219840

特邀报告简介3|第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议

表现优秀者将获得荣誉奖励及奖品

特邀报告简介3|第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议

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