特邀报告简介2|第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议 - 公告通知中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

特邀报告 APCSCRM2022

宽禁带半导体行业材料、器件、应用等领域专家大咖出席本届国际会议。

APCSCRM 2022会议主题包括

半导体材料生长与外延技术

半导体器件及测试分析技术

半导体封装及应用

The Speakers

本届会议将邀请近30位专家作特邀报告，今天继续为大家介绍。

Hideharu Matsuura

教授

Noriyuki Iwamuro

教授

Yasuto Hijikata

教授

Hideharu Matsuura-大阪电气通信大学-教授

报告题目：重掺杂Al的4H-SiC的电学性能

报告摘要：在功率半导体器件中，即使在低电阻率层（如n沟道绝缘栅双极晶体管的厚p型集电极层），也需要降低能量损耗。p型SiC晶片，电阻率比目前可实现的电阻率低得多的，但其制造方法不易。为了降低电阻率，需要了解这些材料的潜在传导机制。松浦秀治团队研究了通过化学气相沉积 (CVD)、物理气相传输法（PVT）和液相法，生长的重掺杂Al的4H-SiC外延层电阻率（ρ（T））和霍尔系数（RH（T））之间的关系。

Noriyuki Iwamuro-筑波大学-教授

报告题目：利用TCAD模拟研究最先进的1.2kv SiC沟道MOSFET中的UIS失效机理

报告提纲：1.简介：研究背景、研究原因；2.实验方法：不对称沟道MOSFET的UIS测试、双沟道MOSFET的UIS测试；3.模拟方法：非对称沟道MOSFET的TCAD UIS模拟、双沟道MOSFET的TCAD UIS模拟、双沟道MOSFET的机械应力模拟。

Yasuto Hijikata-埼玉大学-教授

报告题目：MOS 界面形成的单光子源特性

报告摘要：最近我们研究发现在氧化物/碳化硅的界面上发现了单光子源（SPSs）。这些SPSs非常明亮，而且可以通过电流注入产生单光子。虽然它们的缺陷结构未知，难以应用于实际系统，但我们通过结构分析、光学表征和第一性原理计算等方面的研究，为阐明它们的结构提供了一些线索。在本次演讲中，将介绍这种MOS界面SPS的特点和未来前景。

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