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位于以色列的GaN功率半导体公司VisIC Technologies宣布推出一款新的水冷半桥评估板,以展示使用其GaN全开关(高级低损耗开关)可实现的性能。

 

V22N65A-HBEVB评估平台可以在任何半桥拓扑中运行,并且仅使用单个V22N65A晶体管在高达9kW的降压和升压拓扑中进行测试。这是市场上首款基于GaN的解决方案,可提供高达9kW的功率,无需并联,使其成为混合动力和电动汽车中高密度车载充电器(OBC)的理想选择。

 

V22N65A全开关SMD分立式顶部冷却器件具有超低导通和开关损耗以及先进的隔离封装设计,可实现每个GaN器件的最大性能和功耗。

 

低寄生电感功率和栅极环路设计与高阈值电压(5V)相结合,使设计人员能够在多kW范围内的高功率应用中安全地使用VisIC GaN开关。


     V22N65A-HBEVB评估平台包括:使用22mOhm GaN全开关的半桥功率级;来自Silicon Labs的隔离半桥驱动器(Si82394; Murata的两个隔离辅助电源(NXE251212MC;死区时间控制从75ns200ns



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