扩产+自研长晶炉设备，环球晶强化碳化硅布局

碳化硅衬底是宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，目前主要应用于以5G通信、航空航天为代表的射频领域，和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，具有明确且可观的市场前景。

但碳化硅衬底制作技术门槛较高。其中，在长晶环节，由于碳化硅需要在高温（>2,200℃）、真空环境中生长，对温场稳定性的要求高，生长速度十分缓慢；同时，碳化硅存在200多种同质异构体，在密闭的高温石墨坩埚中生长，无法即时观察晶体的生长状况，容易产生异质晶型，影响良率，因此长晶环节是碳化硅衬底制备的关键环节。

基于上述因素，环球晶董事长徐秀兰在6月21日举办的股东会上表示，环球晶决定新增制造设备项目，规划自行设计生产碳化硅长晶炉设备，以强化产品的可控因素。徐秀兰指出，碳化硅长晶炉设备预计需2年时间开发。

终端需求方面，徐秀兰表示，目前市场对小尺寸的需求较此前有所减弱，但其他厂仍处于满载状态，公司与客户签订的长约有一部分已超越2028年、上看到2031年，产线稼动率满。

她还指出，环球晶将维持既定的扩产计划，但受缺工、建筑成本升高及设备交期拉长等影响，部分扩产进度可能延迟1季。目前，新建厂的设备已预订，地点将于6月底前敲定。

来源：化合物半导体 Winter整理