西电芜湖研究院宽禁带半导体器件试制线成功通线

3月25日，西电芜湖研究院举办宽禁带半导体器件试制线通线仪式，中国科学院院士郝跃，芜湖市人民政府副市长朱的娥出席活动并致辞。

朱的娥对西电芜湖研究院试制线成功通线表示祝贺。朱的娥表示，试制线成功通线是西芜院在半导体领域科研与产业化能力的证明，希望西芜院能够把试制线用好用活，以此次通线为契机，推动半导体领域人才与创新企业的集聚，助力芜湖市半导体产业高质量发展。

郝跃院士在致辞中表示：“西电芜湖研究院宽禁带半导体的中试线正式建成是一个很重要的节点。未来我们一定要在这么好的平台上做出一流的科研和产业业绩。在此，我也希望芜湖研究院利用好这个平台实现跨越。”

西电芜湖研究院宽禁带半导体器件试制线的成功通线，标志着西电芜湖研究院半导体器件研发与产业化迎来了新的里程碑。项目建成后，将具备4-6英寸碳化硅、6-8英寸氮化镓外延材料生长到器件研制的全套工艺流程能力，有助于芜湖市解决半导体产业在知识产权培育和转化、特殊工艺与特色产品定制、中试规模的芯片可靠性评价体系建设等领域存在的难点、堵点，为芜湖市新能源汽车、航空、5G通信等新兴产业创新发展注入强劲动力。

来源：第三代半导体产业