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    2023年11月8日-10日,由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院物理研究所、中国电子材料行业协会半导体材料分会、中国晶体学会主办,北京天科合达半导体股份有限公司承办的第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials,APCSCRM 2023)在北京召开,共吸引了800余位国内外专家学者和企业代表、近400家企业的积极参与。

大会报告由大会中方主席、中国科学院物理研究所研究员,北京天科合达半导体股份有限公司首席科学家陈小龙博士、大会程序委员会主席、北京天科合达半导体股份有限公司董事,常务副总经理彭同华研究员、日本Resonac Corporation 首席技术官 Hiroshi Kanazawa博士、英国剑桥大学Teng Long教授主持。

大会邀请了日本Resonac Corporation 首席技术官 Hiroshi Kanazawa博士、北京天科合达半导体股份有限公司 董事/副总经理 /技术总监刘春俊、日本东京大学 名誉教授 Tadatomo SUGA、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 资深总监丛茂杰、河南联合精密材料股份有限公司 研发总监王森、苏州优晶光电科技有限公司 研发副总陈建明、北京中电科电子装备有限公司 副总经理刘国敬、英国剑桥大学 龙腾教授、东莞市中科汇珠半导体有限公司 副总经理杨军伟、日本埼玉大学 副教授Yasuto HIJIKATA、日本罗姆半导体(北京)有限公司北京技术中心总经理 Tokuyasu Mizuhara、株洲中车时代电气股份有限公司,中车科学家功率半导体与集成技术全国重点实验室副主任刘国友、华为海思宽禁带半导体器件技术专家 仲正、法国Yole Intelligence技术与市场高级分析师 Poshun CHIU作大会报告。这十四位专家分别在报告中详细分享了各自的最新学术研究进展和成果,并与参会的专家、学者和企业家针对宽禁带半导体领域学术和产业问题进行了良好的互动交流。

Resonac Corporation 首席技术官

Hiroshi Kanazawa博士

报告题目:Review of Resnac SiC Epitaxial Wafers for Power Devices

报告摘要:由于全球转向电动汽车,积极实现碳中和的目标,SiC功率半导体市场正在迅速扩张,SiC外延晶圆市场的增长速度更是远远超过半导体材料市场。电动汽车对SiC外延片的需求也将迅速增加,为了满足电动汽车的需求,需要降低成本和提高质量。8英寸是降低成本的关键项目之一。Resonac目前已经实现了与6英尺具有类似缺陷和均匀性质量的8英尺外延片。未来为了进一步降低成本,需要采用更高写入电流的坚固外延片结构。

北京天科合达半导体股份有限公司 董事、副总经理

刘春俊

报告题目:Technical Progress in SiC Substrate Material Growth and Epitaxy

报告摘要:由于电动汽车的快速发展,使得碳化硅成为未来市场的主要增长点,从全球碳化硅产业链来看,国外的应用产业链已经相对成熟,但国内的发展态势也不容小觑。就天科合达而言,22年的整体市场份额已经超过10%,国内碳化硅产业链在全球会占据越来越重要的市场地位。未来将有更多应用采用碳化硅器件,天科合达已大规模生产6英寸衬底和外延, 8英寸已研发完成,准备大规模生产。未来将进一步提高质量,降低位错密度等;提高每锭产量和开发新方法。

东京大学 名誉教授 Tadatomo SUGA

报告题目:表面活性键合及其在先进宽禁带半导体中的应用

报告摘要:演讲中提到低温粘合的先进方法表面活性键合及其未来展望3D集成的发展。由于设备可靠性和制造产量,尤其是异质材料键合互联的限制,表面活性键合(SAB)方法由于其简单的流程,不需要用于粘合的附加材料等原因已经吸引了越来越多人的兴趣。Tadatomo SUGA在报告中介绍了一种新的室温键合方法,表面活性键合(SAB)方法通过使用Si纳米粘附层进行改性而成为一种更强大的工具,可以在室温下实现宽禁带半导体(WBG)半导体晶片的直接键合。键合界面具有较低的热障电阻(TBR),这对于WBG半导体在大功率器件中的应用非常有前景。表面活性键合可以将硅氧化物、玻璃和蓝宝石等无机材料相互键合,也可以与聚合物薄膜键合。

绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 资深总监

丛茂杰

报告主题:碳化硅功率器件制造与应用

报告摘要:报告分析了碳化硅器件在应用中遇到的挑战和碳化硅器件制造的难点,新能源领域电池、电机和电控系统的高压发展趋势意味着充电速度显著提高,电流减少,线材成本低。而与IGBT相比,SiC的增加可以提高效率并降低电池成本。功率器件模块化有助于提高功率密度和、降低装配难度和工艺成本。丛茂杰在报告中介绍了中芯集成碳化硅方面的布局计划,据了解,年初时碳化硅的产能是2000片/月,目前已经达到了5000片/月,预计到2027年产品达到6万片/月,当前也在积极布局准备8寸的工艺开发,预计明年实现大部分量产。

河南联合精密材料股份有限公司 研发总监 王森

报告主题:碳化硅衬底切磨抛加工研究

报告摘要:碳化硅在加工过程中需要采用特定的技术和工艺。主流的加工技术包括金刚石浆料切割和金刚石线切割碳化硅晶片,另外,碳化硅晶片在双面研磨时可采用铸铁板单晶金刚石浆料的方法,最后介绍了SiC晶圆片切片、研磨和抛光的发展趋势。

苏州优晶光电科技有限公司 研发副总 陈建明

报告主题:高品质8英寸碳化硅晶体生长技术

报告摘要:电阻加热法是给石墨发热体通电产生热量,给包括坩埚在内的整个热场加热,石墨发热体是温度最高的部件,电阻法将是未来生长大尺寸SiC晶体的主流工艺之一。

北京中电科电子装备有限公司 副总经理 刘国敬

报告主题:碳化硅材料/器件Grinding工艺及国产化解决方案探索

报告摘要:碳化硅产业正朝着高品质、高性能的方向发展,广泛应用于电力、电子和光电等领域。碳化硅衬底工艺是制备碳化硅材料的关键步骤,研磨工艺在碳化硅加工中扮演着重要角色,能提高材料的表面质量和加工效率。可提供先进设备和专业服务,致力于为客户提供碳化硅材料的制备和加工解决方案。

剑桥大学 教授 Teng Long

报告主题:从器件到系统——我们能在没有物理边界的情况下设计功率转换器吗?

报告摘要:报告介绍了集成控制和封装设计的应用和工作进展,以及新的磁性元件设计。利用印刷电路板(PCB)取代键合线,将从电磁和热机械性能方面讨论新型碳化硅(SiC)功率器件封装设计。一种利用功率 MOSFET 本征电致发光的新开关方法将展示一种自适应零电压开关 (ZVS) 方法。这一进展将促成我们在可预见的未来最终实现完全集成的智能功率转换器设计。

东莞市中科汇珠半导体有限公司 副总经理 杨军伟

报告主题:液相法SiC 衬底的外延生长研究

报告摘要:本报告介绍了液相法衬底上的外延生长研究,重点报道了P型衬底和3C-SiC衬底的外延生长分析结果,提升人们对液相法SiC单晶材料的认识。

埼玉大学 副教授 Yasuto HIJIKATA

报告主题:MOS界面形成的单光子源的密度和偏振控制

报告摘要:固态材料中的单光子源(SPS)是当前量子技术发展的关键组成部分。本次报告中汇报了有关 SPSs 形成的氧分压依赖性的研究,目的是控制其密度和偏振特性。实验还获得了一些与碳化硅氧化机理相关的有趣结果。

罗姆半导体中国有限公司 北京技术中心总经理 Tokuyasu Mizuhara

报告主题:罗姆碳化硅半导体的进展

报告摘要:罗姆在碳化硅产品技术开发方面一直是行业佼佼者,拥有从裸芯片到封装产品的丰富碳化硅产品阵容。通过开发可以减轻环境负荷的先进碳化硅产品的同时,利用垂直统合型生产体系,为客户稳定供应高品质的节能产品。此次主要是汇报罗姆的SiC元器件技术,SiC模块技术,应用和技术支持的最新的进展。

株洲中车时代电气股份有限公司 中车科学家

功率半导体与集成技术全国重点实验室 副主任 刘国友

报告主题:轨道交通SiC功率器件研究进展与技术挑战

报告摘要:从硅基到碳化硅基的技术进步,为简化牵引变流器冷却系统、缩小体积、减轻重量、提高效率提供了可能,同时对高压碳化硅器件设计、工艺及其应用可靠性带来了一系列的技术挑战。本文着重介绍3300V SiC MOSFET及其全碳750A/3300V模块研究与应用技术进展。

华为海思宽禁带半导体 器件技术专家 仲正

报告主题:应用于移动通信的GaN射频器件及技术

报告摘要:本报告主要聚焦应用于移动通信的GaN射频器件及技术。主要内容包括:GaN射频器件产业化发展趋势(材料设计与缺陷抑制、高密度电子调控、增强型挑战);SiC基&Si基 GaN射频器件先进技术介绍; 从材料到应用的器件正向设计技术介绍。

Yole Intelligence 技术与市场高级分析师 Poshun CHIU

报告主题:SiC市场及供应链演变概览

报告摘要:xEV和工业电子的推动,使得SiC器件市场的强劲增长,预计在未来几年将接近100亿美元,与此同时,许多行业参与者已经公布了他们的扩张计划,以增加他们的市场份额。主要参与者之间的合作和行业整合正在重塑SiC供应链。本次演讲重点介绍了Power SiC内部实施的战略以及中国市场增长机会的潜力。以及8英寸SiC在促进功率SiC市场的关键作用。


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