2024年5月17日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《碳化硅晶片边缘轮廓检验方法》。

近年来,随着碳化硅需求量急剧增加,碳化硅晶片边缘相关问题得到广泛关注,在半导体产业中碳化硅晶片的生产制造至关重要,而在碳化硅晶片的制造加工中,倒角加工出来的边缘轮廓质量的好坏一致是影响碳化硅晶片甚至是半导体成品率的重要因素,因此急需制定检测碳化硅晶片边缘轮廓的有关标准。

本标准介绍一种无接触、非破坏性的,可以测试碳化硅晶片边缘和切口的轮廓形状,并能测量出轮廓尺寸的方法,该方法操作简单便捷,可以直观的确定碳化硅晶片片边缘和切口是否合适,适用于各种尺寸、夹角和形状的碳化硅晶片边缘轮廓的检测。


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