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摘要: 11月18日,广州粤升半导体设备有限公司(下文简称“广州粤升”)宣布,公司已在今年9月实现碳化硅(SiC)外延设备的大批量出货。source:广州粤升广州粤升表示,此批设备在第一代外延炉基础上做了进一步优化设计,具 ...

11月18日,广州粤升半导体设备有限公司(下文简称“广州粤升”)宣布,公司已在今年9月实现碳化硅(SiC)外延设备的大批量出货。

source:广州粤升

广州粤升表示,此批设备在第一代外延炉基础上做了进一步优化设计,具备生产高质量、高稳定性的外延片生产能力。

资料显示,广州粤升成立于2021年,专注于碳化硅外延设备、碳化硅晶体生长设备的研发和生产。

2022年6月,广州粤升与广州海创产业技术研究院合作,成立SiC外延设备研发中心;11月,首台SiC外延设备研发成功;2023年2月,广州粤升开始液相法SiC单晶设备的研发;9月,该公司SiC外延设备产品装车交付;11月,液相法SiC单晶设备批量交付;2024年9月,实现SiC外延设备的大批量出货。

广州粤升指出,公司自主研发的SiC外延设备,已在客户端连续稳定运行近两年,能够满足厚膜以及3C晶型的外延要求。

值得一提的是,广州粤升的母公司东莞市中科汇珠半导体,旗下产品包含:传统4H-n型SiC衬底的外延片、基于液相法4H-p型SiC和3C-SiC衬底的外延片,目前产品已取得国内头部SiC器件企业的多轮流片验证,具备规模量产能力。


来源:集邦化合物半导体

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