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成员风采

北京镓族科技有限公司参加2018年全国双创周活动: 2018年全国大众创业万众创新活动周在10月9日至10月15日召开，北京镓族科技有限公司作为重点参展企业参加了这次活动，参展的主题为“氧化镓超宽禁带半导体：晶体、外延、器件及应用”。公司对此次展会非常重视，北 ...; 2018-10-16 08:48

国内氮化物半导体研究取得重大进展: 来源：内容综合自「北京大学」等，谢谢。美国物理学会Physical Review Letters（PRL）期刊2018年10月5日在线发表了北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心和“新型半导体低维量子结构与器件”创新群体的最新研究成果 ...; 2018-10-12 09:07

天科合达公司参展第十二届欧洲碳化硅及相关材料会议（ECSCRM2018）: 2018年9月2日至6日，第十二届欧洲碳化硅及相关材料会议（ECSCRM2018）在英国第二大城市伯明翰市国际会展中心顺利召开。会议以大会报告、企业论坛和论文报告的形式，集中展示和讨论了以碳化硅为主的宽禁带半导体领域 ...; 2018-9-13 08:35

中科院微电子所在8寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆: 来源：集成电路先导技术研发中心近日，中国科学院微电子研究所研究员Henry Radamson和副研究员王桂磊在先导中心8寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆。该项技术突破，实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微调 ...; 2018-9-5 09:06

北方华创深耕宽禁带半导体领域，成功揽获高性能氮化镓工艺装备批量采购订 ...: 来源：今日半导体近日，北方华创微电子成功获得了位于苏州的一家知名化合物半导体公司批量采购订单，订单包括了ELEDE®330SG刻蚀机、SW GDE C200刻蚀机、 EPEE550 PECVD在内的数十台设备。本次需求源自苏州一家 ...; 2018-9-4 09:34

潜丰控股集团携手米格实验室打造新材料与半导体“产学研用” 一体化产业 ...: 来源：米格实验室中美贸易战的爆发，半导体芯片受到了国外极大的进口限制，在强大的内需带动下，我国半导体产业将迎来历史性的发展机遇。国家正在加速整个产业链上下游的布局，同时给予非常高的重视和一系列的扶持政 ...; 2018-8-30 08:41

天科合达公司参展首届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM-2018): 首届亚太碳化硅及相关材料(GaN, AlN, BN, Ga2O3, ZnO, 金刚石等)国际会议（APCSCRM 2018）于7月9日-7月12日在北京市顺义区中家鑫园温泉酒店胜利召开。大会围绕宽禁带半导体材料生长技术研究、材料结构与物性表征、光 ...; 2018-7-12 20:04

助力泰科天润碳化硅电力电子器件产业化做强做大！: 项目名称：碳化硅电力电子器件产业化项目企业简介：泰科天润半导体科技（北京）有限公司（简称“泰科天润”）成立于2011年4月，总部坐落于中国北京中关村东升科技园北领地，是国内第一家致力于第三代半导体材料碳化 ...; 2018-5-15 10:51

新能源汽车，中车电动注入中国“芯”: 火柴盒般大小的黑匣子，肚子里装着小“芯”脏和复杂的“经脉”，能将电能自由转换和控制......这，就是新能源汽车的“芯”——IGBT。作为国内唯一一家拥有从IGBT元器件制造、“三电”关键零部件、动力系统到整车制造 ...; 2018-5-15 10:50

打通技术与产业的通道，推进自主可控第三代半导体产业链发展——北京市科学技术委员会 ...: 4月27日上午，北京市科学技术委员会张光连副主任、新能源与新材料处王红梅副处长、新材料发展中心肖澜主任一行领导莅临天科合达公司调研指导，了解目前天科合达公司生产与运营情况，并针对“大力发展自主可控第三代 ...; 2018-4-28 16:45

探讨科技成果转化为技术标准，助推企业科技成果产业化——天科合达到访国家技术标准创 ...: 近日，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）一行来到国家技术标准创新基地（中关村）建设办公室（以下简称“基地建设办公室”），针对天科合达在“十二五”期间的科技成果转化为技术标准相关事宜 ...; 2018-4-28 09:18

打造中国第三代半导体行业独角兽——中国科学院副院长李树深院士一行莅临天科合达公司 ...: 2018年4月23日下午，中国科学院副院长李树深院士，中国科学院物理研究所党委书记、副所长文亚，中国科学院物理研究所先进材料实验室主任陈小龙研究员，中国科学院大学电子电气与通信工程学院副院长焦建彬教授，中国 ...; 2018-4-25 16:40

中国电科四十六所突破多项关键技术，制备出70mm（长）Х50mm（宽）Х4mm（厚）β-Ga2O ...: β-Ga2O3是一种新型超宽禁带半导体材料，禁带宽度约为4.8eV，击穿电场强度高达8MV/cm，适用于制造高电流密度的功率器件、紫外探测器、发光二极管等。β-Ga2O3是唯一的高温稳定相，可以通过熔体法生长出无杂相的β-Ga ...; 2018-4-3 16:05

天科合达公司起草的首批团体标准发布会成功召开: 2018年3月27日，宽禁带半导体技术标准化论坛暨中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）首批团体标准发布会在北京市中科院物理所召开，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达” ...; 2018-3-30 16:30

泰科天润参展慕尼黑电子展前沿报道: 3月14日，一年一度的慕尼黑电子展（electronica China 2018）在上海新国际博览中心拉开帷幕。作为电子行业最重要的展会之一，慕尼黑电子展以“智向未来”为主题，全方位展示电子产业链的各个关键环节，参展产业包括 ...; 2018-3-15 16:56

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