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【碳化硅专题】6-7月政企协同发力,SST产业化加速落地,全球产能布局全面提速
【碳化硅专题】6-7月政企协同发力,SST产业化加速落地,全球产能布局全面提速
2026年6-7月,碳化硅(SiC)领域在政策引领与市场驱动下持续深化,从地方规划到技术突破、从产业合作到应用落地,多点发力。政策破局:上海临港发布第四代半导体三年行动方案,江苏率先出台固态变压器专项政策,地方 ...
分类:    2026-8-19 12:02
【政策指引】福建“十五五”规划将化合物半导体列为四大核心赛道之一,明确推动宽禁带 ...
【政策指引】福建“十五五”规划将化合物半导体列为四大核心赛道之一,明确推动宽禁带 ...
福建省人民政府日前正式印发《福建省“十五五”新兴产业和未来产业发展规划》(闽政〔2026〕12号)。规划提出,到2030年,力争全省工业战略性新兴产业产值占规模以上工业产值比重达35%左右,集成电路和光电产业集群 ...
分类:    2026-8-19 11:59
GaN器件:AI数据中心、工业自动化、机器人、汽车电子以及能源基础设施等领域应用
GaN器件:AI数据中心、工业自动化、机器人、汽车电子以及能源基础设施等领域应用
如果观察近年来电子系统的发展,会发现一个有趣的现象:无论是AI数据中心、工业机器人、能源基础设施,还是新能源汽车,它们对电源系统的要求都在同步提升。一方面,系统功率持续增长;另一方面,设备尺寸、散热空间 ...
分类:    2026-8-19 11:55
创锐光谱碳化硅晶圆少子寿命成像系统TAU-9000系列产品升级发布
创锐光谱碳化硅晶圆少子寿命成像系统TAU-9000系列产品升级发布
少子寿命是表征半导体材料关键物理属性的重要参数之一。其长短直接影响载流子的迁移距离和器件的响应速度/频率,同时也能体现晶格质量(如点缺陷和杂质元素等),并反映掺杂浓度等重要信息,从而为半导体材料的应用 ...
分类:    2026-8-19 11:48
AI算力电源迭代提速 宽禁带器件成刚需,MPS方案抢占算力电源赛道
AI算力电源迭代提速 宽禁带器件成刚需,MPS方案抢占算力电源赛道
随着AI算力产业高速迭代,数据中心单机柜功率正式迈入兆瓦级时代,800V高压直流、48V中间母线架构全面普及,为电源系统带来全新挑战。在此背景下,SiC、GaN等宽禁带器件彻底摆脱可选升级的定位,成为AI算力电源的核 ...
分类:    2026-8-14 10:31
4英寸蓝宝石衬底上实现10 μm高质量、无裂纹的氮化铝薄膜
4英寸蓝宝石衬底上实现10 μm高质量、无裂纹的氮化铝薄膜
氮化铝(AlN)凭借其优异的光学透过率、宽带隙(约 6.2 eV)和卓越的热稳定性等,在高效光电器件、超高压电力电子器件领域具有重要应用价值。因此,晶圆级体单晶AlN的制备备受关注,但目前仍面临严峻挑战。高温退火 ...
分类:    2026-8-14 10:30
立项征集| 关于征集宽禁带联盟第十批团体标准项目立项提案的通知
各相关单位:为了推动宽禁带半导体研发、生产及应用等领域的质量标准体系建设;完善宽禁带半导体相关设备(耗材)-衬底-外延-器件-模块-应用全产业链产业共性关键技术体系;填补宽禁带半导体产业技术创新活动中形成 ...
分类:    2026-8-14 10:26
从公路到机架:800V电动汽车创新如何重新定义AI数据中心供电架构
从公路到机架:800V电动汽车创新如何重新定义AI数据中心供电架构
电动汽车向800V架构的转型加速了宽禁带半导体的商业化进程,带来了更长的续航里程、更快的充电速度和更高的电驱动效率。与此同时,AI数据中心正被推向越来越高的功率等级,以支持未来几代AI训练和推理。数据中心行业 ...
分类:    2026-8-14 10:24
宽禁带科技论|单晶碳化硅晶片化学机械抛光技术对比研究
宽禁带科技论|单晶碳化硅晶片化学机械抛光技术对比研究
2026-08-14 08:58·宽禁带联盟近日,广东技术师范大学付有志团队在《人工晶体学报》发表综述论文,系统比较了单晶碳化硅晶片化学机械抛光(CMP)及其复合强化技术的研究进展。SiC硬度高、化学惰性强,实现其原子级光 ...
分类:    2026-8-14 10:14
超26亿!又有2家企业投建SiC项目
超26亿!又有2家企业投建SiC项目
近日,又有2家企业投建SiC项目,其中包括面向汽车和算力电源领域的SiC产品,意味着国内碳化硅迭代进程加快:悉智科技:2个SiC项目加速落地,合计投资20.5亿元;蓝辉科技:投资5.9亿元,在西安高陵建碳化硅材料生产研 ...
分类:    2026-8-12 09:54
英飞凌RIC70115深度解析:专为卫星与高可靠性空间应用打造
英飞凌RIC70115深度解析:专为卫星与高可靠性空间应用打造
8月10日,Power Electronics News发布了对英飞凌RIC70115抗辐射GaN HEMT栅极驱动器的技术解析。该器件专为卫星及其他高可靠性空间应用设计。在线上媒体简报会上,英飞凌HiRel空间产品高级营销经理Blake Soileau和产 ...
分类:    2026-8-12 09:53
IGBT芯片结构解说:看懂IGBT结构
IGBT芯片结构解说:看懂IGBT结构
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的名字听起来复杂,但从结构上看,它本质上是在功率MOSFET的基础上叠加了一层P型半导体,来引入"电导调制"效应,以降低导通电阻。理解这一点,就能理解IGBT结构的来龙去脉。本文从MOS ...
分类:    2026-8-12 09:48
Wolfspeed联手光宝抢滩800V数据中心
Wolfspeed联手光宝抢滩800V数据中心
近期,碳化硅芯片制造商#Wolfspeed 与电源解决方案供应商#光宝科技 宣布建立战略合作关系。根据双方协议,Wolfspeed的碳化硅MOSFET产品将被用于光宝科技800V DC sidecar及机架电源供应单元等平台,主要面向超大规模A ...
分类:    2026-8-11 10:51
富加镓业与芯长征集团达成战略合作,氧化镓产业化迈向全链协同
富加镓业与芯长征集团达成战略合作,氧化镓产业化迈向全链协同
日前,杭州富加镓业科技有限公司(以下简称“富加镓业”)与江苏芯长征微电子集团股份有限公司(以下简称“芯长征集团”)正式签署战略合作协议。双方将围绕氧化镓“衬底—外延—器件—模块—应用”全链路协同创新, ...
分类:    2026-8-11 10:36
【科研速递】电子科技大学与深圳平湖实验室实现650V p-GaN HEMT短路性能创纪录突破, ...
【科研速递】电子科技大学与深圳平湖实验室实现650V p-GaN HEMT短路性能创纪录突破, ...
近日,电子科技大学与深圳平湖实验室的研究团队在650V肖特基p-GaN高电子迁移率晶体管上取得了创纪录的短路性能突破。相关成果发表于《IEEE Transactions on Power Electronics》。该器件在单次短路事件中实现了629微 ...
分类:    2026-8-11 10:35

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