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金刚石半导体新突破：FIB技术实现高效欧姆接触: 金刚石作为一种具有超宽带隙的半导体材料，凭借其卓越的热导率和低介电常数，成为高功率电子器件的理想选择。然而，制作高效的电接触，尤其是在n型金刚石上，仍然是一个挑战。近日，西班牙加迪斯大学研究人员，利用 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-31 13:55

JAC丨浙江大学杨德仁院士、张辉教授团队：纳米压痕法研究铸造生长β-Ga₂O₃ ...: 由浙江大学杨德仁院士、张辉教授的研究团队在学术期刊 Journal of Alloys and Compounds 发布了一篇名为 Investigation of dislocation mobility on the cast-grown β-Ga2O3:(100) by nanoindentation（纳米压痕法 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-31 13:52

哈工大深圳宋清海/周宇课题组实现4H-SiCOI单自旋-腔确定性耦合: 导读构建片上量子网络的核心挑战，在于如何在微纳芯片上同时实现单光子的高效产生、精准操控与低损传输。碳化硅（SiC）凭借其优异的长寿命色心资源与成熟的CMOS工艺兼容性，被视为这一领域的理想载体。然而，长期以 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-31 13:45

氮化镓在太阳能微型逆变器中的角色，正在发生质变: 在光伏功率电子领域，微型逆变器（Microinverter）始终被视为“系统效率天花板”的一种实现方式。而近几年，随着氮化镓（GaN）功率器件在开关频率、损耗与集成度上的持续突破，这一原本偏向系统层面的创新，正在被重 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-30 09:46

住友金属：键合SiC衬底获采用: 12月22日，住友金属矿业株式会社宣布，他们的键合SiC衬底 “SiCkrest®” 已被新电元工业株式会社用于开发MOSFET器件。文章介绍，住友金属的“SiCkrest®”衬底采用专有键合技术，通过在低电阻多晶碳化硅支 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-30 09:44

国际首次！长三角联合攻关突破8英寸VB法氧化镓单晶制备技术: 12月27日，在上海市科委第四代半导体战略前沿专项支持下，中国科学院上海光机所（以下简称“上海光机所”）联合杭州富加镓业科技有限公司（以下简称“富加镓业”），在国际上首次采用垂直布里奇曼法（VB法）制备出8 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-30 09:42

碳化硅（SiC）：下一代先进封装中介层（Interposer）的趋势探讨: 来源：硅基皮特Peterverse*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2025-12-30 09:32

晶湛半导体5kV多通道双向GaN功率器件实现关键突破！: 近日，晶湛半导体在高电压氮化镓（GaN）功率器件领域取得重要进展。由晶湛半导体深度参与、联合香港大学张宇昊、汪涵教授课题组的研究成果，成功入选 2025 年 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 20 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-29 09:31

国产SiC加速规模化：中车36万片/年晶圆线通线，比亚迪24万片/年芯片项目验收: 国产碳化硅（SiC）产业近日迎来规模化落地的标志性进展。比亚迪与中车时代半导体两大龙头企业先后传出重磅消息：中车的8英寸SiC晶圆产线则成功通线，比亚迪的SiC芯片项目已正式通过验收，两者合计将带来超过60万片/ ...; 分类: 新闻通知 2025-12-29 09:24

重庆师范大学 Gr/β-Ga2O3异质结光伏/光电导双模可调谐光电探测器: 重庆师范大学李万俊教授团队（宽带隙半导体材料与器件团队）在Gr/β-Ga2O3异质结光伏/光电导双模可调谐光电探测器研究中取得进展。相关成果以“Voltage-Tunable Graphene/β-Ga2O3 Heterojunction Solar-Blind Photo ...; 分类: 新闻通知 2025-12-26 10:47

SiC 和 GaN 市场格局的演变: 随着电源管理成为汽车电气化和人工智能数据中心等新兴电子应用的基本方面，碳化硅和氮化镓等宽禁带化合物半导体成为行业动态强劲的研究对象。本文将简要概述近期影响SiC和GaN行业格局演变的一些事件和趋势，重点关注 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-26 10:35

大连理工大学：基于β-Ga₂O₃/Si异质结的超高效率日盲紫外检测: 由大连理工大学梁红伟教授、常玉春教授的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 Ultrahigh-efficiency solar-blind ultraviolet detection with a β-Ga2O3/Si heterojunction（基于 β-Ga2O3/ ...; 分类: 新闻通知 2025-12-25 09:58

南理工联合昕感科技突破SiC开关损耗预测难题：AI模型4.95毫秒精准预测，误差低至1.13%: 近日，南京理工大学微电子学院（集成电路学院）教师王酉杨以第一作者身份在功率半导体领域国际顶级期刊《IEEE Transactions on Power Electronics》发表了题为“ANN-assisted Switching Loss Prediction for SiC MOS ...; 分类: 新闻通知 2025-12-25 09:52

GaN行业进入分化时代：告别技术狂热，走向成本与场景的终极博弈: 在半导体市场，氮化镓（GaN）作为第三代半导体的核心材料，凭借宽禁带特性、高电子迁移率以及卓越的耐高温、耐高压性能，近年来被视作通信、新能源、消费电子等众多领域的终极解决方案，引得全球半导体巨头纷纷重兵 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-25 09:50

中国定义SiC新周期：占据全球40%晶圆产能，设备国产化加速新格局: 功率型碳化硅（SiC）市场正持续转型。在经历了2019年至2024年间前所未有的投资浪潮后，该行业目前正进入调整期。Yole Group最新发布的报告对这一转变进行了深入分析。他们表示，汽车市场的放缓降低了对碳化硅的需求 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-24 09:46

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