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【招聘】惠丰钻石压机事业部高薪诚聘！五险一金+多项福利+清晰晋升，寻找最“压”轴的 ...: 与强者同行，与压力共舞我们不只是制造设备，更在塑造行业未来惠丰钻石压机事业部，期待你的加入！如果你热爱技术，追求卓越如果你渴望在高温高压的领域里大展拳脚那么，这封邀请函正是为你而来！惠丰钻石压机事业部 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-6 09:53

300mm氮化镓，全球首发: 在IEDM 2025上，英特尔首次展示了一种基于300mm硅基氮化镓工艺的氮化镓Chiplet技术。该氮化镓Chiplet技术具有以下特点：业界最薄的氮化镓Chiplet，其底层硅衬底厚度仅为19μm，取自完全加工、减薄和单晶化的300mm硅 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-6 09:47

【IEDM 2025】北大团队提出 Punch Through GaN HEMT: E-Mode p-GaN Gate Punch-Through HEMT with Robust Non-Destructive Drain Breakdown作者团队：Maojun Wang, Kevin J. Chen, Bo Shen, Jin Wei所属单位：北京大学集成电路学院（School of Integrated Circuits, Pek ...; 分类: 新闻通知 2026-1-6 09:40

onsemi：碳化硅 MOSFET 到底难在哪？: 在功率半导体的技术地图上，碳化硅（SiC）不再是“下一代”，它正迅速成为“主流选择”。过去十年，SiC MOSFET 技术从材料探索走向大规模量产，从高昂“实验品”走向电动汽车核心部件。在这个过程中，技术与成本的双 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-6 09:15

【行业人才招聘】镓仁&浙大︱博士后招聘启事: 一、工作站简介杭州镓仁半导体博士后工作站联合浙江大学博士后流动站。博士后研究工作主要针对氧化镓材料进行系统研究，攻克研发过程中遇到的技术难题，推进企业技术创新步伐，推动与浙江大学更深层次的人才交流和技 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-5 10:13

深度解析 | 人形机器人的“换心”时刻：为何GaN（氮化镓）将替代MOS成为主流？: 2024年，我们讨论的是具身智能的“大脑”（大模型）；到了2025年底，随着各大厂商步入量产前夜，焦点的接力棒正在传向“小脑”与“肢体”——即执行硬件。在人形机器人最核心的关节模组领域，一场从硅基MOS管向氮化 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-5 10:04

突破二十年纪录：西电联合苏州能讯在IEDM发布超高功率密度GaN射频器件技术: 近日，由西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授、周弘教授的研究团队与苏州能讯合作，在氮化镓射频功率器件研究中取得重要突破。该项研究通过采用未掺杂的超宽带隙AlN缓冲层并优化其生长工艺，成功制备出具有原子级 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-5 10:00

“碳化硅进军AR光波导市场”入选2025年半导体产业十大亮点: 编者按：2025年，全球半导体产业在人工智能、高性能计算、数据中心基础设施建设等需求的拉动下，延续增长态势，逻辑IC与存储芯片尤其涨势强劲。WSTS近期将2025年全球半导体市场规模预测向上修正约7%，预计2025年全球 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-4 09:45

宽禁带联盟2025年度精彩时刻 | 感恩相伴，聚力同行: 全面回顾与总结2025年，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“联盟”）在推动产业创新与生态建设方面取得扎实成效。作为行业协同的关键平台，联盟持续聚焦于技术突破与产业升级的核心使命。过去一年，联盟 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-4 09:27

金刚石半导体新突破：FIB技术实现高效欧姆接触: 金刚石作为一种具有超宽带隙的半导体材料，凭借其卓越的热导率和低介电常数，成为高功率电子器件的理想选择。然而，制作高效的电接触，尤其是在n型金刚石上，仍然是一个挑战。近日，西班牙加迪斯大学研究人员，利用 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-31 13:55

JAC丨浙江大学杨德仁院士、张辉教授团队：纳米压痕法研究铸造生长β-Ga₂O₃ ...: 由浙江大学杨德仁院士、张辉教授的研究团队在学术期刊 Journal of Alloys and Compounds 发布了一篇名为 Investigation of dislocation mobility on the cast-grown β-Ga2O3:(100) by nanoindentation（纳米压痕法 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-31 13:52

哈工大深圳宋清海/周宇课题组实现4H-SiCOI单自旋-腔确定性耦合: 导读构建片上量子网络的核心挑战，在于如何在微纳芯片上同时实现单光子的高效产生、精准操控与低损传输。碳化硅（SiC）凭借其优异的长寿命色心资源与成熟的CMOS工艺兼容性，被视为这一领域的理想载体。然而，长期以 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-31 13:45

氮化镓在太阳能微型逆变器中的角色，正在发生质变: 在光伏功率电子领域，微型逆变器（Microinverter）始终被视为“系统效率天花板”的一种实现方式。而近几年，随着氮化镓（GaN）功率器件在开关频率、损耗与集成度上的持续突破，这一原本偏向系统层面的创新，正在被重 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-30 09:46

住友金属：键合SiC衬底获采用: 12月22日，住友金属矿业株式会社宣布，他们的键合SiC衬底 “SiCkrest®” 已被新电元工业株式会社用于开发MOSFET器件。文章介绍，住友金属的“SiCkrest®”衬底采用专有键合技术，通过在低电阻多晶碳化硅支 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-30 09:44

国际首次！长三角联合攻关突破8英寸VB法氧化镓单晶制备技术: 12月27日，在上海市科委第四代半导体战略前沿专项支持下，中国科学院上海光机所（以下简称“上海光机所”）联合杭州富加镓业科技有限公司（以下简称“富加镓业”），在国际上首次采用垂直布里奇曼法（VB法）制备出8 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-30 09:42

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