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耐高温氮化镓芯片问世，助力太空探测与超音速飞行: 两种半导体——碳化硅和氮化镓——正展开一场（毫不夸张地说）激烈的竞争，争夺能够在最高温度下工作的电路。宾夕法尼亚州立大学电气工程教授 Rongming Chu领导的研究人员设计出一款可在800°C（足以融化食盐）下工 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-13 09:23

郑州大学：激光刻写GaN/Ga₂O₃异质结光探测器阵列: 由郑州大学的研究团队在学术期刊Advanced Materials Interfaces发布了一篇名为 Laser Writing of GaN / Ga2O3 Heterojunction Photodetector Arrays（激光刻写 GaN/Ga2O3 异质结光探测器阵列）的文章。项目支持本研 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-13 09:17

全球首款！超宽带宽氮化硼光子忆阻器问世: 近日，国际顶级学术期刊《自然・纳米技术》（Nature Nanotechnology）发表了一项最新研究成果——超宽带氮化硼光子忆阻器问世。该研究由阿卜杜拉国王科技大学张西祥教授领衔的国际团队共同完成，为 “感知-存 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-13 09:05

金刚石砂轮精密加工技术: 作为超硬磨具的核心代表，金刚石砂轮凭借金刚石磨料的超高硬度与优异耐磨性，在精密磨削领域占据不可替代的地位。其研发水平直接影响高端制造领域的加工精度与效率，本文将从材料、结构研发切入，系统阐述其在多领域 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-12 09:10

GaN在半导体行业中的战略重要性: 氮化镓(GaN)已成为半导体行业创新的强大驱动力。GaN 以其卓越的电气性能而闻名，正在变革电力电子、射频器件和 LED 照明。随着各行各业追求更高的效率、更小的尺寸和更可持续的解决方案，GaN在成熟行业和快速增长市 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-12 09:08

SiC和GaN功率器件的可靠性挑战和模型: 碳化硅和氮化镓器件由于其卓越的效率和功率密度，在许多功率转换应用中的采用越来越多。与已有数十年发展历史的成熟硅功率器件相比，这些宽禁带（WBG）器件仍然相对较新。因此，在各种电源转换应用中使用这些器件的 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-12 09:07

中科大杨树教授课题组：极端应力瞬态中的功率芯片实时结温监测: 近日，中国科学技术大学微电子学院杨树教授课题组在功率芯片结温监测研究方向取得新进展，实现了极端应力瞬态过程中GaN功率芯片的高时域分辨率结温监测，相关成果以“Ultrafast Junction Temperature Mapping During ...; 分类: 新闻通知 2025-8-11 09:28

中芯国际：未来将配合建立SiC、GaN等第三代半导体产能: 8月7日，#中芯国际联合CEO赵海军在业绩会上表示，公司未来将根据国际客户的“China for China”需求，配合建立 #SiC（碳化硅）和 #GaN（氮化镓）等第三代半导体产能。这一战略举措标志着中芯国际在第三代半导体领域 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-11 09:25

镓未来：预计GaN芯片收入超1亿: 8月6日，据“36氪”报道，镓未来已经完成亿元级B+轮融资，由北海山旁边独家投资，资金将主要用于高压/大功率产品研发、供应链建设、业务拓展等方面。此外，他们预计今年芯片销售收入将超过1亿元。值得关注的是，据镓 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-11 09:22

项目申报 | 涉及碳化硅，氧化镓，金刚石多个项目！: 上海市科学技术委员会关于发布2025年度基础研究计划“集成电路”（第二批）项目申报指南的通知沪科指南〔2025〕25号各有关单位：为深入实施创新驱动发展战略，加快建设具有全球影响力的科技创新中心，根据《上海市建 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-11 09:21

两步生长技术如何突破高压GaN HEMT性能瓶颈: GaN器件展现出硅基器件难以企及的优势，例如高击穿电压、快速开关、低开关损耗以及卓越的功率转换效率。然而，GaN材料的生长过程，特别是如何在非原生衬底上实现高质量的外延生长，一直是科研人员面临的巨大挑战。本 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-8 09:34

通过液态金属封装提升SiC功率模块可靠性: 将液态金属（LM）封装集成至SiC半桥功率模块，是解决长期存在技术挑战的一项创新方案。SiC功率器件的优势与封装挑战碳化硅（SiC）功率器件凭借其低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，在电力电子领域展现出卓越性 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-8 09:30

国际首发！深圳平湖实验室研制8英寸4°倾角4H-SiC上高质量GaN外延: 近日，深圳平湖实验室在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延（如图1）。该成果打破了大尺寸GaN与SiC材料单片集成的技术瓶颈，为GaN/SiC混 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-8 09:28

氧化镓HFET结合了多晶型: 台湾国立中山大学宣布首次成功演示由ε多晶型层和α多晶型层构成的氧化镓（Ga2O3）异质结场效应晶体管（HFETs），两层之间通过掺锡（Sn）过渡层连接。相较于仅由α多晶型材料构成的类似同质结构金属-半导体场效应晶 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-7 09:28

Novel Crystal Technology与Kyma合作开发氧化镓外延片: 位于美国北卡罗来纳州罗利市的 Kyma Technologies 公司和位于日本埼玉县狭山市的 Novel Crystal Technology Inc (NCT) 正在合作开发氧化镓 (Ga2O3) 外延片，旨在加速 Ga2O3 器件在高压电力电子应用（包括电动汽车、 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-7 09:22

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