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盛大启幕 | 第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2024)
盛大启幕 | 第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2024)
近几年,宽禁带半导体材料(SiC,GaN,Ga2O3,AlN,金刚石等)以其独特的物理和化学性能成为制造耐高温、耐高压、高频高功率、低损耗半导体器件的首选材料。从消费电子到工业电子,从新能源汽车到轨道交通,从光伏、 ...
分类:    2024-7-3 09:38
氧化镓携手碳化硅,杭州镓仁与苏州迈姆思签订战略合作协议
氧化镓携手碳化硅,杭州镓仁与苏州迈姆思签订战略合作协议
据苏州纳米城官微消息,近日,苏州纳米城企业—苏州迈姆思半导体科技有限公司(以下简称“迈姆思 ”)与杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁”)于杭州签订战略合作协议。双方将依托各自的资源和技术优势,在先 ...
分类:    2024-7-2 09:07
中科院物理所&晶格领域:晶圆级高晶体质量p型碳化硅单晶的制备
中科院物理所&晶格领域:晶圆级高晶体质量p型碳化硅单晶的制备
研究背景碳化硅(SiC)因其优异的性能,成为电动汽车、光伏和轨道交通等领域的重要材料。特别是n沟道绝缘栅双极型晶体管(n-IGBT)因其高电压和低导通电阻性能,广泛应用于基于4H-SiC的器件。然而,n-IGBT的发展受限 ...
分类:    2024-7-2 09:05
纳芯微:高性能高可靠栅极驱动及SiC器件助力新能源汽车三电升级
纳芯微:高性能高可靠栅极驱动及SiC器件助力新能源汽车三电升级
今日,纳芯微功率器件总监高金萍在“2024第四届全球xEV驱动系统技术暨产业大会”上纳芯微功率器件总监高金萍以《高性能高可靠栅极驱动及SiC器件助力新能源汽车三电升级》为主题做了相关报告,以下为文字转录:本次报 ...
分类:    2024-7-1 09:05
韩国电子通信研究院开发出3kV级氧化镓外延层和器件技术
韩国电子通信研究院开发出3kV级氧化镓外延层和器件技术
在韩国文化体育观光部的支持下,韩国政府资助的非营利性电子通信研究院(ETRI)与韩国陶瓷工程技术研究所(KICET)合作,开发出了氧化镓(Ga2O3)功率半导体的核心材料和器件工艺技术,即韩国开发的首款3kV级氧化镓 ...
分类:    2024-7-1 09:04
论文推介丨重掺杂P型SiC的熔融KOH刻蚀行为研究
论文推介丨重掺杂P型SiC的熔融KOH刻蚀行为研究
SiC具有带隙宽、击穿电场强度高和热导率高等优异的物理性能,成为制备半导体功率器件和微波射频器件的理想材料。但是,SiC晶体中存在大量的位错,如穿透型螺位错(TSD)在外延时会产生Frank型堆垛层错或胡萝卜缺陷,大 ...
分类:    2024-7-1 09:03
纳米金刚石抛光液:SiC超精抛光的“白月光”
纳米金刚石抛光液:SiC超精抛光的“白月光”
SiC作为衬底材料,单晶SiC的表面粗糙度直接影响其在电子器元件中工作的效果与性能。为确保单晶SiC在半导体、衬底材料中的应用的稳定性,其表面粗糙度往往要达到纳米级或以下(工业要求Ra0.3nm)。众所周知,SiC很硬 ...
分类:    2024-6-28 09:55
氧化镓异质结界面
氧化镓异质结界面
金属、绝缘层和其他半导体等不同材料之间的各种类型的电接触是构建器件结构的基础。β-Ga2O3等材料之间的不同接触类型和界面质量充分发挥β-Ga2O3材料的优点,目前 β-GA2O3均匀PN结的实现仍然是一个很大的挑战,其 ...
分类:    2024-6-28 09:48
新增3个SiC项目,已获11+亿资助
新增3个SiC项目,已获11+亿资助
近期,欧盟、韩国均宣布拨款加码SiC产业化,资助金额合计超11亿人民币,法雷奥、贺利氏、SK siltron及DB Hitech等多家企业均已加入到这些资助项目中,详情请往下看。欧盟资助FastLane项目法雷奥、贺利氏已加入6月24 ...
分类:    2024-6-28 09:01
星驱科技郑富辉:基于新一代EE架构多合一跨域控制器关键技术解析
星驱科技郑富辉:基于新一代EE架构多合一跨域控制器关键技术解析
近日,无锡星驱动力科技有限公司用户体验总监郑富辉“2024第四届全球xEV驱动系统技术暨产业大会”上基于新一代EE架构多合一跨域控制器关键技术,分享以下几点内容:1、无锡星驱科技有限公司介绍2、多合一跨域控制器 ...
分类:    2024-6-28 08:51
Wolfspeed宣布8英寸碳化硅晶圆工厂实现20%利用率
Wolfspeed宣布8英寸碳化硅晶圆工厂实现20%利用率
6月26日, Wolfspeed官微发布其碳化硅的两项进展。一是莫霍克谷碳化硅芯片工厂已经实现了 20% 晶圆启动利用率,该工厂为8英寸碳化硅工厂。二是碳化硅材料工厂已经达成其 200mm 碳化硅衬底产能目标,将可以支持 MVF ...
分类:    2024-6-27 09:21
搭上AI快车,第三代半导体要起飞了?
搭上AI快车,第三代半导体要起飞了?
第三代半导体功率器件主要以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表,具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能。其中,SiC功率器件应用领域广泛,新能源汽车已成为其主要应用市场之一。与硅基 ...
分类:    2024-6-27 09:19
碳化硅新应用,热电池转换效率创新高
碳化硅新应用,热电池转换效率创新高
长时间电网级储能将出现新的解方。美国密西根大学开发的热电池,其热能转换器效率达到44%,表现也优于常见的蒸汽涡轮机,其平均效率为35%。太阳能、风力发电成本虽然快速下跌,但是只有再生能源价格下降还不够,因为 ...
分类:    2024-6-27 09:15
芯联集成等启动2个SiC收购案
芯联集成等启动2个SiC收购案
近期,据发现,国内外新增了2起SiC收购案:芯联集成:拟收购控股子公司芯联越州剩余所有股权;Kymera:将收购收购SiC材料企业Fiven ASA。芯联集成:拟收购芯联越州股权6月21日,芯联集成发布公告称,公司拟通过发行 ...
分类:    2024-6-26 09:24
SiC MOSFET 短路检测与保护研究综述
SiC MOSFET 短路检测与保护研究综述
文章来源:电工技术学报作者:吴海富张建忠赵进张雅倩(江苏省智能电网技术与装备重点实验室(东南大学))摘要:随着宽禁带半导体器件的发展,SiC MOSFET 被广泛应用于工业领域,其短路保护也越来越多地为人们所重 ...
分类:    2024-6-26 09:21

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