中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 ›新闻通知

新闻通知

下级分类: 公告通知|联盟动态

安森美：锁定近140亿元订单！: 今日，安森美宣布已锁定共计19.5亿美元（约合人民币139.24亿元）的长期供货协议（LTSA），为多家领先的光伏逆变器制造商提供智能电源技术。目前，安森美与前10大光伏逆变器供应商中的8家签订了LTSA。光伏逆变器将太 ...; 分类: 新闻通知 2023-7-28 11:00

电子科技大学罗小蓉课题组在超宽禁带半导体氧化镓功率器件领域取得研究进展: 半导体材料氧化镓因其超宽禁带和高临界击穿电场，其巴利加优值（3444）远大于 SiC（340）和 GaN（870），且可通过多种较低成本的熔体法生长高质量、大尺寸的单晶，能够满足新一代电源系统与功率电子装置大功率、高效 ...; 分类: 新闻通知 2023-7-27 09:22

碳化硅二极管VS硅二极管，碳化硅有哪些优势呢？: 碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，可实现以前使用硅（Si）无法实现的许多高功率应用。650V碳化硅肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用，可应对高电压和高电流应用带来的挑战。那么碳 ...; 分类: 新闻通知 2023-7-27 09:16

上千亿元！从签单、扩产项目看SiC如何“狂飙”: 2022年被视为SiC碳化硅的爆发元年：大额订单的签署、大规模的扩产、广而深的上下游合作、持续增加的功率半导体应用案例······种种迹象表明，SiC真的火。而这个情况从供应链的业绩中可以更直观地得到反映。01丰 ...; 分类: 新闻通知 2023-7-27 09:12

超强嘉宾阵容!2023宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛: 2023宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛将于2023年8月9日——8月11日在北京铁道大厦隆重开幕，论坛以“创新驱动高质量发展”为主题，邀请行业权威专家和龙头企业家代表，聚焦先进技术创新与产业发展应用， ...; 分类: 新闻通知 2023-7-27 09:08

车规级功率器件需求扩增，氮化镓要“吃进”部分碳化硅市场？: 根据韩国媒体 BusinessKorea 报导，三星电子即将进军氮化镓（GaN）市场，目的是为了满足汽车领域对功率半导体的需求。报导引用知情人士的说法指出，三星电子近期在韩国、美国举办的“2023三星晶圆代工论坛”活动宣 ...; 分类: 新闻通知 2023-7-24 09:27

关于征求团体标准《半导体设备前端模块》（征求意见稿）意见通知: 各有关单位、各专委会：由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口管理，北京锐洁机器人科技有限公司等相关单位共同起草的《半导体设备前端模块》团体标准已完成征求意见稿，现面向社会各界公开征求意见。有关意见反 ...; 分类: 公告通知 2023-7-24 09:26

项目征集令 | 科创中国宽禁带半导体新材料与装备专场活动: 各联盟会员及相关单位：“科创中国”技术路演旨在落实中国科协服务科技经济融合发展行动，构建政产学研用金介合作平台，打通产业链、创新链，创新资源云聚集、优质项目云分享、创新主体云联结，推进创新成果转移转化 ...; 分类: 公告通知 2023-7-24 09:25

参会单位公布 2023宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛: 2023宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛将于2023年8月9日——8月11日在北京铁道大厦隆重开幕，论坛以“创新驱动高质量发展”为主题，邀请行业权威专家和龙头企业家代表，聚焦先进技术创新与产业发展应用， ...; 分类: 公告通知 2023-7-24 09:22

关于征求团体标准《半导体设备前端模块》（征求意见稿）意见的通知: 各有关单位、各专委会：由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口管理，北京锐洁机器人科技有限公司等相关单位共同起草的《半导体设备前端模块》团体标准已完成征求意见稿，现面向社会各界公开征求意见。有关意见反 ...; 分类: 公告通知 2023-7-21 18:57

关于征求团体标准《大尺寸碳化硅单晶抛光片》（征求意见稿）意见的通知: 各有关单位、各专委会：由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口管理，北京天科合达半导体股份有限公司等相关单位共同起草的《大尺寸碳化硅单晶抛光片》团体标准已完成征求意见稿，现面向社会各界公开征求意见。有 ...; 分类: 公告通知 2023-7-21 10:22

哈工大朱嘉琦教授团队：终端金刚石能带结构与物理性能的研究进展: 摘要：5G 通信、能源互联网、新能源汽车、量子技术等高精尖领域对半导体的性能提出了新的更高的要求。第四代半导体金刚石因具有优异的物理化学性能被誉为“终极半导体”，被认为是制备下一代高功率、高频、高温及低 ...; 分类: 新闻通知 2023-7-21 10:20

实测干货分享！1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试: GaN HEMT功率器件实测及其测试注意事项。氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表，具有极快的开关速度，能够显著提升功率变换器的性能，受到电源工程师的青睐。同时，极快的开关速度又对其动态特性的测试提出了更高的 ...; 分类: 新闻通知 2023-7-21 10:11

【议程来袭】2023宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛: 2023宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛将于2023年8月9日——8月11日在北京铁道大厦隆重开幕，论坛以“创新驱动高质量发展”为主题，邀请行业权威专家和龙头企业家代表，聚焦先进技术创新与产业发展应用， ...; 分类: 公告通知 2023-7-21 10:08

氮化镓 | 功率模块厂商和GaN器件厂商签署谅解备忘录，开发扩大电动汽车续航里程技术: 英国剑桥的功率电子公司Quantum Power Transformation（QPT）宣布，它已经创造了驱动、控制和传感技术，以最大限度地提高氮化镓（GaN）晶体管的性能，并克服了使用硬开关的高功率和高压应用在100kHz至20MHz频率范围 ...; 分类: 新闻通知 2023-7-20 09:54

1 ... 98 99 100 101102103 104 105 ... 262 / 262 页下一页

相关分类

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部