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中国科大龙世兵课题组研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管: 近日，记者从中国科学技术大学获悉，该校微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台，分别采用氧气氛围退火和氮离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果分别以“Enhancem ...; 分类: 联盟动态 2023-3-1 09:47

大尺寸碳化硅晶体生长热-质输运过程建模及数值仿真: 摘要碳化硅（SiC）电子器件的性能和成本受衬底质量影响，通过物理气相传输（PVT）法生长大直径高品质 SiC 单晶体意义重大。PVT 法主要面临热场设计与气流控制问题。本工作对电阻加热 PVT 法生长 150 mm SiC 单晶体 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-1 09:39

加速AlN的HVPE生长: 振荡寄生反应使HVPE能够加速高质量AlN的生长日本和波兰的研究人员之间的一项合作声称在开发高结构质量的AlN衬底方面取得了重大突破，该基板在紫外线下具有优异的透明度。该团队使用了一种新的Taiyo Nippon Sanso HVP ...; 分类: 联盟动态 2023-2-28 09:37

解决金刚石半导体产业化进程中的关键难题: 金刚石基GaN散热第三代半导体产业是现代社会发展的基石，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。在光电子、大功率器件和高频微波器件等应用方面有着广阔的前景，其中，GaN具有禁带宽度大( ...; 分类: 联盟动态 2023-2-28 09:35

碳化硅促进航空电子系统设计演进: 作者：罗宁胜 ,曹建武 CISSOID中国代表处随着碳化硅半导体技术的进步，航空电子系统也呈现了新的发展趋势。碳化硅功率器件的成熟极大地促进了航空机载传感器、执行机构和控制系统以及电源系统设计等层面的演进，具体 ...; 分类: 联盟动态 2023-2-28 09:29

政策利好 | 工信部等七部门印发智能检测装备产业发展三年行动计划: 导读工业和信息化部、国家发展改革委、教育部、财政部、国家市场监管总局、中国工程院、国家国防科工局等七部门近日联合印发《智能检测装备产业发展行动计划（2023—2025年）》，提出到2025年，智能检测技术基本满 ...; 分类: 联盟动态 2023-2-27 09:34

氮化镓功率器件领域的新选择: 自2021年苹果首次推出氮化镓（GaN）快充，将GaN技术在功率器件上的应用推向首个巅峰，此后GaN在600~900V以及200V以下电压区间应用实现了迅猛增长。Yole数据指出，2021年到2027年期间，GaN功率器件市场CAGR达52%，整 ...; 分类: 联盟动态 2023-2-27 09:21

PVD和CVD无机薄膜沉积方式大全: 01 Physical Vapor Deposition (PVD)Physical Vapor Deposition (PVD) 亦称为物理气象沉淀技术。该技术在真空条件下，通过先将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等 ...; 分类: 联盟动态 2023-2-27 09:19

SiC是如何带动这家日企，营收25%年复合增长的: SiC是如何带动这家日企，营收25%年复合增长的2023-02-24 09:00·宽禁带联盟半导体整个行业不同结构的行情的确可谓冰火两重天，一部分市场正遭受严寒，另一部分却有着相当不错的增长势头。最近罗姆半导体召开了一场媒 ...; 分类: 联盟动态 2023-2-24 09:48

充电桩全球规模向上，800V超充催化SiC模块加速渗透: 近日，国家标准化管理委员会正式下达工业和信息化部提出、全国汽车标准化技术委员会归口的《电动汽车传导充电用连接装置第1部分：通用要求》推荐性国家标准修订计划。文件中称，标准的修订是由于新能源汽车续驶里程 ...; 分类: 联盟动态 2023-2-24 09:27

南科大化梦媛团队揭示与氮化镓晶格匹配的GaON纳米层的形成机理及应用: 近日,南方科技大学电子与电气工程系助理教授化梦媛团队通过原位两步“氧化-重构”过程将GaN表面转化为氮氧化镓(GaON)外延纳米层，克服了这一关键挑战。这项工作以“Formation and Applications in Electronic Device ...; 分类: 联盟动态 2023-2-24 09:26

碳化硅湿法腐蚀工艺研究: 摘要碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性，是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料。得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点，湿法腐蚀已 ...; 分类: 联盟动态 2023-2-23 10:00

氧化镓技术工艺进展: 近来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮 ...; 分类: 联盟动态 2023-2-23 09:55

联盟活动 | 碳化硅功率器件在新能源汽车中应用路演 2月28日19:00不见不散: ⏰【下周二 19:00】碳化硅功率器件在新能源汽车中应用我们邀请到「芯塔电子应用技术总监李冬黎博士」分享碳化硅产业的现状、前景、机遇与挑战~; 分类: 公告通知 2023-2-23 09:48

碳化硅功率器件封装关键技术: 摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大， ...; 分类: 联盟动态 2023-2-22 09:30

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