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SiC抛光材料厂商普瑞昇完成数千万元融资: 6月1日，据中南创投基金官微消息，无锡普瑞昇新材料科技有限公司（以下简称普瑞昇新材料）于5月30日完成数千万元PreA轮融资。普瑞昇新材料本轮融资中，其老股东诺延资本、中南创投基金、无锡云林基金继续加持。sourc ...; 分类: 新闻通知 2024-6-4 09:23

这座8英寸SiC晶圆厂三菱电机将提前5个月开始运营: 近日，三菱电机在业绩说明会上表示，为响应强劲的市场需求，公司位于熊本县正在建设的SiC晶圆厂将提前开始运营。该工厂的运作日期从2026年4月变更为2025年11月，运营时间提前了约5个月。据悉，2023年3月，三菱电机宣 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-4 09:20

意法半导体在欧洲建设8英寸全集成碳化硅工厂: 5月31日，意法半导体宣布将在意大利卡塔尼亚将新建一座大批量 200 毫米碳化硅制造工厂，总投资50亿欧元，其中意大利政府在欧盟芯片法案框架下提供 20 亿欧元支持。新工厂计划于 2026 年开始生产，到 2033 年达到满负 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-4 09:19

对话芯联集成总经理赵奇：8英寸碳化硅“器件制造”难在哪里？: 5月30日，国内晶圆代工巨头芯联集成总经理赵奇接受了《每日经济新闻》在内的媒体的采访。芯联集成为汽车、新能源、工控、家电等领域提供完整的系统代工解决方案，其为国内具备车规级IGBT（绝缘栅双极型晶体管）/SiC ...; 分类: 新闻通知 2024-6-4 09:17

【参会须知】倒计时2天！2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛: ——凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛尊敬的各位参会代表：欢迎您参加凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰，会议将于6月5日-7日，北京·亦庄格 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-4 09:14

氨热法 GaN 单晶生长及位错演变: 1.GaN单晶衬底制备方法介绍目前，制备GaN单晶衬底的方法主要有氢化物气相外延 (hydride vapor phase epitaxy，HVPE)法、氨热法和助熔剂法。HVPE 中可以用侧向外延生长技术和增加晶体生长厚度来降低位错密度，可将位 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-3 10:27

氨热法 GaN 单晶生长及位错演变: 1.GaN单晶衬底制备方法介绍目前，制备GaN单晶衬底的方法主要有氢化物气相外延 (hydride vapor phase epitaxy，HVPE)法、氨热法和助熔剂法。HVPE 中可以用侧向外延生长技术和增加晶体生长厚度来降低位错密度，可将位 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-3 10:27

GaN厂商合作案+2: 近期，GaN产业各类动态让人目不暇接，涉及技术进展、新品发布、项目建设、融资并购、厂商合作等方方面面，而在近日，GaN产业链又新增两起合作案例，这在-定程度上显示了GaN产业热度正在持续上涨CGD与ITRI签署GaN电源 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-3 10:21

产值将破5亿！该SiC企业投资10亿新建项目: 近日，浙江嘉兴再引进一个SiC相关项目，总投资达10亿元。据不完全统计，今年以来该地已经新签了3个SiC相关项目。致瞻科技：投资10亿建SiC器件项目5月27日，据“嘉善发布”官微消息，浙江嘉兴市嘉善县举办了2024投资 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-3 10:19

碳化硅芯片的设计和制造: 首先，下图是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。图一.制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆芯片表面一般是如图二所示，由源极焊盘(Source pad)，栅极焊盘(Gate Pad)和开尔文源极焊盘(Kelvin Source Pad)构 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-3 10:16

谱育科技邀您参加2024宽禁带半导体先进技术创新与应用高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-3 10:07

北方华创/晟光硅研/赛尔科技/优睿谱/青禾晶元齐聚北京高峰论坛: 2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛将于6月5日-7日在北京格兰云天国际酒店隆重举办，会议将围绕“凝芯聚力，降本增效”主题，聚焦产业链关键领域，涵盖材料、装备、器件等，与业界精英共同探讨降本增效 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-3 09:56

倒计时5天 | 报名持续走高！2024宽禁带半导体北京峰会参会攻略: 凝芯聚力降本增效宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛6月5日-7日，宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于北京·亦庄格兰云天国际酒店召开。感谢您一路以来的支持与陪伴！本次论坛，将以“凝芯聚力，降本增 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-3 09:03

什么是SiC涂层石墨基座？: 在半导体产业的快速发展中，SiC涂层石墨基座作为一项关键技术，正逐渐走进人们的视野。今天，让我们一起来揭开SiC涂层石墨基座的神秘面纱，探索它在半导体制造中的重要性。什么是SiC涂层石墨基座？SiC涂层石墨基座， ...; 分类: 新闻通知 2024-5-30 14:15

英飞凌推出400V CoolSiC MOSFET，满足AI服务器电源需求: 近日，英飞凌科技公司（Infineon Technologies）扩展了其碳化硅（SiC）MOSFET产品线，推出电压低于650V的新产品，以满足人工智能（AI）服务器电源的需求。新推出的400V CoolSiC MOSFET系列基于今年早些时候发布的第 ...; 分类: 新闻通知 2024-5-30 14:11

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