中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 ›新闻通知

新闻通知

下级分类: 公告通知|联盟动态

西电芜湖研究院宽禁带半导体器件试制线成功通线: 3月25日，西电芜湖研究院举办宽禁带半导体器件试制线通线仪式，中国科学院院士郝跃，芜湖市人民政府副市长朱的娥出席活动并致辞。朱的娥对西电芜湖研究院试制线成功通线表示祝贺。朱的娥表示，试制线成功通线是西芜 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-31 09:41

从美国总统访问Wolfspeed，看美日欧SiC扩产潮: 3月28日，Wolfspeed官网发文称，美国总统的“投资美国”之旅的第一站美视察了Wolfspeed总部，足见美国政府对碳化硅这一汽车关键材料和部件的重视。某种程度上，央视今年大年初一报道天科合达，也体现了对中国对碳化 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-31 09:39

宽禁带半导体功率器件检测认证及可靠性评价技术进展与趋势成功举办！: 近年来，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代功率半导体迅猛发展，已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点。抓住第三代功率半导体的战略机遇期，实现半导体材料、器件、封装模块和系统开发的自主可控，对保障工 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-31 09:34

基于金刚石的先进热管理技术研究进展: 摘要：以GaN 为代表的新一代半导体材料具有宽禁带、高电子饱和速率、高击穿场强等优异的电学性能，使得射频、电力电子器件有了具备更高功率能力的可能，目前限制器件功率提升的主要瓶颈是缺少与之匹配的散热手段。具 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-30 09:55

GaN出击: 自上世纪五十年代以来，以硅材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管引发了以集成电路为核心的微电子领域迅速发展。随着时间的流逝，尽管目前业内仍然以Si材料作为主流半导体材料，但第二代、第三代甚至是第 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-30 09:42

第三代半导体SiC芯片关键装备现状及发展趋势: 第三代半导体SiC芯片关键装备现状及发展趋势杨金，巩小亮，何永平（中国电子科技集团公司第四十八研究所，湖南长沙 410111）摘要：第三代半导体材料SiC具备熔点高、硬度大、稳定性好等特点，其制备工艺需要开发一 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-29 09:22

用复合晶体管开辟新天地: 独特的集成制造工艺创造了复合晶体管，将氮化镓HEMT的低导通电阻与SiC二极管的非破坏性击穿结合起来。作者：国家先进工业科学技术研究所，Akira NAKJIMA我们这个星球的温度正在上升，这将给人类带来可怕的后果。正因 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-29 09:17

英飞凌 | 新品发布·光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模块: 3月27日，英飞凌对外发布新品—光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模块：光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模块，采用M1H芯片，导通电阻8-17毫欧五个规格，PressFIT压接针和NTC。产 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-29 09:16

SiC，准备好爆发了吗？: 自1991 年第一批晶圆发布后，SiC 的发展相当缓慢，仅仅 20 年后就推出了第一个全 SiC 商用 MOSFET。最终，是特斯拉及其 400V 逆变器在 2018 年将这种复合材料推向了前沿。从那时起，人们对具有高功率密度、效率和高 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-28 09:50

访谈 | SiC和GaN，半导体行业如何助力“绿色低碳”目标？: ——专访意法半导体可持续发展主管意法半导体公司副总裁、可持续发展主管Jean-Louis CHAMPSEIX导读碳达峰、碳中和已经成为全球关注的话题。国务院日前发布的《扩大内需战略规划纲要（2022－2035年）》多处提到要“大 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-28 09:49

国内首条！飓芯科技氮化镓半导体激光器芯片量产线正式投产: 3月22日，飓芯科技的氮化镓半导体激光器芯片量产线投产发布会在柳州市莲花山庄1号厅举行，市长张壮出席发布会并宣布产线正式投产。中国科学院院士、北京大学教授甘子钊，中国工程院院士、清华大学教授罗毅，广西飓芯 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-28 09:47

【联盟活动】“微芯”硬科技项目交流会开始啦！: 2023年4月7日（星期五）14:30-18:00,此次交流会将汇集行业内上中下游以及配套服务类企业，共同分享最新的技术进展和未来的趋势，进而为加快硬科技产业的发展速度，为不同企业之间的合作提供一个交流平台。; 分类: 公告通知 2023-3-28 09:36

SiC MOSFET短路时间为什么小?！: 今天，我们的话题是为什么SiC MOSFET的短路耐受时间比较小？希望你们能够喜欢！短路耐受时间(tsc)对于功率半导体器件来说是一个比较重要的参数，这也是为什么它会成为目前SiC推广和应用中被多次提及的原因。从目前来 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-27 14:17

《Advanced Science》发表常晶晶教授胡显刚博士研究成果: 碳纳米管/硅范德华异质结因可室温制备、工艺简便、成本低等特点已被用于太阳能电池和光电探测器等研究中。在该异质结器件中，碳纳米管薄膜扮演p型功能层和透明电极的角色，因此，调控薄膜的功函数和透明导电性能对器 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-27 14:11

论文推介丨山东大学·钠助熔剂法GaN晶体研究进展: 以GaN为代表的第三代半导体材料具有宽禁带（3.42 eV）、高击穿电压、高机械硬度、高饱和漂移速度、高热导率和强压电系数等优点，是制作耐高温、高压和高功率光电器件、微波和大功率、高频器件的理想材料，而获得性能 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-27 14:09

1 ... 105 106 107 108109110 111 112 ... 253 / 253 页下一页

相关分类

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部