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无锡:全力抢占“三代半”制高点
无锡:全力抢占“三代半”制高点
4月25日,《无锡日报》发表题为《以应用作牵引、加快前瞻布局、锻长项强弱项——无锡全力抢占“三代半”制高点》。文章表示,无锡第三代半导体产业链条逐步完善,具备一定发展基础,如今已初步形成从衬底、外延、晶 ...
分类:    2025-5-6 09:22
SiC收入破10亿!芯联集成等企业披露业绩
SiC收入破10亿!芯联集成等企业披露业绩
近期,芯联集成、斯达半导体及快克智能公布了最新业绩,同时披露了其碳化硅业务进展,详情如下:芯联集成:碳化硅业务收入为10.16亿元,同比增长100%以上。斯达半导体:IGBT单管、SiC 模块等其他产品的收入约为2.7亿 ...
分类:    2025-5-6 09:21
面向高性能、低成本UVC-LED外延的超薄氮化铝单晶复合衬底
面向高性能、低成本UVC-LED外延的超薄氮化铝单晶复合衬底
氮化铝(AlN)单晶材料因其超宽直接带隙(~6.2 eV)特性,成为高铝组分AlGaN基深紫外LED(UVC-LED)外延生长的理想衬底/缓冲层材料。然而,AlN固有的高结晶温度特性使得晶圆级单晶块体材料的制备极具挑战性。尽管高温热 ...
分类:    2025-5-6 09:18
连科半导体八吋硅区熔炉及碳化硅电阻炉成果鉴定达到国际领先水平
连科半导体八吋硅区熔炉及碳化硅电阻炉成果鉴定达到国际领先水平
4 月 27 日,中国有色金属工业协会在无锡组织召开科技成果评价会。由中科院技物所褚君浩院士,有研科技集团周旗钢教授以及来自东南大学,南京航空航天大学,浙大科创中心等的五位专家组成的专家组,对由连科半导体有 ...
分类:    2025-4-30 09:36
破局 2025 邀您共赴:宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛
破局 2025 邀您共赴:宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛
· 会议背景·回顾2024年,宽禁带半导体产业在挑战与机遇并存的道路上取得了显著进展。在新能源汽车,光储充,工业控制,大功率电源等行业,人们对宽禁带半导体器件的接受度大幅提升。从成本角度看,随着技术的不断 ...
分类:    2025-4-30 09:28
详解AR眼镜技术方向:碳化硅SiC+SRG光波导+刻蚀工艺+大尺寸衬底
详解AR眼镜技术方向:碳化硅SiC+SRG光波导+刻蚀工艺+大尺寸衬底
分类:    2025-4-29 09:38
新型SiC模块,可将安装面积减少一半
新型SiC模块,可将安装面积减少一半
ROHM宣称其新型SiC模块已“达到业界顶级水平”,这使得安装面积显著减少。ROHM是业内首家量产SiC功率元器件的公司,这些产品在工业、汽车、铁路以及消费类电子产品等各种领域中被广泛采用。罗姆在SiC功率元器件和模 ...
分类:    2025-4-29 09:26
欢迎新成员——声达半导体设备(江苏)有限公司
欢迎新成员——声达半导体设备(江苏)有限公司
声达半导体设备(江苏)有限公司成立于2023年2月,总公司为张家港市超声电气有限公司,迄今总公司已在行业内深耕20余年,积累了丰富的技术经验,声达半导体设备(江苏)有限公司作为新成立的子公司,自成立以来始终 ...
分类:    2025-4-29 09:23
【免费报名】 如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战,领航器件新发展?——宽禁带 ...
【免费报名】 如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战,领航器件新发展?——宽禁带 ...
在全球新能源汽车产业爆发式增长背景下,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为材料的宽禁带半导体器件在5G/6G通信,新能源领域逐渐带来更高性能的应用。当前,宽禁带半导体在材料生长工艺、器件参数测试标准、车规级可 ...
分类:    2025-4-29 09:18
技术前沿|一文解读氧化镓外延技术
技术前沿|一文解读氧化镓外延技术
氧化镓(Ga₂O₃)作为新兴的第四代半导体材料,因其超宽的禁带宽度(~4.9eV)、高击穿场强(8MV/cm)和优异的Baliga品质因数(约为SiC的10倍、GaN的4倍),在高压功率器件、深紫外光电器件及极端环境电子 ...
分类:    2025-4-28 09:58
芯片级金刚石封装基板制造总部项目签约
芯片级金刚石封装基板制造总部项目签约
4月24日,芯片级金刚石封装基板制造总部项目签约落户江阴霞客湾科学城,为江阴加快培育新质生产力、增强集成电路产业发展支撑力注入强劲动能。无锡市委常委、江阴市委书记许峰出席签约仪式,并与华泰国际能源开发有 ...
分类:    2025-4-28 09:56
3~4英寸Fe掺高阻β-Ga₂O₃单晶的制备及其性能研究
3~4英寸Fe掺高阻β-Ga₂O₃单晶的制备及其性能研究
β-Ga2O3作为超宽禁带半导体材料,因优异的耐高压性能(理论击穿场强达8 MV/cm)和低成本制备潜力,在高压功率电子器件领域备受关注。然而,β-Ga2O3高熔点(约1800 ℃)、各向异性强、易解理等特性使得大尺寸高质量 ...
分类:    2025-4-28 09:35
超30款SiC新车型亮相!上海车展呈现3大新风向
超30款SiC新车型亮相!上海车展呈现3大新风向
4月23日至5月2日,第二十一届上海国际汽车工业展览会在上海如约举行,吸引了来自26个国家和地区的近1000家中外知名企业参展。据上海国展集团等统计,展会首日展出车辆近1300辆,其中新能源汽车约占7成,且首发新车超 ...
分类:    2025-4-27 09:55
2条SiC生产线投产在即,年产能超3万片!
2条SiC生产线投产在即,年产能超3万片!
近日,小编发现茂硅、谱析光晶、鬃晶科技等企业接连传来产线落地、园区入驻等消息,为SiC产业链注入新动力:茂硅:SiC制程产线即将投产,产能达3000片/月4月23日,据中国台湾媒体报道,中国台湾晶圆代工厂茂硅透露, ...
分类:    2025-4-27 09:41
南京IGBT/SiC功率模块项目投产,年产250万只
南京IGBT/SiC功率模块项目投产,年产250万只
4月23日,丹佛斯动力系统官方宣布,他们的南京功率模块园区正式启用,总投资超8亿元,可年产IGBT/SiC功率模块250万只,电机及电驱动产品10万套。当天,丹佛斯在南京经开区举行了“南京园区启用仪式”,出席启动仪式的 ...
分类:    2025-4-27 09:40

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