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【氧化镓专场报告】2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛，邀您共话氧化镓 ...: · 关于会议·7月15日-17日，“2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛”将于安徽省芜湖市盛大召开。论坛将聚焦宽禁带半导体产业链耗材-设备-材料-外延-器件-应用上中下游全产业链，设 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-26 09:30

麻省理工学院推出氮化镓与硅芯片3D集成新技术: 近日，#麻省理工学院（MIT）的研究团队取得了一项重大技术突破，开发出一种创新的制造工艺，能够将高性能#氮化镓（GaN）晶体管与标准硅芯片进行三维集成。这一成果有望显著提升高频应用（如视频通话和实时深度学习） ...; 分类: 新闻通知 2025-6-25 10:17

SiC攻占光储市场，7家企业均已采用: 最近，“行家说”发现光储领域的企业加速应用碳化硅技术。麦米电气、千帆翼、中弦能源、思格新能源、新能安等企业均推出相关新产品，加快在该领域的技术导入。下表为完整名单，具体详情请往下看：麦米电气：充电模块 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-25 10:16

矢量科学邀您参加2025宽禁带半导体先进技术创新与应用高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：深圳市矢量科学仪器有限公司诚挚地邀请您参加7月15日-17日在中国芜湖·芜湖新华联丽景酒店举办的2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛。在会议 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-25 09:55

效能革命：第三代半导体如何重塑新能源电力电子装置？: 在能源转型与低碳化发展的全球趋势下，新能源电力电子装置作为连接能源生产与消费的核心纽带，其技术革新直接关乎能源利用效率与系统可靠性。以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，凭借其超宽禁 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-25 09:51

耐高温SiC：通往商业化功率器件之路: 密歇根大学（U-M）获得重要资金支持，以推动耐高温碳化硅（SiC）半导体从实验室走向商用制造。密歇根大学近日获得“硅十字路口微电子共享中心”（Silicon Crossroads Microelectronics Commons Hub）拨款240万美元， ...; 分类: 新闻通知 2025-6-24 09:34

西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、赵胜雷教授研究组：利用原位生长技术提高p- ...: GaN基HEMT器件具有耐高压、低损耗、快开关速度、耐高温、抗辐照等特点在5G通讯、数据中心、汽车工业、太空探索等领域具有广泛的应用前景。作为实现常关工作的主要方法之一，具有良好可靠性的p-GaN栅HEMT结构引起了广 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-24 09:31

东北师范大学李炳生教授团队---具有偏压可调谐光谱选择性响应的高性能Ga₂Ò ...: 由东北师范大学李炳生教授团队在学术期刊IEEE Electron Device Letters发布了一篇名为Bias-tuned Selective Spectral Response high-performance Ga2O3/GaN Heterojunction Ultraviolet Photodetector（具有偏压可调 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-24 09:27

2025企创融通汇—“芯机遇促发展解锁应用新市场”宽禁带半导体产业问题专家研讨会成 ...: 2025年6月20日，2025企创融通汇——“芯机遇促发展解锁应用新市场”宽禁带半导体产业问题专家研讨会成功举办，来自高校科研院所、产业链上下游企业及投资机构的40余位代表齐聚一堂，聚焦宽禁带半导体材料与器件产业 ...; 分类: 联盟动态 2025-6-24 09:23

5000万人断电20小时！这项技术助力实现电网稳定！: 2025年4月28日，西班牙与葡萄牙遭遇了欧洲近20年来最严重的全国性大停电，影响超过5000万人，持续近20小时。Red Electrica数据显示，2025年4月28日中午过后，西班牙电网负荷突然呈自由落体式下降，骤降超过1000万千 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-23 09:58

储能采用GaN，出货超120万台: 近期，氮化镓在储能、充电桩等领域的应用热度持续攀升，“行家说三代半”发现，铂科电子、得力工具、科乐新能源以及英诺赛科等企业纷纷发力，接连推出基于氮化镓技术的创新产品。铂科：双向储能采用GaN，累计出货120 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-23 09:56

南邮郭宇锋团队 ISPSD发布超结功率器件物理信息网络智能设计方案: 半导体产业网获悉：近日，南京邮电大学郭宇锋教授团队在第37届国际功率半导体器件与集成电路会议（37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2025）发表创新研究成果“Intellige ...; 分类: 新闻通知 2025-6-23 09:46

【邀请函】丞达精机邀您参会2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：宁波丞达精机股份有限公司诚挚地邀请您参加7月15日-17日在中国芜湖·芜湖新华联丽景酒店举办的2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛。在会议期 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-23 09:44

晶体缺陷多、成本高？这场报告揭秘GaN/AlN生长技术突破关键方案: 以氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）为代表的III族氮化物半导体，凭借其超宽禁带宽度（GaN~3.4 eV，AlN~6.2 eV）、超高击穿场强、优异的导热性与化学稳定性，已成为支撑新一代光电子器件、射频微波器件和功率电子器件发 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-23 09:23

SiC外延技术新突破，几乎零缺陷！: 前段时间，理想汽车的论文提到碳化硅外延缺陷会导致SiC MOSFET失效，可见降低外延片缺陷是非常重要的。521日，新加坡A-STAR微电子研究所和法国SOITEC发表了一篇文章，题为《SiC外延片迈向无缺陷》。该团队表示，目前 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-19 09:40

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