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宽禁带半导体前沿速递 | 产业信息简报(四月)
宽禁带半导体前沿速递 | 产业信息简报(四月)
为助力宽禁带半导体产业生态圈建设,推动技术创新与资源高效对接,宽禁带联盟特别推出《产业信息简报》,本刊聚焦政策风向解读、前沿技术追踪、产业链合作动态、创新产品技术发布、重大项目建设及投融资热点等核心板 ...
分类:    2025-5-12 09:36
三菱出货全SiC和混合SiC SLIMDIP样品
三菱出货全SiC和混合SiC SLIMDIP样品
SLIMDIP系列首批SiC模块可为节能家电提供高输出功率和低功率损耗三菱电机公司于2025年4月22日开始出货用于室内空调和其他家电的两款新型SLIMDIP系列功率半导体模块样品,这两款模块分别是全SiC SLIMDIP(PSF15SG1G6 ...
分类:    2025-5-9 09:37
长城电源为何联手英诺赛科?解密背后的GaN技术创新
长城电源为何联手英诺赛科?解密背后的GaN技术创新
在数据中心与服务器电源领域,一场技术革新正席卷全球。谷歌、华为、浪潮、台达等一众领军企业,纷纷将目光投向氮化镓(GaN)技术,积极将其引入高性能电源设备。基于氮化镓的新一代钛金级电源系统,正以势不可挡之 ...
分类:    2025-5-9 09:36
功率半导体领域新添两起合作!
功率半导体领域新添两起合作!
功率半导体技术正成为推动新能源汽车、工业自动化、可再生能源以及家电智能化等多领域发展的关键力量。2025年5月,赛米控丹佛斯与中车时代半导体签署合作备忘录,英诺赛科与美的厨热达成 GaN 战略合作,共同推动功率 ...
分类:    2025-5-9 09:34
中国科学院宁波材料所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展
中国科学院宁波材料所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展
近日,中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展,相关工作以Al2O3/in-situGaON gate dielectrics incorporated GaN MIS-HEMTs with stable VTH and significantly reduced inte ...
分类:    2025-5-8 13:12
英飞凌、基本半导体发布碳化硅技术新进展
英飞凌、基本半导体发布碳化硅技术新进展
碳化硅(SiC)作为第三代半导体的核心材料,凭借其耐高压、高频、高温等特性,正成为新能源汽车、光伏储能和5G通信等领域的技术变革引擎。近期,基本半导体、英飞凌相继宣布获得碳化硅新突破:基本半导体推出新一代 ...
分类:    2025-5-8 13:11
【专家观点】我国碳化硅产业助力新型电力系统建设
【专家观点】我国碳化硅产业助力新型电力系统建设
碳化硅因其出色的高功率密度、耐高压高温、低能耗及抗辐射等性能,在新能源汽车、5G通信、高效电源、智能电网等领域展现出巨大的市场潜力。我国碳化硅产业起步于本世纪初,目前已在碳化硅材料及器件研制上取得一系列 ...
分类:    2025-5-8 13:08
武汉大学刘胜院士团队 ——β-Ga₂O₃激光隐形切割:理论与实验研究
武汉大学刘胜院士团队 ——β-Ga₂O₃激光隐形切割:理论与实验研究
武汉大学刘胜院士、吴改副研究员、沈威副研究员团队在学术期刊Journal of Materials Science Technology发布了一篇名为 Laser stealth dicing of β-Ga2O3: Theoretical and experimental studies(β-Ga2O3 激光隐 ...
分类:    2025-5-8 09:50
衬底晶面对MOCVD同质外延生长n-Ga₂O₃薄膜性质的影响研究
衬底晶面对MOCVD同质外延生长n-Ga₂O₃薄膜性质的影响研究
β-Ga2O3作为一种超宽禁带半导体材料,因优异的物理特性(如禁带宽度4.2~4.9 eV、高击穿电场强度8 MV/cm)在功率器件、日盲紫外探测等领域展现出巨大潜力。然而,高质量、大厚度、高迁移率的Ga2O3薄膜生长工艺仍面临 ...
分类:    2025-5-7 10:05
揭秘上海车展“隐形主角”:碳化硅如何让新能源车跑得更远更快?
揭秘上海车展“隐形主角”:碳化硅如何让新能源车跑得更远更快?
2025年上海车展已经圆满闭幕,近百款新车型在上海车展首发,吸引全球汽车行业目光。据知名咨询机构Yole预测,2030年碳化硅市场规模将突破100亿美元,而在本次上海车展展出的数十款全新发布的新能源车型中,据行家说R ...
分类:    2025-5-7 09:39
免费报名 如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战,领航器件新发展?
免费报名 如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战,领航器件新发展?
在全球新能源汽车产业爆发式增长背景下,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为材料的宽禁带半导体器件在5G/6G通信,新能源领域逐渐带来更高性能的应用。当前,宽禁带半导体在材料生长工艺、器件参数测试标准、车规级可 ...
分类:    2025-5-7 09:32
西湖大学:开发新型碳化硅超透镜,解决高功率激光领域热管理难题
西湖大学:开发新型碳化硅超透镜,解决高功率激光领域热管理难题
西湖大学仇旻教授课题组成功开发出一种新型的同质碳化硅(4H-SiC)超透镜,为解决高功率激光加工中的热漂移问题提供了全新的解决方案。与传统商用物镜相比,该超透镜不仅能够实现衍射极限的聚焦,还能在长时间高功率 ...
分类:    2025-5-7 09:29
特斯拉专家:希望车规级GaN供应商更丰富
特斯拉专家:希望车规级GaN供应商更丰富
前段时间,我们推送了第一篇《特斯拉技术专家访谈》,今天继续访谈后半段部分的报道,分享特斯拉专家他是如何看待英诺赛科、纳微、英飞凌和TI等氮化镓供应商,如何看待不同的氮化镓技术路线。以下是他的核心观点节选 ...
分类:    2025-5-6 09:28
无锡:全力抢占“三代半”制高点
无锡:全力抢占“三代半”制高点
4月25日,《无锡日报》发表题为《以应用作牵引、加快前瞻布局、锻长项强弱项——无锡全力抢占“三代半”制高点》。文章表示,无锡第三代半导体产业链条逐步完善,具备一定发展基础,如今已初步形成从衬底、外延、晶 ...
分类:    2025-5-6 09:22
SiC收入破10亿!芯联集成等企业披露业绩
SiC收入破10亿!芯联集成等企业披露业绩
近期,芯联集成、斯达半导体及快克智能公布了最新业绩,同时披露了其碳化硅业务进展,详情如下:芯联集成:碳化硅业务收入为10.16亿元,同比增长100%以上。斯达半导体:IGBT单管、SiC 模块等其他产品的收入约为2.7亿 ...
分类:    2025-5-6 09:21

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