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深圳平湖实验室在SiC衬底激光剥离技术领域取得重要进展: 深圳平湖实验室在SiC衬底激光剥离技术领域取得重要进展新技术新突破SiC衬底激光剥离技术SiC是第三代半导体材料，在低功耗、小型化、高压、高频的应用场景有极大优势。但SiC由于莫氏硬度高达9.5，是很难加工的材料， ...; 分类: 新闻通知 2025-2-19 09:15

长安汽车采用氮化镓OBC车载电源: 最近，新能源汽车行业正式打响了“智驾大战”——例如2月10日，比亚迪召开“天神之眼”高阶智驾发布会；2月9日长安汽车发布了“北斗天枢2.0计划”……而在这场开年智驾大战的背后，氮化镓悄然也加入战局，请容行家说 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-18 09:45

全球首台碳化硅磁共振问世，能耗直降57%！: 当“24小时开机的磁共振”遇上“万元收入能耗考核”——全国三级医院正陷入设备升级与能耗红线的两难困局。数据显示，一台1.5T磁共振的月耗电量动辄吞噬医院总电费的1/4，如何切实有效地降低磁共振能耗，已然成为医 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-18 09:41

宽禁带科技论|香港科技大学陈敬课题组：宽禁带半导体氮化镓、碳化硅的最新研究进展: 香港科技大学电子与计算机工程系陈敬教授课题组，在第70届国际电子器件大会（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2024）上报告了多项基于宽禁带半导体氮化镓，碳化硅的最新研究进展。研究成果覆盖功 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-18 09:38

【立项征集】关于征集中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟第九批团体标准项目立项提案 ...: 为了推动宽禁带半导体研发、生产及应用等领域的质量标准体系建设；完善宽禁带半导体相关设备（耗材）-衬底-外延-器件-模块-应用全产业链产业共性关键技术体系；填补宽禁带半导体产业国家、行业标准空白，突破产业发 ...; 分类: 公告通知 2025-2-18 09:15

合计超12亿！理想汽车碳化硅模块、电驱项目投产: 2月13日，理想汽车在微博平台上宣布，他们自研的碳化硅功率芯片完成装机，自研的自产的碳化硅功率模块和新一代电驱动总成已分别在理想汽车苏州半导体生产基地和常州电驱动生产基地量产下线。理想汽车还表示，这三大 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-17 09:21

刘胜院士、郭宇铮等：多尺度模拟驱动先进电子封装技术: 本综述主要围绕多尺度模拟技术在先进电子封装中的应用展开，深入探讨了电、磁、热、机械和流体多物理场耦合方法的挑战及解决方案，提出了结合宏观尺度的有限元、微观尺度的分子动力学和密度泛函理论的多尺度仿真方法 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-17 09:19

英飞凌官宣，首批8英寸SiC产品问世: 2月14日，英飞凌宣布成功推出首批采用8英寸晶圆工艺制造的碳化硅（SiC）产品。据悉，这些产品将在奥地利菲拉赫制造，为包括可再生能源、火车和电动汽车在内的高压应用提供一流的碳化硅功率技术。source：英飞凌这一 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-17 09:17

西电/复旦大学/剑桥大学：基于β-Ga₂O₃的高稳定性电子器件: 西安电子科技大学韩根全教授联合复旦大学杨迎国、陈更生，剑桥大学Linfeng Pan等人发表了题为“Highly Stable Electronics Based on -Ga2O3 for Advanced Memory Applications”的工作在Advanced Science期刊上。本 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-17 09:16

奔驰新增SiC合作，供应商是？: 2月11日，麦格纳在官网宣布，他们已与梅赛德斯-奔驰扩大长期创新合作伙伴关系，并将为后者提供采用碳化硅技术的电驱动系统。文章进一步透露，麦格纳已为梅赛德斯-奔驰生产了超过50万辆越野车。接下来，麦格纳将通过 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-14 10:37

安徽省首条先进工艺SiC车规功率模块产线下线: 据“JLAE钧联电子”消息，2月11日，钧联电子安徽省首条先进工艺SiC车规功率模块产线下线。这一里程碑标志着钧联电子在新能源核心零部件领域的技术突破与产业化进程迈入全新阶段。source: “JLAE钧联电子”官微整条产 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-14 10:29

华润微、Wolfspeed、三菱电机等推出碳化硅新技术: 近段时间，碳化硅技术领域迎来了一系列重大进展，包括华润微电子、Wolfspeed、三菱电机在内的众多企业纷纷发布最新的技术平台和产品，推动了新能源汽车、工业控制等领域的技术革新。华润微电子发布多款功率模块新品 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-14 10:22

宽禁带科技论|南京大学 · 高均匀性6英寸GaN厚膜的高速率HVPE生长研究: 氮化镓(gallium nitride， GaN)作为第三代半导体的材料，因优异的物理和化学性能，在高温、高压、高功率电子器件以及光电子器件中具有广泛的应用前景。然而，GaN单晶衬底的制备一直是技术难点，尤其是在大尺寸、高质 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-14 10:21

提交申请，宁德时代赴港上市！: 2月11日晚间，港交所网站显示，宁德时代正式向港交所提交上市申请。若流程顺利，有望成为去三年港股最大一笔IPO，并为宁德时代拓展境外融资渠道，加入其海外扩张。图片来源：宁德时代申请书申请文件显示，保荐人兼整 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-13 09:33

涉及碳化硅专利，格力电器、芯联集成新动态: 近日，格力电器、芯联集成两家公司分别获得一项实用新型专利授权。格力电器专利名为“碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202010940924.5，授权日为2025年2月7日。source：国家知识产权局专利摘要 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-13 09:31

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