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南京大学团队在ISPSD上发布两项氮化镓功率器件辐照效应研究成果: 南京大学团队在国际功率半导体会议ISPSD上发布两项宇航用氮化镓功率器件辐照效应研究成果近期在日本熊本市举办的第37届国际功率半导体器件和集成电路会议（International Symposium on Power Semiconductor Devices ...; 分类: 新闻通知 2025-6-19 09:29

卷不动的新能源汽车，要不要试试新方案？来听听的专家怎么说: 在上周结束的TMC2025这场备受瞩目的高层互动论坛上，一场围绕“混动模块、嵌入式技术与逆变砖，谁才是未来三年降本增效首选技术”的讨论，汇集了来自产业链各环节的顶尖专家。此次讨论由Yole分析师杨宇博士主持，旨 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-18 10:00

金刚石：何以铸就下一代辐射探测利器？: 金刚石拥有超宽的禁带宽度（~5.5 eV），这赋予了它极低的本征载流子浓度和暗电流，使其能在室温甚至高温下高效工作，避免了传统半导体探测器（如硅、锗）对低温冷却的苛刻依赖。此外，金刚石还具有极高的载流子迁移 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-18 09:34

芯聚能 x 芯粤能｜实现主驱碳化硅芯片-模块全链条自主量产上车: 近日，芯聚能半导体在官微发表文章称：芯聚能半导体完成碳化硅（SiC）功率半导体领域关键一跃。其自主设计的车规级SiC芯片正式规模化导入主驱模块产线，标志着国内首次实现 “芯片设计-模块制造-整车验证”全链条自 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-17 09:25

面向“十五五”的半导体装备的挑战与机遇: 原文刊载于《中国科学院院刊》2025年第5期专刊“建设世界科技强国”——专题"高端制造的现状与未来思考”叶甜春1*朱煜2张国铭3杜晓黎4雷震霖5苑朋朋11 中国科学院微电子研究所2 清华大学3 集成电路装备创新联盟4 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-17 09:22

SiC如何让新能源汽车“电力十足”？: 在全球能源结构转型与碳中和目标的推动下，新能源汽车产业正迎来爆发式增长。据行业预测，到2030年，全球新能源汽车销量占比将超过50%，这一趋势对电驱动系统的性能提出了前所未有的高要求。碳化硅（SiC）凭借其耐高 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-17 09:18

GaN HEMT：未来智能驾驶的“超能之眼”，让激光雷达看得更远、更准！: 当你在高速公路上轻松享受智能巡航，或者在复杂路况下被自动泊车系统精准引导时，你的爱车是如何做到“眼观六路、耳听八方”？除了无处不在的摄像头和，还有一位“深藏不露”的关键角色——激光雷达（LiDAR）。它就 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-16 09:52

GaN驱动电源革新，多款氮化镓电源产品发布: 在科技飞速发展的当下，#氮化镓（GaN）技术正以其卓越的性能，为电源领域带来一场深刻变革。近期，#MPS芯源系统和#小米生态链企业酷态科，分别推出集成氮化镓技术的新产品，引发行业广泛关注。1 MPS发布集成氮化镓 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-16 09:50

新成果！深圳大学在宽禁带半导体功率器件领域取得突破性进展: 在刚刚结束的第37届功率半导体器件与集成电路国际会议（IEEE ISPSD 2025，全称为：IEEE 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）上，深圳大学射频异质异构集成全国重点实验室、材料 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-16 09:49

清华大学在碳化硅领域最新研究成果公布: “清华电机”消息，近日，第37届功率半导体器件和集成电路国际会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD)举办，电机系先进电能变换与电气化交通系统团队的研究论文“The Latest ...; 分类: 新闻通知 2025-6-16 09:40

早鸟价倒计时！2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛: 会议背景为推动宽禁带半导体产业的可持续发展，突破产业发展的瓶颈，探寻新的发展机遇，宽禁带半导体技术创新联盟计划于7月15日-17日在安徽省芜湖市举办“2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-16 09:39

高功率器件又一材料选择！美国高校：n型AlN器件最新突破: 超宽带隙氮化铝（AlN）作为高功率电子器件的高吸引力材料脱颖而出。然而，AlN功率器件由于接触电阻率超过10-1 Ω cm2而面临性能挑战。在本工作中，通过直接应用于n型AlN的精细金属化工艺，实现了10-4 Ω cm2级别的低 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-13 09:14

导通电阻降低35%，东芝发布高温场景专用SiC MOSFET与SBD新结构: 在碳中和目标牵引下，SiC功率器件正站上新一轮性能极限的起跑线。而东芝最新发布的两项技术成果，则进一步刷新了业界对于“沟槽型MOSFET”与“SBD高温性能”的认知阈值。就在2025年6月初于熊本举行的ISPSD国际研讨会 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-13 09:12

智能机器人与先进制造创新学院1.7kV碳化硅功率器件工作入选ISPSD 2025: 近日，功率半导体器件领域的顶级会议IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)在日本熊本市举行。本届ISPSD共收到论文投稿350篇，录用176篇，其中口头报告录用58篇。复旦大学智 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-13 09:09

云思半导体邀您参会2025宽禁带半导体先进技术创新与应用高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：湖南云思半导体科技有限公司诚挚地邀请您参加7月15日-17日在中国芜湖·芜湖新华联丽景酒店举办的2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛。在会议 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-13 09:07

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