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下级分类:  公告通知|联盟动态
大尺寸金刚石多晶膜在未来碳基氮化镓功率半导体的应用
大尺寸金刚石多晶膜在未来碳基氮化镓功率半导体的应用
随着碳基半导体的技术开发深入发展,大尺寸金刚石膜越来越成为阻碍碳基半导体技术的重要因素,国内国外相继生长出了大尺寸的的金刚石多晶膜,铂世光公司在这方面取得长足的进展,应用自己多年积累的技术,不断突破, ...
分类:    2024-2-29 09:23
【标准下载】宽禁带半导体技术创新联盟团体标准下载
【标准下载】宽禁带半导体技术创新联盟团体标准下载
截止至目前,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟已成功发布团体标准共26项,现有17项正在制订过程中。中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟作为国家标准化管理委员会第二批团体标准试点单位,同时也作为中关村国家自 ...
分类:    2024-2-27 14:15
普兴电子:年产24万片SiC外延项目环评公示
普兴电子:年产24万片SiC外延项目环评公示
2月23日,普兴电子官网宣布,其“6英寸碳化硅外延片产业化项目”进行了第一次环境影响评价信息公示。根据公告内容,该项目建设性质为扩改建,项目总投资3.5亿元,用公司厂房,采购碳化硅外延炉116台及配套测试仪器等 ...
分类:    2024-2-27 09:32
重新认识FinFET
重新认识FinFET
FinFET 构成了当今许多半导体制造技术的基础,但也产生了影响布局的重大设计问题。了解 finFET 所需的变化和设计策略对于构建有效的布局至关重要。在这篇文章中,我们将讨论这些变化如何影响集成电路布局。FinFET 技 ...
分类:    2024-2-26 09:47
「沟槽」的SiC 战场
「沟槽」的SiC 战场
*来源:PGC Consultancy Ltd 作者:Peter Gammon 编译:吴晰目前,SiC 行业出现了两极分化:一方面是选择保守、安全的平面 MOSFET 设计,另一方面是大力发展高效、紧凑的沟槽 MOSFET 设计。虽然目前平面设计似乎占据 ...
分类:    2024-2-26 09:19
美国向SK Siltron CSS提供5.44亿美元贷款用于SiC晶圆生产
美国向SK Siltron CSS提供5.44亿美元贷款用于SiC晶圆生产
今天,美国能源部(DOE)贷款计划办公室(LPO)宣布向SK Siltron CSS, LLC提供5.44亿美元的有条件贷款,以扩大美国电动汽车(EV)电力电子设备用高质量碳化硅(SiC)晶圆的生产。碳化硅半导体专为高压应用而设计, ...
分类:    2024-2-26 09:16
氧化镓,进展如何?
氧化镓,进展如何?
摘要在美国,电能占一次能源使用总量的 40%,而且随着电动汽车、可再生能源发电和能源存储的出现,预计电能的使用量还将迅速增长,因此,电力电子产品正变得越来越重要。由于硅材料已达到极限,因此需要更适合大功率 ...
分类:    2024-2-23 11:24
半导体器件为什么需要“外延层”
半导体器件为什么需要“外延层”
外延片的名字来源首先,先普及一个小概念:晶圆制备包括衬底制备和外延工艺两大环节。衬底(substrate)是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片,衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件,也可以进行外延工艺加工 ...
分类:    2024-2-23 09:40
第三代半导体外延材料的产业化应用之路
第三代半导体外延材料的产业化应用之路
手机电脑快充器件、新能源车载电源、5G基站、MicroLED、深紫外LED……这些设备都离不开氮化镓外延材料,这也让该材料成为资本市场关注的“宠儿”。根据相关市场调研机构的预测显示,到2026年,全球氮化镓电子和光电 ...
分类:    2024-2-23 09:25
南京邮电大学:mist-CVD生长Sn:Ga₂O₃的方法进行了深入研究
南京邮电大学:mist-CVD生长Sn:Ga₂O₃的方法进行了深入研究
雾化化学气相沉积(mist-CVD)技术是一种被广泛应用于Ga2O3薄膜生长的方法。这一技术的突出特点包括无需真空、低成本和易操作,同时由于采用有机镓源与氧源反应沉积Ga2O3,与主流的金属有机化学气相沉积(MOCVD)技 ...
分类:    2024-2-22 09:52
带隙对决:GaN和SiC,哪个会占上风
带隙对决:GaN和SiC,哪个会占上风
电力电子应用希望纳入新的半导体材料和工艺。随着氮化镓(GaN)在照明领域应用的兴起,电力电子封装技术的进步也同样重要。氮化镓和碳化硅(SiC)的采用需要创新方法来管理增加的功率能力。散热器技术的最新发展尤其 ...
分类:    2024-2-22 09:44
【成员风采】中机新材获过亿元 A 轮融资
【成员风采】中机新材获过亿元 A 轮融资
中机新材完成过亿元A轮融资北拓资本官方于2月20日发布消息称,深圳中机新材料有限公司(以下简称:中机新材)日前完成过亿元A轮融资。本轮融资由元禾璞华、毅达资本领投,中金战新、元禾控股、深圳中小担、立湾创投 ...
分类:    2024-2-22 09:40
宽禁带科技论|MIS终端物理模型开发助力高性能GaN SBD的研制
宽禁带科技论|MIS终端物理模型开发助力高性能GaN SBD的研制
在导体功率器件建模仿真过程中,在折中考虑高的击穿电压和优异的正向特性的情况下,也需要考虑制备过程中引入的表面缺陷,它会对器件正反向特性及可靠性产生影响。近期,河北工业大学、广东工业大学和南京大学联合开 ...
分类:    2024-2-21 11:22
芯三代半导体、先导电子启动A股IPO辅导
芯三代半导体、先导电子启动A股IPO辅导
2月18日,证监会披露了首次公开发行股票并上市公司辅导备案的公示。新辅导公司:芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司、先导电子科技股份有限公司在列。芯三代拟A股IPO,已进行上市辅导备案2月18日,证监会披露了关 ...
分类:    2024-2-21 11:19
onsemi | 电动汽车直流快速充电器中的宽禁带半导体
onsemi | 电动汽车直流快速充电器中的宽禁带半导体
本文整合自2023 年 12 月 PowerUP 虚拟博览会期间,onsemi 电源解决方案集团高级产品线经理 Pramod Patil 发表的演讲。电动汽车中的宽带隙 (WBG) 半导体自本世纪初以来,许多因素推动了汽车中半导体的使用增加。电子 ...
分类:    2024-2-21 11:15

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