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英飞凌：对SiC充满信心，新技术不代表有大格局的变化！: 近日特斯拉在其投资日上宣布，在下一代新型汽车中将减少75%的SiC的用量，一时间引得行业议论纷纷，对此，英飞凌科技高级副总裁、工业功率控制事业部大中华区负责人于代辉在3月14日召开的“数字低碳、永续发展”的媒 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-23 10:12

如何精确测量SiC和GaN器件，以挖掘潜力，优化效率和可靠性: 以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体，由于其优异的特性得到了快速的发展，然而，如何精确测量这些器件的参数也特性，以挖掘他们得潜力，优化其效率和可靠性，却需要高精度的测试测量设备和专业的方 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-23 10:11

投资翻番 | 三菱电机将投资7.56亿美元建新的 8 英寸碳化硅晶圆厂，推动碳化硅功率半导 ...: 导读日前，三菱电机公司宣布，将在截至2026 年 3 月的五年内将之前宣布的投资计划翻一番，达到约 2600 亿日元，主要用于建设新的晶圆厂，以增加碳化硅 (SiC) 功率半导体的生产。▋投资规划根据计划，预计三菱电机将 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-23 10:07

联盟活动 | 宽禁带半导体功率器件检测认证及可靠性评价技术进展与趋势路演 3月29日19: ...: ⏰【下周三 19:00】我们邀请到「泰克科技中国区业务拓展经理孙川」，分享三代半导体功率器件产业现状、关键测试环节和难点，共同探讨宽禁带半导体功率器件检测认证及可靠性评价技术进展与趋势。; 分类: 公告通知 2023-3-23 10:00

全球碳化硅TOP 6榜单，第一名你猜对了吗？: 在汽车应用的强烈推动下，尤其是在电动汽车主逆变器的需求影响下，继特斯拉采用 SiC 之后，有多个厂商在过去几年发布了与SiC有关的电动汽车公告。此外，特斯拉创纪录的出货量帮助 SiC 器件在 2021 年达到 10 亿美元 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-22 09:16

博格华纳全球第二大Viper生产基地启用｜三代半·电报: ▌博格华纳PDS苏州研发中心暨二期厂房启用日前，博格华纳PDS苏州研发中心暨二期厂房正式启用。据悉，研发中心将专注于电力电子、逆变器和DC/DC转换器等产品的全方位设计，并结合本土Viper功率模块 (硅基IGBT模块和碳 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-22 09:12

预测：2031年SiC晶圆市场将达到29.4亿美元，年复合增长率15.3%: 近日，Straits Research发布了SiC晶圆市场的预测分析，主要亮点：1.北美是最重要的收入来源，预计在预测期内将以15.7% 的复合年增长率增长。2.到 2031 年，全球SiC 晶圆市场规模预计将达到29.4 亿美元，在预测期内（ ...; 分类: 联盟动态 2023-3-21 09:29

金刚石在 GaN 功率放大器热设计中的应用: 摘要：随着 GaN 功率放大器向小型化、大功率发展，其热耗不断增加，散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素。金刚石热导率高达 2000 Ｗ/(m·K)，是一种极具竞争力的新型散热材料，可用作大功率器件的封装载片 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-21 09:23

GeneSiC的“实力派”碳化硅功率器件: 前言路上随处可见的电动汽车、工厂里精密的机械手、草原上永不停歇的风力发电机...，电力进一步成为我们生活必不可缺的重要能源，这些加速能量转换的幕后英雄正是我们熟知的第三代半导体——氮化镓(GaN)和碳化硅（Si ...; 分类: 联盟动态 2023-3-21 09:22

【联盟活动】聚焦新一代半导体产业，中关村“火花”活动沙龙成功举办: 新一代半导体材料是产业变革的基石。从以硅为代表的第一代半导体材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料，以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体材料，到被视为第四代半导体最佳材料之一的氧化镓材料，半导 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-21 09:19

GaN良率受限，难以取代IGBT: GaN要快速扩散至各应用领域，仍有层层关卡待突破。氮化镓（GaN）主要是指一种由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表，研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成，相 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-20 09:28

西电张进成团队 | 一种具有叠层钝化结构的高耐压低功耗GaN功率器件: 2023-03-20 09:07GaN 功率器件具有高临界击穿场强、高开关频率、高转换效率等优点，在快充、电源、数据中心、电动汽车等领域具有广阔的应用前景。GaN 功率器件通常制备在基于硅或蓝宝石衬底的 AlGaN/GaN 异质结上。 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-20 09:26

博世：重点布局碳化硅加大半导体投资: 近年来，以碳化硅为代表的第三代半导体材料凭借着在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面的显著优势，进一步满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，从而成为半导体材 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-20 09:21

国内首家！厦门大学实现8英寸碳化硅外延生长: 近日，厦门大学成功实现了8英寸（200 mm）碳化硅（SiC）同质外延生长，成为国内首家拥有并实现该项技术的机构。作为第三代半导体的主要代表之一，碳化硅与硅相比，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-20 09:19

中国功率半导体，开启黄金十年: 随着国内功率半导体厂商对相关产品的持续研发，以及国外巨头的产能不断扩张，功率半导体如今已成为竞争激烈的“红海市场”。功率半导体的功能主要是对电能进行转换，对电路进行控制，改变电子装置中的电压和频率，直 ...; 分类: 联盟动态 2023-3-17 10:02

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