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合作 | 全球SiC扩散和退火头部供应商宣布与IME达成合作
合作 | 全球SiC扩散和退火头部供应商宣布与IME达成合作
近日,德国centrotherm的扩散和退火设备将服务于新加坡科学技术研究局(A*STAR)微电子研究所(IME)的200毫米开放式SiC研发试验线。A*STAR认为,与传统的硅基半导体相比,碳化硅基半导体具有更高的能效和更高的开关 ...
分类:    2023-12-20 10:23
SiC成车载电源标配?又有3家企业采用
SiC成车载电源标配?又有3家企业采用
近日,SiC在车载电源领域实现了多项应用突破:●博格华纳:向北美主要整车厂供应双向800V车载充电器,搭载SiC技术;●迪龙电源:即将推出22kW双向OBC产品,搭载多颗SiC MOS器件。●中国电科:基于碳化硅驱动控制技术 ...
分类:    2023-12-20 10:16
车企,纷纷押注功率半导体
车企,纷纷押注功率半导体
吉利旗下晶能微电子晶圆制造及SiC模块制造项目开建广汽中车合资IGBT项目青蓝半导体投产理想汽车目前正在新加坡组建团队,从事SiC功率芯片的研发...近年,随着新能源汽车对功率半导体需求的增加,各车企都在纷纷发力 ...
分类:    2023-12-20 10:15
SiC开启800V新时代,政企双端发力!
SiC开启800V新时代,政企双端发力!
12月14日,全球领先的车用技术企业采埃孚,宣布其电机产量已突破300万台大关。采埃孚称,电机量产超过300万台显示出市场对纯燃油发动机的依赖不断减少,标志着整个行业朝着电动化出行的成功转型。source:采埃孚值得 ...
分类:    2023-12-19 09:30
SiC应用 | 设计在线式不间断电源:架构、MOSFET 和驱动器
SiC应用 | 设计在线式不间断电源:架构、MOSFET 和驱动器
作者:安森美Hunter Freberg许多交流电源供电的关键应用均配有不间断电源 (UPS),以便在完全断电时 UPS 能够作为临时电源,确保供电电压保持在规格范围内,这对于负载容易受电源电压突降或波动影响的情况尤为重要。U ...
分类:    2023-12-19 09:27
论文推介丨北科 · 高纯低位错密度单晶金刚石的制备与表征
论文推介丨北科 · 高纯低位错密度单晶金刚石的制备与表征
金刚石以高导热率、强抗辐射性、高的电子迁移率等优异性能,成为辐射探测器最合适的材料之一。探测器级的金刚石要求具有极低的杂质含量及位错密度等,然而在实际过程中同时实现杂质含量和位错密度的控制十分困难。《 ...
分类:    2023-12-18 09:38
风冷 SiC 逆变器的设计方法与封装集成
风冷 SiC 逆变器的设计方法与封装集成
文章来源:中国电机工程学报曾正 1,王金 1,陈昊 2,欧开鸿 1,余跃 1,张欣 3(1.重庆大学;2.阿肯色大学电气工程系;3.南洋理工大学电气与电子工程学院)摘要:SiC风冷逆变器省却了复杂的液冷系统,使电动汽车的 ...
分类:    2023-12-18 09:32
全球氧化镓产业发展概况及对我国的启示
全球氧化镓产业发展概况及对我国的启示
引 言宽禁带半导体往往具备高的击穿场强、高的电子饱和速度和强的抗辐射等特性,在全球半导体产业博弈加剧的背景下,近年来持续受到产业界的高度关注。宽禁带半导体材料主要以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌 ...
分类:    2023-12-18 09:12
河北大学:基于碳化硅功率器件的高频感应焊机设计
河北大学:基于碳化硅功率器件的高频感应焊机设计
文章来源:电源学报河北大学电子信息工程学院:柴艳鹏,王培光,宗晓萍,王贺瑞摘要:高频感应焊机可用于钢管直缝焊接,主要特点为开关频率高和设备功率大,功率器件为硅MOSFET 和硅快恢复二极管。由于硅基功率器件 ...
分类:    2023-12-15 09:45
小鹏汽车杨恒:碳化硅器件在新能源车电驱动系统的应用
小鹏汽车杨恒:碳化硅器件在新能源车电驱动系统的应用
随着全球及国内在新能源汽车、新能源发电和储能等终端市场需求的快速增长,行业对碳化硅衬底需求呈现出持续旺盛的趋势。800V和大规模充电桩的建设推动碳化硅材料和技术的需求增长。800V作为电动汽车领域的新技术,相 ...
分类:    2023-12-15 09:38
英飞凌 | 2024年将是SiC在车载充电机的爆发年,2025年后GaN车载充电机方案
英飞凌 | 2024年将是SiC在车载充电机的爆发年,2025年后GaN车载充电机方案
日前,IEDM 2023(2023 IEEE国际电子器件会议)在美国旧金山召开,IEDM是全球最大的电子器件国际会议。本次 IEEE IEDM 年会的主题是 "基于 60 年 CMOS 技术的智能世界设备"会议第一天,全球最大的功率半导体制造 ...
分类:    2023-12-15 09:33
北方华创:碳化硅外延设备技术研究
北方华创:碳化硅外延设备技术研究
碳化硅外延设备技术研究袁福顺,邓晓军,李庆岩,王石北方华创微电子装备有限公司,北京摘要碳化硅外延技术是采用化学气相沉积设备在N型4H-SiC 衬底上进行同质外延生长,而外延生长设备所具有的温度场和气流场的状态 ...
分类:    2023-12-15 09:27
华为计划2024年部署超10万个超充桩,将带来海量碳化硅衬底需求
华为计划2024年部署超10万个超充桩,将带来海量碳化硅衬底需求
12月7日,在海南省海口市举行的2023世界新能源汽车大会上,华为数字能源技术有限公司总裁侯金龙发表了“全面高压化,全面超快充,推动新能源汽车与充电基础设施高质量协同发展”主题演讲。侯金龙表示,华为数字能源 ...
分类:    2023-12-14 09:48
南瑞半导体自主研发的1200V/40mΩ SiC MOSFET通过车规级可靠性认证
南瑞半导体自主研发的1200V/40mΩ SiC MOSFET通过车规级可靠性认证
近日,南瑞半导体自主研发的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件(NCM40S12T4K2)顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证。标志着南瑞半导体产品质量达到了国际领先水平,为其新能源汽车领域市场的拓展奠定了坚实基础。AEC-Q101认 ...
分类:    2023-12-14 09:44
英特尔发力氮化镓
英特尔发力氮化镓
在最近的IEDM大会上,英特尔表示,已将 CMOS 硅晶体管与氮化镓 (GaN) 功率晶体管集成,用于高度集成的48V设备。具有集成驱动器的 GaN 器件由 Cambridge GaN Devices、EPC 和 Navitas 以及英飞凌领导的欧洲重大研究项 ...
分类:    2023-12-14 09:35

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