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国产车规级触控MCU方案助力汽车智能按键应用: 本文将重点追踪报道车规MCU中的触控类芯片和方案。市场调查机构Omdia近期报告显示，全球半导体市场增长幅度将由2021年的21.1%降至2022年的4.2%，增速趋于平缓。但汽车半导体市场仍将出现大幅增长，市场规模将由2021 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-14 11:36

【政策】安徽、山东接连发利好政策，发展第三代半导体: 目前，我国第三代半导体产业的发展如火如荼，新旧企业加入赛道，地方政府支持，各级政策联动，扶持力度增强，加速推动着相关技术研发和工厂落地。近日，安徽和山东接连发布第三代半导体相关利好政策。安徽：全力发展 ...; 分类: 公告通知 2022-4-14 11:35

中车时代公告扩产6英寸碳化硅芯片产能: 产业动态：4月12日，时代电气发布公告称子公司中车时代半导体拟4.62亿元进行碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目。工艺、产能同步调整2013年中车开始着手建设碳化硅项目，当时拟投资2.9亿元组建4～6英寸SiC芯片模 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-14 11:34

清纯半导体推出首款国产15V驱动SiC Mosfet，已通过车规级测试: 使国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。36氪获悉，国内头部碳化硅器件研发企业「清纯半导体」，近日发布国内首款15V驱动的1200V SiC Mosfet器件平台产品。它填补了国内15V驱动SiC Mosfet产品的空白，使国内SiC功率 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-13 13:43

SiC到底为什么那么“神”？: 相比硅基功率半导体，SiC（碳化硅）功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在显著优势。随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的企业也开始落地碳化硅产品。SiC那么“神乎其神”，究竟是怎么造出来 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-13 13:42

SiC功率器件的鲁棒性和可靠性问题: 以下文章来源于芯TIP ，作者Peter Friedrichs*Vol.17报告主题：SiC功率器件的鲁棒性和可靠性问题报告作者：Peter Friedrichs（Infineon Technologies AG）报告内容包含：（具体内容详见下方全部报告内容）SiC 可靠性 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-13 13:41

【申报通知】2021年度北京市科学技术奖提名工作开始啦，详情请看→: 关于启动2021年度北京市科学技术奖提名工作的通知各有关单位、专家：根据《关于深化科技奖励制度改革的实施方案》的精神，按照《北京市科学技术奖励办法》及《北京市科学技术奖励办法实施细则》的规定和要求，2021年 ...; 分类: 公告通知 2022-4-13 13:34

8英寸转6英寸或成新趋势，设备国产化有望借此东风: 上世纪80年代，6英寸晶圆的横空出世，代表了半导体产业正式迈向成熟商业化，而后在长达近10年的时间里，6英寸作为晶圆制造最高规格，被争相追逐。芯观点──聚焦国内外产业大事件，汇聚中外名人专家观点，剖析行业发 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-13 13:33

SiC 市场高速增长: 据国际知名分析机构 Yole 在早前的一份报告中介绍，受汽车应用的强劲推动，尤其是在 EV 主逆变器方面的需求，SiC 市场将迎来高速增长。报告指出，继特斯拉采用 SiC 后，2020 年和 2021 年又有多款新发布的 EV 使用Si ...; 分类: 联盟动态 2022-4-12 11:00

1200V！又有车规级沟槽型SiC MOSFET: 近日，韩国一家半导体企业宣布，他们也开发了1200V沟槽型SiC MOSFET器件，实现了车规级产品的本土化制造。除了罗姆和英飞凌，国内外还有哪些企业和机构在开发沟槽型SiC MOSFET？今天，“三代半风向”给大家盘点一下 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-12 11:00

OBC典型拓扑中SiC mosfet不同封装的性能分析: 在OBC拓扑中，传统的mosfet不能让开关损耗和效率得到最优化，而SiC mosfet可以通过高频化让OBC拓扑的开关损耗减小，效率得以优化，体积和综合成本得以减小。本文通过侧重对器件封装分析，讨论一下封装对OBC电路的性 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-12 10:59

国产碳化硅产品将在储能变流器产业应用市场实现“快跑”: 储能变流器市场爆发在全球“碳达峰、碳中和”的目标下，风电、光伏发电将快速发展，储能是解决风电、光伏发电不稳定性、间歇性，增强能源系统供应安全性、灵活性的重要手段。随着“十四五”风光装机容量的扩大，各地 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-11 14:30

P-N结增强GaN HEMT: 向 GaN HEMT 添加 p-n 结可以提高其击穿电压商用 GaN HEMT 最显著的弱点之一是其栅极电压往往被限制在不超过 7 V的范围内，以确保安全运行。这种限制减少了栅极驱动器的选择，并排除了使用栅极偏压超过 10 V 的硅基 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-11 14:30

SiC赋能更为智能的半导体制造/工艺电源: SiC 赋能更为智能的半导体制造/工艺电源半导体器件的制造流程包含数个截然不同的精密步骤。无论是前道工艺还是后道工艺，半导体制造设备的电源都非常重要。与基于硅的电源模块相比，使用碳化硅（SiC）的电源具有更为 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-11 14:29

SiC MOSFET 高温栅氧可靠性研究: 摘要：碳化硅（SiC）具有优良的电学和热学特性，是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC 材料制成的功率 MOSFET 非常适合应用于大功率领域，而高温栅氧可靠性是大功率 MOSFET 最需要关注的特性之一。本文通过正压高 ...; 分类: 联盟动态 2022-4-11 14:28

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