新闻通知
论文推介丨山东大学/晶镓半导体 · 成功研发4英寸高质量GaN单晶衬底
氮化镓（GaN）晶体作为第三代宽禁带半导体的代表性材料，具有带隙宽、击穿电压高、热导率高、抗辐射能力强等优异性能，在蓝绿激光器、有源相控阵雷达、电力电子器件等领域具有重要应用。HVPE方法因其生长条件温和、 ...
分类: 新闻通知 2025-4-21 09:32
九峰山实验室推出氧化镓科研级功率单管及“coupon to wafer”流片平台
近日，九峰山实验室（JFS Lab）向各科研机构提供氧化镓”Coupon to wafer”流片研发平台，同时提供多种科研级功率器件封装单管。包括JFS创新的Planar SBD、Trench SBD（肖特基势垒二极管）器件和平面MOSFET器件。它 ...
分类: 新闻通知 2025-4-21 09:27
纳米铜烧结技术在SiC功率模块与散热器互连中应用优势与挑战
随着以SiC为代表的第三代半导体快速发展，电力电子器件向新能源汽车、轨道交通等高压高电流应用场景加速渗透，对功率模块的高功率密度、高可靠性和高寿命提出了新的要求。传统锡基焊料由于其熔点低、导热性差、强度 ...
分类: 新闻通知 2025-4-21 09:11
宽禁带科技论|深圳平湖实验室与西安电子科技大学团队：多体效应对 β-(AlGa)₂O& ...
由深圳平湖实验室和西安电子科技大学的研究团队在学术期刊 Journal of Applied Physics 发布了一篇名为The impact of many-body effects on the properties of β-(AlGa)2O3 / Ga2O3 quantum cascade structure（多 ...
分类: 新闻通知 2025-4-21 09:08
英诺赛科/英飞凌GaN创新：1200V；集成二极管
4月14日，英诺赛科与英飞凌先后发布GaN创新产品，分别以高压平台突破与集成化方案推动行业技术迭代：● 英诺赛科：1200V氮化镓产品实现量产，瞄准800V新能源汽车、工业与AI基建；● 英飞凌：首创集成肖特基二极管GaN ...
分类: 新闻通知 2025-4-18 09:35
金刚石/液态金属热界面材料，散热效率翻倍！
随着高功率电子设备和高度集成的半导体芯片的快速发展，电子元件的功率密度急剧上升，由此产生的热管理挑战对电子设备的正常运行产生了重大影响，甚至可能缩短其使用寿命。为了解决这些散热问题，高性能的导热界面材 ...
分类: 新闻通知 2025-4-18 09:34
混动汽车进入SiC时代？奇瑞/吉利/红旗等已抢跑
中国混动技术正以碳化硅为支点撬动效率革命。不久前，五菱混动汽车宣布正式采用碳化硅；近日，奇瑞汽车针对SiC混动汽车也宣布了新布局。目前，吉利、长安、北汽及红旗等众多车企已押注碳化硅混动赛道。据阳光电动力 ...
分类: 新闻通知 2025-4-18 09:29
论文推介丨导模法生长氧化镓晶体中的位错缺陷及其分布特点
在半导体材料科学领域，β-Ga2O3作为一种新兴的超宽带隙半导体材料，凭借优异的物理性能和在器件中的高性能表现，逐渐成为研究的热点。然而，晶体中的位错缺陷会导致器件漏电、击穿电压下降。缺陷作为影响材料性能和 ...
分类: 新闻通知 2025-4-18 09:26
近20家SiC企业齐聚慕尼黑上海电子展，谁将引领行业新风向？
4月15日至17日，慕尼黑上海电子展盛大举行。本届展会规模空前，吸引了来自全球的1800家展商参展。在本届展会中，碳化硅和氮化镓技术成为亮点，多家厂商集中展示了其在高效能、新能源领域的突破性产品与技术，包括SiC ...
分类: 新闻通知 2025-4-17 10:35
大连理工：OVPE外延Ga2O3厚膜及缺陷形成机理研究方向取得新进展
近日，大连理工大学集成电路学院梁红伟教授课题组在OVPE外延Ga2O3厚膜及缺陷形成机理研究方向取得新进展，以OVPE外延方法在（010）面实现10μm以上Ga2O3厚膜，并通过分析Ga2O3外延成核机制构建了位错线形成的三维模 ...
分类: 新闻通知 2025-4-17 10:12
宽禁带科技论|西安电子科技大学：1.96 kV p-Cr₂O₃/β-Ga₂O&# ...
由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为1.96 kV p-Cr2O3/β-Ga2O3 heterojunction diodes with an ideality factor of 1.07（1.96 kV p-Cr2O3/β-Ga2O3 异质结二极管 ...
分类: 新闻通知 2025-4-17 09:34
【火热招商】2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛
商务合作及展位申请——2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛关于会议·破局 2025，解锁应用新市场——2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛将于202 ...
分类: 新闻通知 2025-4-17 09:28
中国电科成功研发国内首个金刚石微波激射器
记者4月11日从中国电子科技集团有限公司获悉，中国电科产业基础研究院重点实验室量子科研团队联合中国科学院量子信息重点实验室，成功研发国内首个金刚石氮空位色心微波激射器。微波激射器是一种放大微弱微波信号的 ...
分类: 新闻通知 2025-4-16 09:25
中国电科成功研发国内首个金刚石微波激射器
记者4月11日从中国电子科技集团有限公司获悉，中国电科产业基础研究院重点实验室量子科研团队联合中国科学院量子信息重点实验室，成功研发国内首个金刚石氮空位色心微波激射器。微波激射器是一种放大微弱微波信号的 ...
分类: 新闻通知 2025-4-16 09:22
独家对话方正微电子彭建华：碳化硅领域的突破与展望
Q1：近期贵公司在碳化硅芯片领域取得了哪些突破？彭建华：方正微电子从2023年底实现车规主驱SiC MOS芯片量产，2024年进一步提升生产制造质量与良率，夯实基础。在关键的新能源汽车市场，无论是产品性能质量，还是出 ...
分类: 新闻通知 2025-4-16 09:21
