中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 ›新闻通知

新闻通知

下级分类: 公告通知|联盟动态

欢迎新成员——芯丰精密科技有限公司: 芯丰精密科技有限公司注册于2021年9月18日，致力于研究、生产超精密半导体芯片加工设备及耗材，应用于三维堆叠、先进封装和三代半导体等工艺环节。公司总部在浙江省宁波市，在武汉和上海设立有分公司。芯丰精密以“ ...; 分类: 新闻通知 2025-6-6 09:42

罗姆开发100V功率MOSFET新产品，适用于AI服务器: 6月3日，#罗姆宣布开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET。图片来源：罗姆半导体集团新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本滋贺工厂），后道工序的 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-6 09:29

融资数亿元，4家SiC相关企业加速布局: 近日，“ 行家说三代半” 洞察到碳化硅产业融资浪潮再起，钧联电子、芯源新材料、国瑞新材、汉硅半导体共4家SiC相关企业相继获得融资，公开融资金额累计已达数亿元，彰显了资本对碳化硅产业的持续青睐：钧联电子：完 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-6 09:26

广东半导体重大项目加速推进：华润微、方正微、粤芯披露最新进展: 近日，广东省政务服务和数据管理局印发了《数字广东建设2025年工作要点》。在提升数字产业发展能级方面，明确提出支持龙头企业加强AI手机、AI PC等新兴产业技术研发；并加快华润微、方正微、粤芯、增芯等重大项目建 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-6 09:25

宽禁带科技论|西电郝跃院士、张进成教授团队揭示（110）晶面单晶金刚石扩大生长机理: 金刚石作为超宽禁带半导体的典型代表，因其超宽禁带、高击穿场强、高载流子迁移率及出色的热导率等特性，成为高频、大功率、高温及抗辐射器件的理想材料。其中，（110）单晶金刚石在氢终端以及n型掺杂的电子器件应用 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-6 09:24

首个基于GaN HEMT的后处理金刚石: 美国斯坦福大学与加州大学圣巴巴拉分校（UCSB）宣称，首次在射频（RF）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）上集成了后处理金刚石。研究人员认为这是“使用金刚石均热片对X波段GaN HEMT进行热管理的宝贵平台” ...; 分类: 新闻通知 2025-6-4 09:09

金刚石晶体前沿: 面向科技前沿，聚焦人工晶体，汇集研究新进展！一周晶体前沿，一周一期介绍国际权威期刊近期刊发的晶体类精选论文。为方便广大读者浏览，我们已将其摘要译成中文。本期推出由中国科学院上海光学精密机械研究所赵呈春 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-4 09:07

GaN在电机驱动/逆变器设计中的优势: 本文详解GaN技术在3kW以内电机驱动与逆变器系统中的系统级优势，强调其在降低功耗、简化结构、减少BOM成本以及实现更高功率密度和更平稳控制方面的表现。Cambridge GaN Devices的ICeGaN产品以兼容传统驱动、集成电流 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-4 09:03

GaN，助力6G: 本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合新的基于 GaN 的架构将使海量数据的通信和传输变得更加容易。布里斯托大学领导的研究可以通过使基于 GaN 的射频功率放大器更快、更强大、更可靠来增强 6G 传输。该项突破发 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-3 10:57

可实现碳中和的功率半导体: 以宽禁带功率器件日益增长的应用为先导，半导体技术和电力电子技术的进展对于减少温室气体排放、在2050年之前构建碳中和能源系统至关重要。作者：香港大学YUHAO ZHANG过去十年间，以GaN和SiC为基础的宽禁带功率器件 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-3 10:20

季丰电子携手林众电子、瞻芯电子共建功率半导体联合实验室: 近日，上海季丰电子股份有限公司（以下简称“季丰电子”）与上海林众电子科技有限公司（以下简称“林众电子”）、上海瞻芯电子科技股份有限公司（以下简称“瞻芯电子”）正式达成战略合作伙伴关系，三方将共建功率半 ...; 分类: 新闻通知 2025-6-3 10:18

重磅首发！2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛首批嘉宾阵容揭晓！: 会议背景为推动宽禁带半导体产业的可持续发展，突破产业发展的瓶颈，探寻新的发展机遇，宽禁带半导体技术创新联盟计划于7月15 日-17日在安徽省芜湖市举办“2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业 ...; 分类: 公告通知 2025-6-3 10:11

罗姆首款高耐压GaN驱动器IC量产: 5月27日，罗姆宣布推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动，有助于电机和服务器电源等大电流应 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-30 09:15

长飞先进武汉基地首片晶圆正式下线: 2025年5月28日上午，湖北省委书记、省人大常委会主任王忠林一行莅临长飞先进武汉基地，察看碳化硅晶圆生产线，并见证基地首片晶圆生产下线。现场，随着首片晶圆从生产车间成功下线，总投资超200亿元的长飞先进武汉基 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-30 09:11

杰平方-奥斯达克成立SiC战略合作中心: 近期，杰平方半导体（上海）有限公司与深圳奥斯达克电气技术有限公司正式签署碳化硅（SiC）战略合作协议，并共同为“杰平方-奥斯达克SiC战略合作中心”揭牌。图片来源：杰平方半导体资料显示， #奥斯达克作为车载电 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-30 09:09

1 ... 10 11 12 131415 16 17 18 ... 261 / 261 页下一页

相关分类

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部