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GaN射频应用优势明显，功率玩家厚积薄发: GaN中游我们可以将其分为器件设计、晶圆制造、封装测试三个部分。作为化合物半导体的一类，与SiC类似，全球产能普遍集中在IDM厂商上，不过相比于SiC，GaN在设计和制造环节正在往垂直分工的模式转变，不少专注GaN器件 ...; 分类: 联盟动态 2022-7-20 15:25

签约！它也成100亿SiC订单供应商: 今天，又有2家国际SiC企业达成合作——罗姆宣布为赛米控提供碳化硅器件。此前，赛米控的碳化硅功率模块曾获得车企超100亿元订单。有意思的是，赛米控不久前还与意法半导体达成合作，众所周知，罗姆和意法半导体的SiC ...; 分类: 联盟动态 2022-7-20 15:24

特斯拉加速碳化硅应用，产业链即将推动8吋碳化硅量产: 7月18日消息，近年来，在电动汽车大厂特斯拉（Tesla）的带动下，第三代半导体碳化硅（SiC）在电动汽车市场的应用正在加速。整体观察，全球碳化硅产业由美、日、欧等少数具全产业链生产能力大厂主导，为降低成本，8 ...; 分类: 联盟动态 2022-7-20 15:23

碳化硅材料和功率器件: 分类: 联盟动态 2022-7-20 15:21

耀眼的GaN在CS国际会议上占据C位: CS国际会议的演讲者强调了GaN器件现在如何将更高的阻断电压与卓越的效率相结合，在RF中提供令人难以置信的高功率密度，并以microLED的形式覆盖所有可见光谱为了加强其良好的信誉，CS国际会议继续报道化合物半导体行 ...; 分类: 联盟动态 2022-7-19 13:48

ASM 收购LPE，SiC外延江湖中的隐形王者: 7月18日消息，ASM International N.V.（ASM）今天宣布达成一项协议，根据该协议，ASM 将收购位于意大利的碳化硅 (SiC) 和硅外延设备制造商 LPE S.p.A. 的所有流通股。在电动汽车市场迅速扩大的推动下，碳化硅器件正 ...; 分类: 联盟动态 2022-7-19 13:47

2022中国半导体新材料发展（太原）大会顺利召开: 7月14日-15日，2022中国半导体新材料发展（太原）大会在龙城太原成功举办。来自400多家单位的近800名专家、学者、行业精英齐聚一堂，共同探讨半导体新材料的未来发展之路。本届大会以“凝聚新材料，洞见新机遇”为主 ...; 分类: 联盟动态 2022-7-19 13:46

碳化硅的采用进入下一阶段，专注于器件可靠性: 碳化硅（SiC）技术最大程度地提升了当下功率系统的效率，同时缩减了尺寸、重量和成本。但SiC解决方案并非直接替代硅，二者并不完全相同。要实现SiC技术的预期前景，开发人员必须基于质量、供应和支持情况，对产品和 ...; 分类: 联盟动态 2022-7-19 13:44

杭州新政策！重点支持氮化镓、碳化硅等化合物半导体项目建设: 半导体产业网获悉：7月15日，杭州市人民政府办公厅发布《关于促进集成电路产业高质量发展的实施意见》，《意见》提出，到2025年，在人工智能芯片、视觉处理芯片、服务器芯片、车规级芯片、量子计算芯片、类脑计算芯 ...; 分类: 公告通知 2022-7-19 13:38

6英寸高品质GaN晶体最新进展: 来源：第三代半导体产业GaN 功率器件广泛用于工业机械、汽车、家用电子等领域，随着全球碳中和的目标，GaN 功率器件作为减少电力损失的一种手段而被寄予厚望，因此需要更高质量和更大直径的 GaN 衬底，以实现更高的 ...; 分类: 联盟动态 2022-7-18 15:17

【论文合集】金刚石单晶生长与加工: 索引1. 单晶金刚石同质外延侧向生长的边缘多晶抑制和尺寸扩展2. 通过钨掺杂抑制单晶金刚石位错3. 用于小角度X射线散射原位加载测试的单晶金刚石4. 单晶金刚石的可见光辅助化学机械抛光5. 单晶金刚石的100和110的紫外 ...; 分类: 联盟动态 2022-7-18 15:16

邀您参会9月14日-16日｜第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议: 会议简介碳化硅等宽禁带半导体（SiC, GaN, Ga2O3, AlN, 金刚石等）近年来已成为全球高新技术领域竞争的战略制高点和国际半导体及材料领域研究和发展的热点，在国民经济、国防安全、国际竞争和社会民生等领域具有重要 ...; 分类: 公告通知 2022-7-18 15:13

南方电网采用碳化硅，充电桩投资达100亿: 最近，南方电网推出了基于碳化硅的汽车充电桩，可将能耗降低11%，20个桩就可以节省2.5万度电/年。今年，超充采用碳化硅越来越频繁，碳化硅有望在该领域实现大规模应用。据安森美首席执行官Hassane El-Khoury介绍，未 ...; 分类: 联盟动态 2022-7-15 11:43

院士官媒发文：当科研人员不必整天忙于立项、汇报，不靠追评奖、争“帽子”来改善生活 ...: 来源：《中国政协报》世界正处于百年未有之大变局，国家之间的竞争归根结底是科技与人才的竞争。习近平总书记指出：“自主创新是我们攀登世界科技高峰的必由之路。”我国要成为科技强国，就必须勇于探索、敢于突破、 ...; 分类: 公告通知 2022-7-15 11:37

一定要做沟槽型SiC MOSFET吗？（下）: 安森美的下一代技术平台M4则会从平面结构升级为沟槽结构，目前已积累了大约20份相关专利。与初代碳化硅技术相比，在相同载电流的要求下可以减少相当的芯片面积。安森美的碳化硅技术持续进步，功率密度、散热能力和成 ...; 分类: 联盟动态 2022-7-15 11:36

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