中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 ›新闻通知

新闻通知

下级分类: 公告通知|联盟动态

ST携手A*STAR微电子研究所研发电动汽车和工业用碳化硅: 新加坡科学技术研究局微电子研究所 (A*STAR IME) 和意法半导体(简称ST) 共同宣布，双方将在汽车和工业市场电力电子设备用碳化硅 (SiC) 领域展开研发 (RD) 合作。此次合作为新加坡建立全方位的SiC生态系统奠定基础， ...; 分类: 联盟动态 2021-12-3 17:48

晶湛半导体总部大楼正式奠基: 2021年12月2日上午，晶湛半导体总部大楼建设项目奠基仪式在苏州工业园区纳米城正式举行。该项目地块位于苏州工业园区百川街西、南荡田巷北，建成后将成为全球领先的氮化镓外延研发生产基地。苏州工业园区党工委副书 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-3 17:45

“拯救”SiC的几大新技术: 碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料中的代表性材料，是一种具有1X1共价键的硅和碳化合物。据说，碳化硅最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中发现的，所以又被称为“经历46亿年时光之旅的半导体材料”。早在20 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-3 17:45

粤港澳院士峰会“摸高”第三代半导体产业广东打造集成电路第三极: “千万不要忘记创新，没有真正的创新，我们是很难走到最前面去的。”“每个人应坚持做自己的东西，不要去重复，更要避免看到热点就一拥而上。”“政府要有耐心，产业界要有良心，研究要有静心。”……正在东莞松山湖 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-3 17:44

Soitec收购NOVASiC以加强其碳化硅晶圆技术: Soitec收购NOVASiC以加强其碳化硅晶圆技术●收购NOVASiC，加速Soitec的技术开发，加强其在汽车和工业市场的定位● NOVASiC在晶圆加工、抛光和回收方面的专业知识补充了Soitec的技术组合，基于Soitec独特的专利技术， ...; 分类: 联盟动态 2021-12-2 11:39

【联盟动态】2021年11月热点资讯汇编｜聚焦第三代半导体前沿: 2021年11月热点资讯汇编【新品发布】1.纳微发布一款采用GaNSense技术的氮化镓功率芯片本次发布的新品是将电路感知技术加入到氮化镓功率芯片中，是业界内首款集成了智能感知技术的氮化镓功率芯片。通过传感器与芯片的 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-2 11:39

SiC新突破：溶液法、7英寸、明年销售: 最近，日本名古屋大学又公布一项碳化硅技术创新，采用溶液法成功生长了6英寸的碳化硅衬底，而且缺陷降低至1%。通常，碳化硅企业要实现尺寸从4寸到6寸的突破，通常需要5年，而名古屋大学仅用了1年时间，就实现了碳化 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-2 11:37

从原理到实例：GaN为何值得期待？: 来源：维安电子、半导体在线功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要指能够耐受高电压或承受大电流的半导体分立器件，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。在功率半导体的发展路径中， ...; 分类: 联盟动态 2021-12-2 11:37

新能源汽车加持下，中国将成为碳化硅需求最大市场: 中国新能源汽车销量占比整体保持在全球的42%以上预计到2026年中国新能源汽车销量将达到761万辆，占比全球销量的48%，中国保持高占比的新能源汽车销售市场，极大的刺激了功率半导体产业的国内市场需求，碳化硅材料的 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-1 10:49

住友电工推出大功率X波段雷达GaN芯片: 住友电工宣布推出大功率器件，使射频SSPA能够应对SWAP-C挑战射频、无线和光通信解决方案供应商住友电工推出了一系列大功率 GaN 产品，用于陆基和舰载雷达的 X 波段雷达应用。住友电工表示，其器件使射频固态功率放大 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-1 10:48

上海积塔半导体有限公司完成80亿元人民币战略融资: 2021年11月30日，上海积塔半导体有限公司（以下简称：“积塔半导体”或“公司”）宣布完成80亿元人民币战略融资（以下简称：“本轮融资”），本轮融资由公司原股东华大半导体有限公司领投，其他出资方包括：中电智慧 ...; 分类: 联盟动态 2021-12-1 10:48

使用氮化镓(GaN)提高电源效率: 如今，越来越多的设计者在各种应用中使用基于氮化镓的反激式AC/DC电源。氮化镓之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源尺寸，降低工作温度。晶体管无论是由硅还是由氮化镓制成，都不是理想 ...; 分类: 联盟动态 2021-11-30 10:25

SiC MOSFET结构及特性: SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构，如图1所示。这种结构的特点是工艺简单，单元的一致性较好，雪崩能量比较高。但是，这种结构的中间，N区夹在两个P区域之间 ...; 分类: 联盟动态 2021-11-30 10:25

信息技术助力碳中和，功率半导体看过来: 编者按：在今年3月召开的中央财经委员会第九次会议强调，我国力争2030年前实现碳达峰，2060年前实现碳中和。近日，《中共中央国务院关于完整准确全面贯彻新发展理念做好碳达峰碳中和工作的意见》发布，提出构建绿色 ...; 分类: 联盟动态 2021-11-30 10:24

日本开发SiC新技术，能将缺陷降至原来的1%: 据日经报道，日本名古屋大学的宇治原彻教授等人开发出了利用人工智慧（AI）高精度制造新一代半导体使用的碳化硅（SiC）结晶的方法。这种方法能将结晶缺陷数量降至原来百分之一，提高了半导体生产的成品率。2021年6月 ...; 分类: 联盟动态 2021-11-30 10:24

1 ... 153 154 155 156157158 159 160 ... 244 / 244 页下一页

相关分类

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部